Навигация
3. Биполярные транзисторы
Биполярным транзистором называют трехполюсный электропреобразовательный полупроводниковый прибор с двумя выпрямляющими электрическими переходами, способный усиливать мощность за счет инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Транзисторы называются биполярными так как их работа основана на использовании носителей обеих полярностей – электронов и дырок.
Устройство транзистора схематично показано на рисунке 3.1
Рисунок 3.1
Транзистор представляет собой пластину полупроводника, в которой создано три области различной проводимости, разделенные двумя p-n переходами.
Одну из крайних областей транзистора легируют значительно сильнее, чем две другие. Эту область используют для инжекции свободных носителей и называют эмиттером. Промежуточную область называют базой. Основное назначение третей области – коллектора – экстракция и выведение неосновных носителей из базы. Поэтому размеры коллектора больше, чем эмиттера.
В зависимости от порядка чередования областей различают транзисторы n-p-n и p-n-p типов. Их обозначения приведены на рисунке 3.2
Рисунок 3.2
С точки зрения технологии изготовления различают сплавные, диффузионные и планарные транзисторы. В сплавных и диффузионных транзисторах крайние области создают с помощью вплавления или диффузии соответствующих примесей в базовую пластину полупроводника. В планарных (плоских) транзисторах чередование областей создают с помощью последовательной диффузии различных примесей (рис.3.3).
Рисунок 3.3
Коллектор двухслойный типа n+ n. Область n+ обеспечивает малое сопротивление коллекторной области, область n – малую емкость и высокое пробивное напряжение коллектора.
Классификация биполярных транзисторов
Условные обозначения биполярных транзисторов, выпущенных до 1964 года, состоят из букв (П или МП) и цифр, определяющих тип исходного материала, допустимую рассеиваемую мощность и граничную частоту:
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкой частоты;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкой частоты;
от 201 до 299 — германиевые мощные низкой частоты;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкой частоты;
от 401 до 499 — германиевые маломощные высокой и сверхвысокой частот;
от 501 до 599 — кремниевые маломощные высокой и сверхвысокой частот;
от 601 до 699 — германиевые мощные высокой и сверхвысокой частот;
от 701 до 799 — кремниевые мощные высокой и сверхвысокой частот.
После цифр может стоять буква, определяющая разбраковку транзисторов по параметрам.
После 1964 года маркировка проводилась по ГОСТ 10862 - 64, ГОСТ 10862 - 72, а затем по ОСТ 11.336.038 - 77, ОСТ 11.396.419 - 81. Согласно ГОСТ 10862 - 64 обозначения полупроводниковых приборов состоят из четырёх элементов:
Первый элемент – буква или цифра обозначает исходный материал полупроводника Г или 1 – германий. К или 2 – кремний.
Второй элемент – буква, указывающая класс и группу приборов.
Т – транзисторы,
П – полевые транзисторы.
Третий элемент – число указывающее назначение или электрические свойства транзисторов. Первая цифра этой комбинации определяет допустимую рассеиваемую мощность и граничную частоту транзистора в соответствии с таблицей 3.1.
Таблица 3.1. Определение допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты транзистора .
| P \ f | < 3 МГц НЧ | 3 … 30 МГц СрЧ | > 30 МГц ВЧ и СВЧ |
| Малой мощности < 0,3 Вт | 1 | 2 | 3 |
| Средней мощности 0,3 … 3 Вт | 4 | 5 | 6 |
| Мощные > 3 Вт | 7 | 8 | 9 |
Четвертый элемент – буква, указывает подтип прибора (модификация по параметрам).
Основные параметры транзисторов
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор - эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.
Ік - ток коллектора транзистора.
Ікбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера.
Ік.макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. Ік.и.макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
Ікэк - обратный ток коллектор - эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.
Ікэо - обратный ток коллектор - эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном напряжении коллектор - эмиттер и разомкнутом выводе базы.
ІкэR- обратный ток коллектор - эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер. Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер.
Ікэх - обратный ток коллектор - эмиттер заданном обратном напряжении база - эмиттер.
Іэ - ток эмиттера транзистора.
Іэбо - обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора транзистора.
Іэ.макс - максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.
Іэ.и.макс - максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.
Кш - коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Рмакс - максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.
Рк.макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Рк.и.макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Рк.ср.макс - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Q - скважность.
