8. Выберем расстояние координатной сетки h для черчения равным 1 мм и масштаб чертежа 500:1, тогда расстояние координатной сетки на шаблоне

 мкм.

9. Определяем топологическую ширину резистора bтоп . За bтоп принимают значение большее или равное bпром значение, кратное расстоянию координатной сетки фотошаблона.

В нашем случае

R1 - R4 :

bтоп = 6 мкм

R5 :

bтоп = 34 мкм

10. Выбираем тип контактных площадок резистора. Исходя из расчитанной топологической ширины выбираем для R1 - R4 площадку, изображенную на рис.1а, для R5 – на рис. 1б.


 

а б

 

Рис. 1 Контактные площадки

11. Находим реальную ширину резистора на кристалле, учитывая погрешности, вызванные растравливанием окисла и боковой диффузией:

b = bтоп + 2(Dтрав + Dу)

( 5.8)

В нашем случае:

R1 - R4 :

b= 7,8 мкм

R5 :

b = 35,8 мкм

12. Определяем расчетную длину резистора:

lрасч = b(R/rS – n1k1 – n2k2 – 0,55Nизг

( 5.9)

где Nизг – количество изгибов резистора на 90°; k1, k2 – поправочные коэффициенты, которые учитывают сопротивление околоконтактных областей резистора при разных конструкциях этих областей; n1, n2 – количество околоконтактных областей каждого типа.

В нашем случае

R1 - R4 :

lрасч = 198,579 мкм

R5 :

lрасч = 284,4

13. Расчитаем длину резистора на фотошаблоне, учитывая растравливание окисла и боковую диффузию:

lпром = lрасч + 2(Dтрав + Dу)

( 5.10)

в нашем случае

R1 - R4 :

lпром = 200,84 мкм

R5 :

lпром = 286,2 мкм

14. За топологическую длину резистора lтоп берем ближайшее к lтоп значение, кратное расстоянию координатной сетки на фотошаблоне.

В нашем случае

R1 - R4 :

lтоп = 200 мкм

R5 :

lтоп = 286 мкм

15. Расчитываем реальную длину резистора на кристалле:

l = lтоп - 2(Dтрав + Dу)

( 5.11)

R1 - R4 :

l = 198,2 мкм

R5 :

l = 284,2 мкм

Информация о работе «Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)»
Раздел: Радиоэлектроника
Количество знаков с пробелами: 34858
Количество таблиц: 50
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
36254
23
10

... всех сферах деятельности человека. Созданию систем автоматического проектирования, промышленных роботов, автоматизированных и автоматических производственных линий, средств связи и многому другому способствует микроэлектроника. /1/ Цель работы: проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы К2ТС241 (RST-триггер) 1. ОБЩИЙ РАЗДЕЛ 1.1 Характеристика схемы Гибридные ...

Скачать
50268
3
3

... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...

Скачать
22646
0
5

... принципов и явлений, реализация которых позволяет получить приборы со сложным схемотехническим или системотехническим функциональным назначением. В функциональной микроэлектронике начинают использовать (рис.1):   Рис. 1. Основные направления функциональной микроэлектроники. Оптические явления (когерентная и некогорентная оптика, нелинейная оптика, электрооптика, магнитооптика). Их ...

Скачать
112728
16
26

... технологии широкополосного доступа - по электросетям. Было разработано оборудование PLC первого и второго поколений. Достигнутая предельная скорость передачи данных не превышала 10-14 Мб/с. Реальная же скорость передачи данных в тестовых сетях PLC с применением этого оборудования отличалась на порядок и составляла 1-2 Мб/с. Кроме этого, абонентское оборудование PLC имело сравнительно высокую ...

0 комментариев


Наверх