2. Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства.
Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1.
N | Тип провод. | Ом см | Ом-1 см-1 | R см3 к | n см-3 | см3 в с | d см |
| 7-1 | N | 0.145 | 6.850 | 58.140 | 1.171017 | 355.04 | 0.20 |
| 7-2 | N | 0.077 | 13.04 | 50.250 | 1.241017 | 655.26 | 0.19 |
| 8-1 | N | 5.260 | 0.190 | 566.60 | 1.101016 | 107.65 | 0.20 |
| 8-2 | N | 1.205 | 0.830 | 27.320 | 2.281017 | 22.680 | 0.20 |
| 9-1 | N | 0.470 | 2.320 | 25.600 | 2.441017 | 59.400 | 0.18 |
| 9-2 | N | 1.588 | 0.630 | 26.325 | 2.371017 | 16.580 | 0.28 |
| 10-1 | N | 1.240 | 0.800 | 13.050 | 4.791017 | 10.450 | 0.17 |
| 10-2 | N | 0.670 | 1.490 | 31.410 | 1.991017 | 46.700 | 0.20 |
| 10-3 | P | 1.920 | 0.520 | 17.360 | 3.601017 | 10.450 | 0.17 |
| 11-1 | P | 1.390 | 0.735 | 31.000 | 2.001017 | 22.300 | 0.30 |
| 11-2 | P | 0.670 | 1.500 | 22.300 | 2.801017 | 33.800 | 0.29 |
| 13-1* | P | 0.274 | 3.650 | 13.890 | 4.501017 | 51.000 | 0.20 |
| 13-2* | P | 0.255 | 3.920 | 25.000 | 2.501017 | 98.000 | 0.17 |
| 14-1 | P | 0.192 | 5.200 | 9.8750 | 6.301017 | 51.350 | 0.14 |
| 14-2 | P | 0.165 | 6.060 | 6.3900 | 9.781017 | 38.720 | 0.16 |
| 15-1 | P | 0.181 | 5.525 | 4.5400 | 1.381018 | 25.080 | 0.15 |
| 15-2 | P | 0.260 | 3.846 | 4.6800 | 1.341018 | 18.000 | 0.12 |
| 16-1* | P | 0.094 | 10.70 | 6.2000 | 1.001018 | 66.340 | 0.26 |
| 16-2* | P | 0.104 | 9.590 | 7.4500 | 8.391017 | 71.440 | 0.24 |
| 21-1* | P | 0.094 | 10.64 | 8.4700 | 7.381017 | 90.100 | 0.20 |
| 21-2* | P | 0.089 | 11.24 | 8.8100 | 7.101017 | 99.000 | 0.20 |
| 21-4* | P | 0.093 | 10.72 | 8.1300 | 7.691017 | 87.200 | 0.20 |
Таблица 1 *-образец перекристаллизован два раза
Анализ результатов позволяет сделать некоторые выводы о зависимости от параметров:
В образцах, которые были перекристаллизованы два раза ощутимо меньше удельная электропроводность , по сравнению с предыдущими образцами.
2) У этих образцов выше подвижность, что позволяет говорить о меньшем количестве примесей; о более глубокой очистке при данном методе.
В данных химического анализа 1, можно видеть:
Содержание всех элементов, кроме бора и фосфора, в сырье выше, чем в образцах очищенных кристаллизацией.
Бор и фосфор не изменяют свой концентрации при росте кристалла из сырья, и эта концентрация составляет приблизительно 1017 см-3, этот порядок совпадает с порядком величины концентрации носителей заряда в образцах. Это позволяет сделать вывод, что тип полупроводника и концентрацию носителей заряда в нашем случае определяет именно бор и фосфора.
0 комментариев