2. СЕТОЧНАЯ МОДУЛЯЦИЯ
Сеточной модуляцией называется управление колебаниями радиочастоты изменением напряжения на управляющей сетке лампы по закону изменения модулирующего сигнала.
Рис.4. Схема
модуляции на
сетку смещения
Модулирующее напряжение можно вводить в цепь любой сетки—управляющей, экранирующей или защитной. При модуляции на управляющую сетку различают две разновидности модуляции:
а) изменением напряжения смещения и б) изменением напряжения возбуждения, т. е. усилением модулированных колебаний.
Модуляция изменением смещения на управляющей сетке лампы осуществляется включением модулирующего напряжения в цепь управляющей сетки последовательно с напряжением смещения, как показано на рис. 4. В результате такого включения напряжений в цепи сетки будут действовать три напряжения: постоянное напряжение смещения ЕC, напряжения возбуждения радиочастоты uC=UCcosωt и модулирующее напряжение звуковой частоты uΩ =UΩcosωt.
Рис.5. Графики
напряжений
и токов при
сеточной модуляции
Рассмотрим физические процессы в генераторе при модуляции на сетку смещением. Сначала после включения источника питания в цепь сетки включается напряжение смещения ЕC. Значение его выбирают таким, чтобы исходная рабочая точка находилась на нелинейном участке характеристики лампы Ia = f(eC) (в точке 0 на рис. 5). Затем включается напряжение возбуждения несущей частоты uC= UC cosωt (точка 1 на оси времени на рис. 5). При действии в цепи сетки двух напряжений в цепи анода ток будет протекать в виде периодической последовательности импульсов с постоянной амплитудой и углом отсечки θ = 90°. В составе этих импульсов имеется первая гармоника анодного тока Ia1. Затем включается модулирующее напряжение uΩ =UΩcosωt (точка 2). Частота модулирующего напряжения Ω во много (десятки тысяч раз) меньше несущей частоты ω. Поэтому мгновенное значение модулирующего напряжения по сравнению с несущей изменяется настолько медленно, что за один период несущей его можно считать неизменным. Это дает возможность еще считать, что модулирующее напряжение по отношению к напряжению несущей частоты проявляется как постоянное напряжение смещения. Отсюда и название: модуляция изменением напряжения смещения. Но это напряжение смещения изменяется по звуковому закону. В дальнейшем рабочая точка перемещается по характеристике лампы в соответствии с изменением модулирующего напряжения.
Таким образом, в результате изменения напряжения смещения амплитуда импульсов анодного тока, угол отсечки θ , а следовательно, и амплитуда первой гармоники анодного тока изменяются по звуковому закону, вследствие чего и осуществляется амплитудная модуляция (точки 3, 4, 5 и 6 на рис. 5).
3. МОДУЛЯЦИЯ НА БАЗУ ТРАНЗИСТОРА
В
транзисторных
каскадах передатчиков
одуляция на
базу может
осуществляться
как изменением
напряжения
смещения, так
и изменением
напряжения
возбуждения.
Рис.6. Схема базовой модуляции смещением
Для осуществления базовой модуляции смещением модулирующее напряжение вводится в цепь базы транзистора последовательно с напряжением смещения и напряжением возбуждения, как показано на рис. 6. Так как для осуществления модуляции необходим нелинейный элемент, то напряжение смещения выбирается таким, чтобы рабочая точка в исходном режиме находилась левее начала характеристики (точка А на рис. 7,а). При этом в цепи базы протекает незначительный отрицательный ток IБ 0 (рис. 7,а). Транзистор закрыт, и в цепи коллектора ток не протекает.
Р
ис.7.Физические
процессы при
модуляции на
базу смещением
( а,б,в)
Рис.7. Физические процессы при модуляции на базу смещением (г, д, е)
Если в цепи базы кроме напряжения смещения и напряжения возбуждения включено и звуковое напряжение uΩ =UΩcosωt, то результирующее напряжение еБ = ЕБ 0 + UΩcosωt + Uω cos ωt . Так как напряжение звуковой частоты изменяется значительно медленнее, чем напряжение возбуждения, то напряжение звуковой частоты проявляется по отношению к напряжению возбуждения, как напряжение смещения. Поэтому при модуляции рабочая точка будет перемещаться по характеристике, как показано на рис. 7,г (точки А— A'). В результате изменяются амплитуда импульсов коллекторного тока и угол нижней отсечки θ (рис. 7,д). Поэтому в нагрузочном колебательном контуре амплитуда тока будет изменяться по закону звуковой частоты (рис. 5.9,е). Ток в цепи базы во время положительного полупериода звукового напряжения протекает в виде импульсов меняющейся полярности. Во время отрицательного полупериода ток в цепи базы—постоянный отрицательный.
Модуляционные характеристики коллекторного тока при базовой модуляции приведены на рис. 8. Зависимость первой гармоники коллекторного тока IK1 от напряжения смещения EБ называется статической модуляционной характеристикой. Она имеет нижний и верхний изгибы за счет изгибов статических характеристик транзистора. На основном рабочем участке статические модуляционные характеристики практически прямолинейны.
Рис. 8. Модуляционные характеристики коллекторного тока при базовой
модуляции смещением
Рабочую точку в режиме молчания надо выбирать на середине прямолинейного участка модуляционной характеристики, что достигается выбором соответствующего напряжения смещения ЕБ. В режиме максимальной мощности генератор работает в оптимальном режиме (точка Iк1макс на рис. 8). Как видно из характеристик, модулируемый генератор при базовой модуляции все время работает в недонапряженном режиме, достигая оптимального режима только в моменты максимумов звукового напряжения. Поэтому КПД коллекторной цепи генератора при базовой модуляции смещением низкий, что ограничивает применение этого вида модуляции.
Базовая модуляция находит применение в качестве элемента комбинированной коллекторной модуляции.
При базовой модуляции возбуждением по закону изменения модулирующего напряжения изменяется амплитуда напряжения в цепи базы, а напряжение базового смещения и коллекторное напряжение не изменяются. При этом происходит усиление модулированных колебаний. Поэтому она возможна в режимах колебаний класса В, так и в режиме колебаний класса А. Однако режим колебаний класса А из-за низкого КПД применять нецелесообразно.
Достоинство базовой модуляции возбуждением в том, что модуляционная характеристика при соответствующем выборе режима генератора может быть более линейной, чем при базовой модуляции смещением. Кроме того, при выборе угла отсечки θ =90° можно получить углубление модуляции, то есть в коллекторной цепи 100%-ную модуляцию при глубине модуляции в базовой цепи меньше единицы.
0 комментариев