Проведение измерения напряжений при помощи вертикального входа Y и внешнего делителя напряжений
Подключение p-n-перехода к внешнему напряжению
Параметры выпрямительных диодов
Схема замещения диода
Снятие вольтамперной характеристики туннельного диода при помощи осциллографа
Исследование выпрямителя на пониженном напряжении
Включение тиристора на постоянном токе
Исследование однофазного управляемого выпрямителя
Работа усилителя от сигналов постоянного тока
Суммирование импульсных напряжений
Снятие амплитудной характеристики неинвертирующего усилителя на постоянном токе
Одновходовый компаратор без обратной связи
Двухвходовый компаратор с положительной обратной связью
Снятие характеристики передачи в статическом режиме
Навигация
Включение тиристора на постоянном токе
Исследование полупроводниковых приборов
95058
знаков
15
таблиц
68
изображений
1. Включение тиристора на постоянном токе
В работе исследуется тиристор типа Т6-10 с предельным током 6 А. В анодную цепь и цепь управления подаются постоянные напряжения 9 В и 27 В от блока питания (рис.6). Ограничение анодного тока после включения тиристора осуществляется резистором Rн = 120 Ом. Нагрузкой цепи управления является резистор Rу = 75 Ом.
2. Определение отпирающего тока управления Iу0 и условий выключения тиристора.
Потенциометр RП1 установлен в такое положение, когда напряжение на управляющем электроде равно нулю, т.е. Uу = 0. При помощи потенциометра RП2 установить анодное напряжение 12 В. Регулируя напряжение в цепи управления, добиться включения тиристора. Результаты измерения занести в таблицу. Примерное значение параметров приведено в таблице 1.
Таблица 1 – Измерение параметров включения тиристора
| Ua, В | Ia, мА | Iу0, мА | Uу0, В |
| 12 – 0,9 | 0 – 50 | 22 | 1,6 |
После включения тиристора переключить предел измерения вольтметра V2 на 10 В и замерить прямое падение напряжения на тиристоре Uпр. В таблице 1 это значение равно 0,9 В. Также записать значение анодного тока после включения тиристора. В таблице 1 это значение равно 50 мА.
Уменьшить ток управления до нуля. Убедиться в том, что значение анодного тока не изменяется, т.е. тиристор не выключается. Выключить тиристор по анодной цепи, уменьшая напряжение U2. Записать анодный ток удержания тиристора и анодное напряжение, при котором тиристор выключается.
3. Снятие характеристики управления.
|
вблизи точки Iу0, Uу0. 
4.
|
Собрать схему, приведенную на рис.8. Подключить входы «Y» и «X» осциллографа к сигналам, пропорциональным соответственно анодному току и напряжению тиристора. Вход «Y» подключается к резистору Rш, напряжение на котором пропорционально току iа. Масштаб по току mi определяется следующим образом: находится масштаб по напряжению по указателю на переключателе, например 20 мВ/см; затем это значение делится на сопротивление шунта: 
.
Рис.8. Схема включения тиристора на переменном токе:
R1, R2 – делитель напряжения; 
Масштаб по напряжению определяется следующим образом: при помощи эталонного сигнала находится масштаб по напряжению на входе «Х», например, 0,6 В/см; затем это значение умножается на коэффициент делителя 
, равный 4; mu = 0,6 В/см * 4 = 2,4 В/см.
Установить максимальное напряжение в анодной цепи тиристора. Затем, изменяя ток управления, зарисовать несколько анодных вольтамперных характеристик (рис.5). Записать значения токов управления, при которых сняты характеристики. На характеристиках показать напряжения переключения тиристора Uпк.
Зарисовать диодную вольтамперную характеристику тиристора без делителя напряжения R1 – R2. Для этого вход “Х” осциллографа подключить к точкам 6–9. Выставить ток управления больше значения отпирающего тока. По характеристике определить пороговое напряжение Uпор, прямое падение напряжения при максимальном токе Uпр, дифференциальное сопротивление Ri = DUпр / DIпр (рис.9).
Похожие работы
... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...
... интегральным микросхемам. Они позволяют выполнять логическую обработку большого числа сигналов, воспроизводить сложные функции усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Тиристор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, содержащий три или более р-п-перехода. По числу внешних электродов тиристоры делятся на: двухэлектродные – динисторы и трехэлектродные – тринисторы. ...
... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
0 комментариев