5. Исследование однофазного управляемого выпрямителя.
Схема выпрямителя приведена на рис.3. Делитель R1–R2 отключен. Тиристор управляется постоянным током управления. Зарисовать осциллограммы тока iа, входного напряжения выпрямителя u2, анодного напряжения тиристора ua(uак) и напряжения на нагрузке uн для двух значений тока управления. На рис.10 приведены временные диаграммы работы выпрямителя при токе управления Iу > Iу0, когда тиристор работает в диодном режиме; на рис.11 – при токе управления Iу < Iу0.
Среднее значение выпрямленного напряжения на нагрузке определяется по формуле: . Среднее значение выпрямленного тока: .
Рис.10. Временные диаграммы работы выпрямителя для Iу > Iу0
Рис.11. Временные диаграммы работы выпрямителя для Iу < Iу0
Контрольные вопросы
1. Как определить отпирающий ток управления тиристора?
2. Почему с ростом тока управления уменьшается напряжение переключения?
3. Почему процесс включения тиристора происходит лавинообразно?
4. Как влияет температура на характеристики управления и анодные?
5. Можно ли выключить однооперационный тиристор при помощи цепи управления?
6. Пояснить работу выпрямителя однофазного тока.
7. Сравнить диапазоны регулирования момента включения тиристора при управлении постоянным током, синусоидальным (амплитудный способ) и импульсным.
Таблица вариантов
№ вар. | U2m, B | Rн, Ом | α | № вар. | U2m, B | Rн, Ом | α |
1 | 15 | 100 | 30 | 13 | 25 | 150 | 30 |
2 | 20 | 120 | 40 | 14 | 30 | 170 | 40 |
3 | 25 | 140 | 50 | 15 | 35 | 130 | 50 |
4 | 30 | 160 | 60 | 16 | 40 | 180 | 60 |
5 | 35 | 180 | 70 | 17 | 45 | 200 | 70 |
6 | 40 | 200 | 80 | 18 | 50 | 170 | 80 |
7 | 45 | 100 | 90 | 19 | 55 | 130 | 90 |
8 | 50 | 120 | 100 | 20 | 60 | 200 | 100 |
9 | 55 | 140 | 110 | 21 | 20 | 210 | 110 |
10 | 60 | 160 | 120 | 22 | 40 | 220 | 120 |
11 | 15 | 120 | 130 | 23 | 15 | 120 | 130 |
12 | 20 | 130 | 140 | 24 | 20 | 140 | 140 |
Примечания:
1. Студенты, получившие подвариант А, рассчитывают и строят зависимость Ud = F(α); подвариант Б – рассчитывают и строят зависимость Id = F(α); подвариант В – временные диаграммы u2(t), uн(t), id(t), iу(t).
2. При расчете принимать Rн=120 Ом.
Работа №5
Исследование дифференциального включения операционного усилителя
Цель работы
Изучение характеристик и параметров дифференциального включения операционного усилителя.
Теоретическая частьПодключение сигнала Uвх1 аналогично подключению его в инвертирующем усилителе (рис.1). Второй сигнал Uвх2 поступает на неинвертирующий вход в точку 3. Резисторами R5–R7 создается делитель напряжения на этом входе. Из-за идеальности ОУ потенциалы точек 2 и 3 одинаковы, поэтому напряжение в этих точках можно приравнять: U2 = U3. Определение напряжений U2 и U3 показано ниже. При дифференциальном включении операционного усилителя (ОУ) используется два входа усилителя: инвертирующий и неинвертирующий. Для того чтобы усилитель работал на линейном участке амплитудной характеристики, необходимо охватить его отрицательной обратной связью. Обратная связь осуществляется так же, как и в инвертирующем усилителе. Напряжение с точек 6–12 через сопротивление обратной связи Rос1 поступает в точки 2–12. В результате получается параллельная обратная связь по напряжению.
(1)
(2)
(3)
(4)
После преобразования с учетом выражения (4) получается значение выходного напряжения:
(5)
Согласно полученному выражению выходного напряжения получаются следующие значения масштабных коэффициентов К1 и К2:
; , (6)
. (7)
Пусть Rос1= R4 и R7 = R5, тогда
. (8)
Если Rос1= nR4 и R7 = nR5, то значение выходного напряжения зависит от значения n:
. (9)
Вид амплитудной характеристики усилителя зависит от соотношения слагаемых выражения (7), так как может быть инвертирующего вида либо неинвертирующего.
|
Экспериментальная часть
... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...
... интегральным микросхемам. Они позволяют выполнять логическую обработку большого числа сигналов, воспроизводить сложные функции усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Тиристор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, содержащий три или более р-п-перехода. По числу внешних электродов тиристоры делятся на: двухэлектродные – динисторы и трехэлектродные – тринисторы. ...
... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
0 комментариев