Rтп-с - тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rтп-к - тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.
tвкл - время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
tвыкл - время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Тмакс - максимальная температура корпуса транзистора.
Тп.макс - максимальная температура перехода транзистора.
tрас - время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Uкб - напряжение коллектор - база транзистора.
Uкбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база при токе эмиттера, равном нулю.
Uкбо.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база при токе эмиттера, равном нулю.
Uкэо.гр - граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база - эмиттер транзистора.
Uкэх.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база - эмиттер.
Uкэ - напряжение коллектор - эмиттер транзистора.
Uкэ.нас - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. Uэбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
Класификация биполярных транзисторов относительно основных параметров
Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, мА | Ік.и.макс, мА | UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, {Рк.и.макс}, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгp, {fh21}, МГц | |
| 1Т102 | 6 | - | 5 | 5 | 30 | 20 | 5 | 1 | - | 10 | 1 |
| КТ214Е-1 | 50 | 100 | {20} | 20 | 50 | 40 | 1 | 0,04 | 0,6 | 1 | - |
| М5А | 70 | 150 | {15} | 10 | 75 | {20.50} | 1 | 10 | 0,15 | 20 | 1 |
| МП42А | 100 | 200 | 15 | - | 200 | {30.50} | {1} | {10} | 0,2 | 25 | 1 |
| П41 | 20 | 150 | 15 | 10 | 150 | 30.100 | 5 | 1 | - | 15 | 1 |
| П40А | 20 | 150 | 30 | 5 | 150 | 20.80 | 5 | 1 | - | - | - |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, мА | Ік.и.макс, мА | Uкэя.макс, {икэо.гр}, B | Uкбо. макс, B | Рк.макс, {Р макс}, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | 1э, {Ік}, мА | Uкэ.нас, B | Ікбо, {1кэк}, мкА | fгp, {fh21}, МГц | |
| 2Т127А-1 | 50 | - | {25} | 25 | 15 | {15.60} | {5} | 1 | 0,5 | 1 | 0,1 |
| 2Т127Б-1 | 50 | - | {25} | 25 | 15 | {40.200} | {5} | 1 | 0,5 | 1 | 0,1 |
| М3А | 50 | 100 | {15} | 15 | 75 | {18.55} | 1 | 10 | 0,5 | {20} | 1 |
| МП9А | 20 | 150 | {15} | 15 | {150} | 15.45 | 5 | 1 | - | 30 | {1} |
| МП113 | 20 | 100 | 10 | 10 | {150} | 15.45 | 5 | 1 | - | 3 | {1} |
| ТМ3А | 50 | 100 | {15} | 15 | 75 | {18.55} | 1 | 10 | 0,5 | {20} | 1 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, мА | Ік.и.макс, мА | UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, {Рк.и.макс}, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгp, {fh21}, МГц | |
| 1Т101Б | 10 | - | 15 | 15 | 50 | {60.120} | 5 | 1 | - | 15 | {5} |
| 2Т203В | 10 | 50 | 15 | 15 | 150 | {60.200} | 5 | 1 | - | - | 10 |
| КТ208Б | 150 | 300 | 20 | 20 | 200 | 40.120 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
| КТ209А | 300 | 500 | 15 | 15 | 200 | 20.60 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
| П28 | 6 | - | 5 | 5 | 30 | {33.100} | 5 | 0,5 | - | 3 | {5} |
| П406 | 5 | - | {6} | 6 | 30 | {20} | 6 | 1 | - | 6 | {10} |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, мА | Ік.и.макс, мА | UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, {Рк.и.макс}, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгp, {fh21}, МГц | |
