ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

1 Назначение аппаратуры

Данный блок относится к классу бортовой аппаратуры и предназначен для установки в управляемый снаряд Функционально блок предназначен для свертки сигнала принимаемого бортовой РЛС

2 Технические требования

а) условия эксплуатации

- температура среды tо=30 оC;

- давление p = 1 33 × 104 Па;

б) механические нагрузки

- перегрузки в заданном диапазоне

f, Гц

10

30

50

100

500

1000

g

5

8

12

20

25

30

- удары u = 50 g;

в) требования по надежности

- вероятность безотказной работы P(0.033) ³ 0.8

3 Конструкционные требования

а) элементная база - микросхемы серии К176 с КМДП логикой;

б) мощность в блоке P £ 27 Вт;

в) масса блока m £ 50 кг;

г) тип корпуса - корпус по ГОСТ 17045-71;

д) тип амортизатора АД -15;

е) условия охлаждения - естественная конвекция

ПОДБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ

Поскольку проектируемый электронно-вычислительный блок является бортовой аппаратурой, то к нему предъявляются следующие требования

высокая надежность;

высокая помехозащищенность;

малая потребляемая мощность;

Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют интегральные микросхемы на дополняющих МДП (МОП) структурах - КМДП структуры

Цифровые интегральные схемы на КМДП-транзисторах - наиболее перспективные. Мощность потребления в статическом режиме ЦИС составляет десятки нановатт, быстродействие - более 10 МГц. Среди ЦИС на МДП-транзисторах ЦИС на КМДП-транзисторах обладают наибольшей помехоустойчивостью: 40...45 % от напряжения источника питания. Отличительная особенность ЦИС на КМДП-транзисторах - также высокая эффективность использования источника питания: перепад выходного напряжения элемента почти равен напряжению источника питания. Такие ЦИС не чувствительны к изменениям напряжения питания. В элементах на КМДП-транзисторах полярности и уровни входных и выходных напряжений совпадают, что позволяет использовать непосредственные связи между элементами. Кроме того, в статическом режиме их потребляемая мощность практически равна нулю

Таким образом была выбрана серия микросхем К176 (тип логики дополняющие МОП-структуры) Конкретно были выбраны две микросхемы

К176ЛЕ5 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ;

К176ЛА7 - четыре элемента 2И-НЕ

Параметр

К176ЛЕ5

К176ЛА7

Входной ток в состоянии “0”, Iвх0, мкА, не менее

-0 1

-0.1

Входной ток в состоянии “1”, Iвх1, мкА, не более

0 1

0.1

Выходное напряжение “0”, Uвых0, В, не более

0 3

0.3

Выходное напряжение “1”, Uвых1, В, не менее

8 2

8.2

Ток потребления в состоянии “0”, Iпот0, мкА, не более

0 3

0.3

Ток потребления в состоянии “1”, Iпот1, мкА, не более

0 3

0.3

Время задержки распространения сигнала при включении tзд р1, 0, нс, не более

200

200

Время задержки распространения сигнала при включении tзд р0, 1, нс, не более

200

200

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Напряжение источника питания, В

5 - 10 В

Нагрузочная способность на логическую микросхему, не более

50

Выходной ток Iвых0 и Iвых1, мА, не более

0 5

Помехоустойчивость, В

0 9

РАСЧЕТ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА БЛОКА

Исходные данные

Размеры блока

L1=250 мм L2=180 мм L3=90 мм

Размеры нагретой зоны

a1=234 мм a2=170 мм a3=80 мм

Зазоры между нагретой зоной и корпусом

hн=hв=5 мм

Площадь перфорационных отверстий

Sп=0 мм2

Мощность одной ИС

Pис=0,001 Вт

Температура окружающей среды

tо=30 оC

Тип корпуса

Дюраль

Давление воздуха

p = 1 33 × 104 Па

Материал ПП

Стеклотекстолит

Толщина ПП

hпп = 2 мм

Размеры ИС

с1 = 19 5 мм с2 = 6 мм c3 = 4 мм

Этап 1 Определение температуры корпуса

1 Рассчитываем удельную поверхностную мощность корпуса блока qк

Конструирование ЭВСгде P0 - мощность рассеиваемая блоком в виде теплоты;

Sк - площадь внешней поверхности блока

Для осуществления реального расчета примем P0=20 Вт, тогда

Конструирование ЭВС

2 По графику из [1] задаемся перегревом корпуса в первом приближении D tк= 10 оС

3 Определяем коэффициент лучеиспускания для верхней a л в, боковой a л б и нижней a л н поверхностей корпуса

Конструирование ЭВС

Так как e для всех поверхностей одинакова и равна e =0 39 то

Конструирование ЭВС

4 Для определяющей температуры tm = t0 + 0.5 D tk = 30 + 0.5 10 =35 oC рассчитываем число Грасгофа Gr для каждой поверхности корпуса

Конструирование ЭВС

где Lопр i - определяющий размер i-ой поверхности корпуса;

g - ускорение свободного падения;

g m - кинетическая вязкость газа, для воздуха определяется из таблицы 4 10 [1] и равна g m=16 48 × 10-6 м2/с

Конструирование ЭВС

5 Определяем число Прандталя Pr из таблицы 4 10 [1] для определяющей температуры tm, Pr = 0.7

