Навигация
Количественные характеристики эффекта
33909
знаков
1
таблица
5
изображений
3. Количественные характеристики эффекта
В замкнутой цепи или электрического напряжения на концах разомкнутого проводника при распространении в нем акустической волны находит проявление акустоэлектрического эффекта - появление в проводнике постоянного тока . Акустоэлектрический эффект возникает из-за увлечения носителей тока акустической волной вследствие акустоэлектронного взаимодействия, при котором часть импульса, переносимого волной, передается электронам проводимости, в результате чего на них действует средняя сила, направленная в сторону распространения волны. В соответствии с этим акустоэлектрический эффект меняет знак при изменении направления волны на противоположное.
Передача импульса от волны электронам сопровождается поглощением звуковой энергии, поэтому действующая на электрон сила пропорциональна коэффициенту электронного поглощения звука ae и интенсивности акустической волны I. Плоская волна, интенсивность которой при прохождении слоя толщиной x: уменьшается за счет электронного поглощения на величину aeIx, передает в среду механический импульс , приходящийся на nexэлектронов слоя (vs - скорость звука. ne - концентрация свободных электронов). Следовательно, на отдельный электрон действует средняя сила
F=
(9)
Под действием этой силы появляется акустоэлектрический ток, плотность которого (m- подвижность электронов) определяется соотношением
J=m (10)
(соотношение Вайнрайха). В случае произвольных акустических полей выражение для акустоэлектрического тока получается как среднее по времени значение произведения переменной концентрации свободных носителей , возникающих под действием акустических полей в проводнике, и их переменной скорости .
J=e{} (11)
(e - заряд электрона).
Если рассматривать акустическую волну с частотой wи волновым вектором как поток когерентных фононов, каждый из которых несет энергию hn и импульс hk. При поглощении фонона электрон получает дополнительную скорость, н результате чего появляется электрический ток (2). На концах проводника возникает эдс, индуцированная звуковой волной (акустоэдс):
U=(1-exp[-aL]) (12)
где L - длина проводника. I0 - интенсивность звука на входе образца, - a=ae+a0 коэффициент поглощения звука, учитывающий как электронное поглощение ae так a0 н решеточное a0 , s- проводимость образца. За счет сильного пьезоэлектрического взаимодействия электронов проводимости с акустической волной на частотах (0,5 – 1)10-2c-1 и образцах длиной около 1 см возникает акустоэдс нескольких вольт при интенсивности звука 1 Вт/см2. В сильных электрических полях акустоэлектрический эффект имеет место даже в отсутствие внешней волны, из-за того что в полупроводнике происходит генерация и усиление фононов внутри конуса углов q вокруг направления дрейфа носителей, для которых vdcosq>vв-. Сила, действующая на носители со стороны нарастающего фононного потока, имеет направление, противоположное дрейфу носителей. В результате происходит их эффективное торможение, приводящее к неоднородному перераспределению электрического поля в образце и падению полного тока в нем. На опыте этот эффект обычно наблюдается но отклонению электрического тока через образец от его омического значения J0=sUL, где U - приложенное к образцу напряжение. Для комнатных температур, когда длина свободного пробега электрона много меньше длины волны (kle<<1), коэффициент поглощения имеет вид
(13)
где K2=4p2b2/e0rvs2 коэффициент электромеханической связи.
(14)
I=0.5cr0v2s0 (15)
На высоких частотах, rд=Öe0ve/4pe n0 (rд – радиус Дебая-Хюккеля, ve - тепловая скорость электрона, n0 - плотность электронов), степень экранирования принимает большие значения. Следующий график показывает зависимость акустоэдс от частоты падающего излучения:
Рис. 4
Если пренебречь зависимостями коэффициентов поглощения от частоты и принять в расчет только зависимость акустоэдс от интенсивности, то мы получим идеализированную зависимость:
Рис. 5
Зависимость 2 идет круче, чем 1, т.к во втором случае коэффициент поглощения ае больше, чем в первом.
Похожие работы
... применений и идет изучение возможностей их применения в биологии и медицине. Состояния этих исследований, разработка приборов, в основе действия которых лежат электретные явления, находятся на разных уровнях своего развития. Расширяющееся применение электретов в различных областях обусловлено как техническими преимуществами устройств на основе этого эффекта, так и экономическими соображениями ...
... превышает шумы примерно в 2 раза, составляет для ПЗС около 10-4 лк·с. Фотоприемное устройство на ПЗС можно освещать со стороны затворов (электродов) или с обратном стоны. 3 Приборы с зарядовой связью в оптоэлектронике Одним из важнейших направлений развития оптоэлектроники является создание телевизионной системы на базе интегральных схем, начиная от передающей системы и кончая экраном. ...
... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...
... ; электреты с объемно-зарядовой поляризацией; с избыточным внедренным зарядом; комбинированные), материалу диэлектрика (неорганические кристаллические электреты, полимерные электреты, биоэлектреты и т.п.), методу получения (термо-электреты, электроэлектреты, короноэлектреты, радиоэлектреты, фотоэлектреты, механоэлектреты, трибоэлектреты и т.п.). Рис. 2. Классификация электретов по ...
0 комментариев