| П307 | 30 | 120 | 80 | 80 | 250 | 16.50 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307А | 30 | 120 | 80 | 80 | 250 | 30.90 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307Б | 15 | 120 | 80 | 80 | 250 | 50.150 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307Г | 15 | 120 | 80 | 80 | 250 | 16.50 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П308 | 30 | 120 | 120 | 120 | 250 | 30.90 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||||
| Ік. макс, мА | Ік.и. макс, мА | Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B | Uкбо. макс, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгр, {fмакс}, МГц | Кш, дБ | |
| 2Т3117А | 400 | 800 | 60 | 60 | 4 | {300} | 40.200 | 5 | 200 | 0,5 | 5 | 200 | - |
| ГТ311Б | 50 | - | 12 | - | 2 | 150 | 30.180 | 3 | 15 | 0,3 | 5 | - | - |
| КТ312Б | 30 | 60 | 35 | - | 4 | {225} | 25.100 | 2 | 20 | 0,8 | 10 | - | - |
| КТ315И | 50 | - | 60 | - | 6 | 100 | 30 | {10} | {1} | - | 1 | 250 | - |
| КТ339А | 25 | - | {25} | 40 | 4 | 260 | 25 | 10 | 7 | - | 1 | 300 | - |
| КТ3102В | 100 | 200 | {30} | 30 | 5 | {250} | 200.500 | 5 | 2 | - | 0,01 | - | 10 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||||
| Ік. макс, мА | Ік.и. макс, мА | Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B | Uкбо. макс, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгр, {fмакс}, ГГц | Кш, дБ | |
| 1Т313А | 50 | - | {7} | 12 | 0,7 | 100 | 10.230 | {3} | 15 | 0,7 | 5 | 0,3.1 | 8 |
| ГТ376А | 10 | - | {7} | 7 | 0,25 | 35 | 10.150 | 5 | 2 | - | 5 | 1 | 4 |
| КТ326А | 50 | - | 15 | 20 | 4 | 200 | 20.70 | 2 | 10 | 1,2 | 0,5 | 0,4 | - |
| КТ3127А | 20 | - | 20 | 20 | 3 | 100 | 25.150 | 5 | 3 | - | 1 | 0,6 | 5 |
| КТ3128А | 20 | - | 20 | 20 | 3 | 100 | 15.150 | 5 | 3 | - | 1 | 0,8 | 5 |
| П418Г | 10 | - | {7} | 10 | 0,3 | 50 | 8.70 | 1 | 10 | - | 3 | 0,4 | - |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||||
| Ік. макс, мА | Ік.и. макс, мА | UкэR.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B | Uкбо. макс, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгр, {fмакс}, ГГц | Кш, дБ | |
| 1Т311А | 50 | - | 12 | 12 | 2 | {150} | 15.180 | 3 | 15 | 0,3 | 5 | 0,3 | 8 |
| 2Т368Б | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | {225} | 50.300 | 1 | {10} | - | 0,5 | 0,9 | 3,3 |
| 2Т396А-2 | 40 | 40 | 10 | 15 | 3 | {30} | 40.250 | 2 | {5} | - | 0,5 | 2,1 | - |
| КТ325Б | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | {225} | 70.210 | 5 | {10} | - | 0,5 | 0,8 | - |
| КТ325В | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | {225} | 160.400 | 5 | {10} | - | 0,5 | 1 | - |
| КТ366В | 45 | 70 | {10} | 15 | 4,5 | {90} | 50.200 | {1} | 15 | 0,25 | 0,1 | 1 | - |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | ||||||||||
| Ік. макс, А | UкэR. макс, В | Рк.макс, Вт | Т,°С | Тп. макс, °С | Тмакс, °С | h21Э | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, мА | Ікбо, мкА | fh21, МГц | Rтп-с, °С / Вт | |
| ГТ402А | 0,5 | 25 | 0,6 | - | 85 | 55 | 30.80 | 1 | 3 | 20 | 1 | 100 |
| ГТ402Б | 0,5 | 25 | 0,6 | - | 85 | 55 | 60.150 | 1 | 3 | 20 | 1 | 100 |
| ГТ402В | 0,5 | 40 | 0,6 | - | 85 | 55 | 30.80 | 1 | 3 | 20 | 1 | 100 |
| КТ502А | 0,15 | 25 | 0,35 | 25 | 125 | 85 | 40.120 | 5 | 10 | 1 | 5 | 214 |
| КТ502Б | 0,15 | 25 | 0,35 | 25 | 125 | 85 | 80.240 | 5 | 10 | 1 | 5 | 214 |
| КТ502В | 0,15 | 40 | 0,35 | 25 | 125 | 85 | 40.120 | 5 | 10 | 1 | 5 | 214 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | ||||||||||