6 Находим режим движения газа, обтекающих каждую поверхность корпуса

5 × 106 < Grн Pr = Grв Pr = 1 831 × 0 7 × 107 = 1 282 × 107 < 2 × 107 следовательно режим ламинарный

Grб Pr = 6 832 × 0 7 × 106 = 4 782 × 106 < 5 × 106 следовательно режим переходный к ламинарному

7 Рассчитываем коэффициент теплообмена конвекцией для каждой поверхности блока a k i

Конструирование ЭВС

где l m - теплопроводность газа, для воздуха l m определяем из таблицы 4 10 [1] l m = 0 0272 Вт/(м К);

Ni - коэффициент учитывающий ориентацию поверхности корпуса Ni = 0.7 для нижней поверхности, Ni = 1 для боковой поверхности, Ni = 1 3 для верхней поверхности

8 Определяем тепловую проводимость между поверхностью корпуса и окружающей средой s к

Конструирование ЭВС

9 Рассчитываем перегрев корпуса блока РЭА во втором приближении D tк о

Конструирование ЭВС

где Кк п - коэффициент зависящий от коэффициента корпуса блока Так как блок является герметичным, следовательно Кк п = 1;

Кн1 - коэффициент, учитывающий атмосферное давление окружающей среды берется из графика рис 4 12 [1], Кн1 = 1

10 Определяем ошибку расчета

Конструирование ЭВС

Так как d =0 332 > [d ]=0.1 проводим повторный расчет скорректировав D tк= 15 оС

11 После повторного расчета получаем D tк,о= 15,8 оС, и следовательно ошибка расчета будет равна

Конструирование ЭВС

Такая ошибка нас вполне устраивает d =0 053 < [d ]=0.1

12 Рассчитываем температуру корпуса блока

Конструирование ЭВС

Этап 2 Определение среднеповерхностной температуры нагретой зоны

1 Вычисляем условную удельную поверхностную мощность нагретой зоны блока qз

Конструирование ЭВС

где Pз - мощность рассеиваемая в нагретой зоне, Pз = 20 Вт.

2 По графику из [1] находим в первом приближении перегрев нагретой зоны D tз= 18 оС

3 Определяем коэффициент теплообмена излучением между нижними a з л н, верхними a з л в и боковыми a з л б поверхностями нагретой зоны и корпуса

Для начала определим приведенную степень черноты i-ой поверхности нагретой зоны e пi

Конструирование ЭВС

где e зi и Sзi - степень черноты и площадь поверхности нагретой зоны, e зi = 0 92 (для всех поверхностей так как материал ПП одинаковай)

Так как приведенная степень черноты для разных поверхностей почти одинаковая, то мы можем принять ее равной e п = 0 405 и тогда

Конструирование ЭВС

4 Для определяющей температуры tm = 0 5 (tк + t0 + D tk) = 0 5 (45 + 30 + 17 =46 oC и определяющего размере hi рассчитываем число Грасгофа Gr для каждой поверхности корпуса

Конструирование ЭВС

где Lопр i - определяющий размер i-ой поверхности корпуса;

g - ускорение свободного падения;

g m - кинетическая вязкость газа, для воздуха определяется из таблицы 4 10 [1] и равна g m=17 48 × 10-6 м2/с

Конструирование ЭВС

Определяем число Прандталя Pr из таблицы 4 10 [1] для определяющей температуры tm, Pr = 0.698

Grн Pr = Grв Pr = 213 654 × 0 698 = 149 13

Grб Pr = 875 128 × 0 698 = 610 839


Информация о работе «Конструирование ЭВС»
Раздел: Наука и техника
Количество знаков с пробелами: 14076
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
156154
27
11

... датчика, наличием нерассматриваемых источников тепла, особенностями конфигурации компонентов относительно потока воздуха от вентиляторов и др.). Это еще раз доказывает актуальность проведения экспериментальных исследований в изучении тепловых режимов устройств ЭВМ и, следовательно, создание для этих целей специализированного устройства (модуля). 7 РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ СБОРКИ МОДУЛЯ АЦП 7.1 ...

Скачать
70955
13
10

... источника меньше допустимого значения) и блок управления включает индикатор “Смените источник питания”. При восстановлении напряжения сети системы резервного электропитания опять переходит в режим нормальной работы. 2. Конструкторско-технологический раздел   2.1 Разработка печатной платы Печатные платы представляют собой диэлектрическую пластину с нанесенным на нее токопроводящим рисунком ( ...

Скачать
12983
22
2

... существенные случайные независимые отклонения при изготовлении штырей. Конструирование преобразователей фильтров на ПАВ. При конструировании фильтров на ПАВ необходимо решить ряд вопросов, связанных с вторичными эффектами, к числу которых в первую очередь следует отнести эффекты отражения акустических волн от штырей преобразователей, от краев звукопровода и т.д. Наиболее существенное влияние ...

Скачать
138399
23
10

... УЛПМ-901. 11 Визуальный контроль качества сборки при увеличении 2,5. ГГ6366У/012. Маршрутная карта на техпроцесс изготовления печатной платы приведена в приложении. 8 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ДИПЛОМНОГО ПРОЕКТА 8.1 Характеристика изделия «Модуль управления временными параметрами». Обоснование объема производства и расчетного периода Модуль управления временными параметрами – ...

0 комментариев


Наверх