Навигация
Поверхневі напівпровідникові хвилі в напівпровідникових структурах
19744
знака
0
таблиц
41
изображение
Міністерство освіти України
Національний педагогічний університет
ім. М.П.Драгоманова
Курсова робота з загальної фізики на тему:
“Поверхневі електромагнітні хвилі в напівпровідникових кристалах.”
Київ - 1998
План.
Вступ.
Теорія оптичних констант.
Що таке “Поверхневий поляритон”.
Основи методу ППВВ.
Дослідження структури ZnO на сафірі методами ІЧ спектроскопії.
Поверхневі поляритони в стуктурі ZnO на сафірі.
Висновки.
Застосування матеріалів роботи в середній школі.
Список використаної літетатури.
Вступ.
Одним з перспективних напрямків сучасної фізики є дослідження поверхні твердого тіла та взаємодії поверхневих електромагнітних хвиль інфрачервоного діапазону з поверхнею та тонкими шарами напівпровідників . Поверхня впливає на ефективність роботи напівпровідникових приладів. З різними аспектами фізики поверхні пов`язані проблеми створення плівочних елементів, нанесення зміцнюючого покриття, міцності, коррозії, адсорбції та ін.
При взаємодії світлової хвилі з поверхнею твердого тіла виникає поверхнева електромагнітна хвиля. Слід зауважити , що під поверхневою електромагнітною хвилею розуміють хвилю, максимум якої знаходиться на поверхні твердого тіла і амплітуда поля якої зменшується по експоненціальному закону при віддаленні від межі розподілу середовищ. Квазічастинки, які відповідають цим коливанням, що мають змішаний електромагнітно-механічний характер, називають поверхневими поляритонами (ПП). Не зважаючи на екзотичну назву, ці хвилі можуть бути знайдені в рамках феноменологічної електродинаміки як роз`вязки рівнянь Максвелла для межі двох середовищ . Дисперсія таких поверхневих хвиль в кристалі визначається залежністю його діелектричної проникності від частоти падаючого світла. Під фононом розуміють квазічастинку , що відповідає механічним коливанням решітки, тобто періодичним зміщенням атомів відносно положення рівноваги. Плазмон - це теж квазічастинка, але вона описує коливання вільних електронів навколо важких іонів. При деяких умовах плазмони та фонони можуть взаємодіяти.
Фотони при зіткненні з ідеально гладкою межею розділу не взаємодіють або “не бачать” поверхневі поляритони на цій межі. Якщо ж поблизу поверхні покладено призму, або сама поверхня шорохувата, чи на неї нанесена дифракційна решітка, то поверхневі поляритони можуть збуджуватись падаючим фотоном. Ці явища покладено в основу дослідження поверхневих хвиль. Такими методами є :
метод модифікованого багатократного порушеного внутрішнього відбивання ;
метод модифікованого повного внутрішнього відбиття;
метод комбінаційного розсіяння світла.
Зараз розроблено ефективні методи дослідження структури поверхні. В них використовується розповсюдження в кристалах світлових хвиль з певними значеннями частоти та хвильового вектора. Порівняння залежності 
, отриманої з рівнянь Максвела, з експериментально отриманою дисперсією хвиль, що розповсюджуються в кристалах , дає можливість отримувати інформацію про спектр поверхневих збуджень середовища.
Вибір карбіда кремнію в ролі одного з матеріалів для експериментальних досліджень обумовлений перспективою його використання в напівпровідниковій мікроелектроніці. Дійсно, прилади на основі карбіду кремнію, завдяки його унікальним фізико-хімічним властивостям, можуть використовувати в таких галузях науки і техніки, де потрібна підвищена надійність, радіаційна стійкість, робота при високих температурах.
Електрофізичні властивості карбіду кремнію відчутно залежать від конкретного політипу. Зараз відомо понад 200 модифікацій карбіду кремнію.
Позначення політипів в символах Рамсделла складається із цифри, що позначає число шарів вздовж осі С, та букви Н або R в залежності від типу кристалу - гексагонального чи ромбоедричного.
Найбільш часто зустрічаються політипи SiC 6H, SiC 15R та 
SiC. Вони являються хорошими модельними кристалами для дослідження ПП, а також впливу різних поверхневих обробок на властивості ПП. Окрім цього, ідеальні кристали карбіду кремнію та епітаксіальні шари SiC на діелектричних підкладинках є перспективними для використання їх в мікроелектроніці та в інтегральній оптиці.
1. Теорія оптичних констант.