| Ік. макс, А | UкэR. макс, В | Рк.макс, Вт | Т,°С | Тп. макс, °С | Тмакс, °С | h21Э | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, мА | Ікбо, мкА | fh21, МГц | Rтп-с, °С / Вт | |
| ГТ404Е | 0,5 | 25 | 0,6 | 25 | 85 | 55 | 60.150 | 1 | 3 | 25 | 1 | 100 |
| ГТ404Ж | 0,5 | 40 | 0,6 | 25 | 85 | 55 | 30.80 | 1 | 3 | 25 | 1 | 100 |
| ГТ404И | 0,5 | 40 | 0,6 | 25 | 85 | 55 | 60.150 | 1 | 3 | 25 | 1 | 100 |
| КТ503А | 0,15 | {25} | 0,35 | - | 125 | - | 40.120 | 5 | {10} | 1 | 5 | 214 |
| КТ503Б | 0,15 | {25} | 0,35 | - | 125 | - | 80.240 | 5 | {10} | 1 | 5 | 214 |
| КТ503В | 0,15 | {40} | 0,35 | - | 125 | - | 40.120 | 5 | {10} | 1 | 5 | 214 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | ||||||||||
| Ік. макс, мА | Ік.и. макс, мА | Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B | Uкбо. макс, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгр, {fмакс}, МГц | |
| 2Т313А | 0,6 | 0,7 | [50] | 60 | 5 | 1,5 | 30.120 | 10 | 1 | 0,5 | 0,5 | 200 |
| 2Т629АМ-2 | 1 | - | 50 | 50 | 4,5 | 1 | 25.80 | 1,5 | 500 | 0,8 | 5 | 250 |
| 2Т632А | 0,1 | 0,35 | [120] | 120 | 5 | 0,5 | 50 | {10} | 1 | 0,5 | 1 | 200 |
| КТ644Г | 0,6 | 1 | 40 | 60 | 5 | 1 | 100.300 | 10 | 150 | 0,4 | 0,1 | 200 |
| П607А | 0,3 | 0,6 | 25 | 30 | 1,5 | {1,5} | 60.200 | {3} | {250} | 2 | 300 | 60 |
| П608 | 0,3 | 0,6 | 25 | 30 | 1,5 | {1,5} | 40.120 | {3} | {250} | 2 | 300 | 90 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | ||||||||||
| Ік. макс, мА | Ік.и. макс, мА | Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B | Uкбо. макс, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, мВт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | Iэ, {Iк}, мА | Uкэ. нас, B | Ікбо, мкА | fгр, {fмакс}, МГц | |
| 2Т608Б | 0,4 | 0,8 | 60 | 60 | 4 | 0,5 | 50.160 | 5 | 200 | 1 | 10 | 200 |
| КТ601А | 0,03 | - | 100 | 100 | 2 | 0,5 | 16 | {20} | 10 | - | {500} | 40 |
| КТ603Е | 0,3 | 0,6 | 10 | 10 | 3 | 0,5 | 60.200 | 2 | 150 | 1 | 1 | 200 |
| КТ605А | 0,1 | 0,2 | 250 | 300 | 5 | 0,4 | 10.40 | 40 | 20 | 8 | [20] | 40 |
| КТ645Б | 0,3 | 0,6 | 40 | 40 | 4 | 0,5 | 80 | 10 | 2 | 0,5 | 10 | 200 |
| КТ646А | 1 | 1,2 | 50 | 60 | 4 | 1 | 40.200 | 5 | 200 | 0,85 | 10 | 200 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | ||||||||||
| Ік. макс, А | Ік.и. макс, А | Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B | Uкбо. макс, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, Вт | h21, {h21Э} | Uкб, {икэ}, B | Iэ, {Iк}, А | Uкэ. нас, B | Ікбо, мА | fгр, {fмакс}, МГц | |
| 1Т702В | 30 | - | {40} | 60 | 4 | 150 | 15.100 | {1,5} | 30 | 0,6 | 12 | 0,12 |
| 2Т818А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 20 | {5} | {5} | 1 | - | 3 |
| ГТ703Д | 3,5 | - | [40] | - | - | 15 | 20.45 | 1 | 0,05 | 0,6 | 0,5 | 0,01 |
| КТ814А | 1,5 | 3 | 25 | - | 5 | 10 | 40 | {2} | {0,15} | 0,6 | 0,05 | 3 |
| КТ835А | 3 | - | 30 | 30 | - | - | 25 | {1} | {1} | 0,35 | 0,1 | 3 |
| П210 | 12 | - | {60} | - | - | 60 | 15 | - | - | - | 12 | {0,1} |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, А | Ік.и.макс, А | UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, {Рк.и.макс}, Вт | h21, {h21Э} | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, {Iк}, А | Uкэ. нас, B | Ікбо, мА | fгp, {fh21}, МГц | |
| 2ТК235-40-1 | 25 | 40 | 90 | 6 | {3300} | 10 | 5 | 20 | 1,5 | 5 | - |
| 2Т704А | 2,5 | 4 | [1000] | 4 | 15 | 10.100 | 15 | 1 | 5 | [5] | 3 |
| 2Т819В-2 | 15 | 20 | 40 | 5 | 40 | 20 | {5} | {5} | 1 | - | 3 |
| 2Т848А | 15 | - | 400 | 7 | 35 | 20 | 5 | 15 | 1,5 | 5 | 3 |
| ГТ705Д | 3,5 | - | {20} | - | 15 | 90.250 | 1 | {0,5} | 1 | [1,5] | {0,01} |
| КТ815А | 1,5 | 3 | 25 | 5 | 10 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | {0,05} | 3 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, А | Ік.и.макс, А | UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, {Рк.и.макс}, Вт | h21, {h21Э} | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, {Iк}, А | Uкэ. нас, B | Ікбо, мА | fгp, {fh21}, МГц | |
| 1Т910АД | 10 | 20 | 25 | - | 35 | 50.320 | 10 | {10} | 0,6 | 6 | 30 |
| 2Т505А | 1 | 2 | 250 | 5 | 5 | 25.140 | {10} | {0,5} | 1,8 | 0,1 | 20 |
| ГТ906АМ | 10 | - | 75 | 1,4 | 15 | 30.150 | {10} | {5} | 0,5 | {8} | - |
| КТ837А | 7,5 | - | {60} | 15 | 30 | 10.40 | 5 | 2 | 2,5 | 0,15 | - |
| КТ865А | 10 | - | 160 | 6 | 100 | 40.200 | {4} | {2} | 2 | 0,1 | 15 |
| П601АИ | - | 1,5 | 25 | 0,7 | 3 | 40.100 | 3 | 0,5 | 2 | 1,5 | 20 |
| Тип прибора | Предельные значения параметров при Тп = 25 °С | Значения параметров при Тп = 25 °С | |||||||||
| Ік.макс, А | Ік.и .макс, А | UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B | Uэбо. макс, B | Рк.макс, {Рк.и. макс}, Вт | h21, {h21Э} | Uкб, {Uкэ}, B | Iэ, {Iк}, А | Uкэ. нас, B | Ікбо, мА | fгp, {fh21}, МГц | |
| 2Т504Б | 1 | 2 | 150 | 250 | 10 | 15.140 | {5} | {0,5} | 1 | 0,1 | 20 |
| 2Т803А | 10 | - | [60] | - | 60 | 18.80 | 10 | 5 | 2,5 | 1 | 20 |
| П701Б | 0,5 | - | [40] | 40 | 10 | 30.100 | {10} | 0,5 | 7 | 0,1 | 20 |
| П702 | 2 | - | {60} | 60 | 40 | 25 | {10} | {1,1} | 2,5 | 5 | 4 |
| ТК135-25-0,5 | 16 | 25 | {30} | {50} | 80 | 10.100 | 5 | 12,5 | 2 | 10 | 6 |
| ТК135-25-1 | 16 | 25 | {60} | {100} | 80 | 10.100 | 5 | 12,5 | 2 | 10 | 6 |
Похожие работы
... 2.1. Общие сведения Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Полупроводники одновременно являются плохими проводниками и плохими диэлектриками. Граница между полупроводниками и диэлектриками условна, так как диэлектрики при высоких температурах могут вести себя как полупроводники, а ...
... Полупроводниками называют вещества, значения удельного сопротивления которых при нормальной температуре находятся между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков (в диапазоне 10-3 – 1010 Ом·см). Основным свойством полупроводника является зависимость его электропроводности от воздействия температуры, электрического поля, излучения, механической энергии. Полупроводники в ...
... , отсутствием необходимости определения толщины и удельного сопротивления металлического слоя, уменьшением числа операций обработки результатов. Формула изобретения Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл, включающий последовательное нанесение напылением на диэлектрическую подложку через трафарет слоя металла (в виде змейки) толщиной 200 нм, слоя дийодида ...
... resistor – сопротивление. Тиристоры представляют класс полупроводниковых приборов, который подразделяется на диодные (динисторы), триодные (тринисторы), запираемые и симметричные (симисторы). 5. История развития полупроводников После изобретения в 1904 г. Дж. Флемингом двухэлектродной лампы-диода и Л. Де Форестом в 1906 г. трехэлектродной лампы-триода в радиотехнике произошла революция. ...
0 комментариев