Розповсюдження пучка променів в напівпровідниковому кристалі може бути описане розв`язком рівнянь Максвелла :
, (1.1)
В другому рівнянні системи , на відміну від діелектриків, врахована густина струму провідності 
, оскільки більшість напівпровідників по електричним властивостям ближчі до металів, ніж до діелектриків.
В загальному випадку питома електропровідність 
, діелектрична 
та магнітна 
проникності (відносні величини, що є функціями частоти) напівпровідника є анізотропними та представляються тензорами другого (або вище) рангів.
Оскільки
,
то:
Але 
а grad(div
), тому
(1.2)
Аналогічне рівняння можна отримати і для вектора напруженості магнітного поля 
.
Одним із можливих розв`язків рівняння (1.2) для вектора напруженості електричного поля є
(1.3)
Це рівняння являє собою хвилю, що розповсюджується в напрямі z зі швидкістю v, 
- кутова частота. Розв`язок (1.3) задовольняє (1.2) при умові
(1.4) а це задовольняє комплексному показнику заломлення
(1.5)
Враховуючи те, що квадрат швидкості поширення світла у вакуумі 
, а також ту обставину, що в оптичному діапазоні більшість напівпровідників володіють слабкими магнітними властивостями, тобто 
співввідношення між головним показником заломлення n , головним показником поглинання k, з однієї сторони та діелектричної проникності 
, питомої електропровідності 
- з іншої , приймає вигляд
(1.6)
або після розділення дійсної та уявної частини
, (1.7)
Тут 
- комплексна діелектрична проникність, в котрій по аналогії з n i k, 
- дійсна частина, а 
- коефіцієнт при уявній частині. Спираючись на умову причинності можна записати формули, що пов`язують n i k одне з одним :
З першої формули n можна підрахувати для будь-якої частоти 
в інтервалі від нуля до нескінченності, а значить на основі спектру поглинання може бути підрахований спектр показника заломлення і навпаки. Подібним чином можуть бути записані співвідношення, які пов`язують 
та 
(1.8)
. (1.9)
Це співвідношення Крамерса-Кроніга.
Тепер, підставивши (1.4) та (1.5) в (1.3), знайдемо
, тут видно, що головний показник поглинання k характеризує затухання електромагнітної хвилі в напівпровіднику. Оскільки енергія хвилі пропорційна квадрату амплітуди , то для характеристики поглинання речовини часто застосовують замість 
величину
, (1.10)
це коефіцієнт поглинання , чисельно рівний оберненій товщині шару напівпровідника, в якому інтенсивність електромагнітної хвилі зменшується в e раз. Крім головного показника поглинання
, (1.11)
рівного по величині , згідно формули (1.5) , уявній частині комплексного показника заломлення 
, при деяких механізмах взаємодії електромагнітної хвилі і речовини можуть виникати особливі енергетичні витрати , котрі виражають формулою
, (1.12)
Похожие работы
... ією носіїв заряду, що забезпечують велику холівську напругу. Для виготовлення магнітоелектричних приладів використають арсенід індію й телурид ртуті. Термоелектричні прилади виготовляють із напівпровідникових матеріалів, що забезпечують максимальний коефіцієнт ефективності, тобто які мають високу і низьку теплопровідність. Такими властивостями володіють антимонід цинку телурид і селенід вісмуту ...
... ій зоні. Для тіл, у яких ширина забороненої зони не перевищує 1 еВ, уже при кімнатній температурі в зоні провідності виявляється достатнє число електронів, а у валентній зоні – вакансій, щоб обумовити відносно високу електропровідність. Такі тіла звичайно називають напівпровідниками. Звідси стає ясним, що розподіл твердих тіл другої групи, на діелектрики й напівпровідників є чисто умовним. У ...
... принтера також містить різні мови опису даних (Adobe PostScript, PCL і тощо.). Ці мови знову ж таки призначені для того, щоб забрати частину роботи у комп'ютера і передати її принтеру. Розглянемо фізичний принцип дії окремих компонентів лазерного принтера. 2.5.29 Фотобарабан Як вже писалося вище, найважливішим конструктивним елементом лазерного принтера є фотобарабан, що обертається, за ...
... , збільшення глибини р+рп-переходу приводить до збільшення тривалості фази ВЗП і зменшенню тривалості ВЗО, оскільки до моменту утворення ООЗ значна частина заряду виявляється виведеною з діода. Саме така конструкція р+р-переходу надалі використовувалася у всіх потужних наносекундних діодних розмикачах. Як вже відзначалося вище, присутність електронно-діркової плазми на зростаючій границі ООЗ, ...
0 комментариев