Современное состояние разработок усилителей мощности миллиметрового диапазона длин волн
Анализ требований к импульсному модулятору для ЛБВ
Разработка и обоснование структурной схемы проектируемого устройства
Структурные схемы источника питания и выбор элементной базы
А) - вариант с импульсным трансформатором
Расчет электрический основных узлов источника питания
Толщина катушки, включающая в себя обмотки, каркас и электроизоляционные зазоры
Масса второй обмотки
ОХРАНА ТРУДА И ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ
Применение электромагнитных помещенй и замкнутых экранов для защиты от электромагнитных полей
Технико-экономическое обоснование
Определение себестоимости товара и рыночной цены
Расчет затрат у производителя
Расчет затрат у потребителя
Навигация
Определение себестоимости товара и рыночной цены
Усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн
108385
знаков
14
таблиц
13
изображений
6.3 Определение себестоимости товара и рыночной цены
В самом общем виде в состав затрат включаются материалы, комплектующие изделия, заработная плата персонала, износ специнструментов и приспособлений, расходы по содержанию и эксплуатации оборудования [12]. Для производства представленного устройства необходимы комплектующие приведенные в таблице 6.3.
Таблица 6.3- Расчет затрат на материалы и комплектующие изделия
| № | Нименование комплектующих | Количество, шт | Цена за ед., тыс. руб. | Сумма |
| 1 | Корпус | 1 | 130 | 130 |
| 2 | Ип-1 | 1 | 216 | 216 |
| 3 | Ип-2 | 1 | 67,5 | 67,5 |
| 4 | Ус-1 | 1 | 108 | 108 |
| 5 | Прочие радиодетали | 540 | 540 | |
| 6 | Флюс и припой | 20,5 | 20,5 | |
| Итого: | 848 | |||
Для изделий электронной техники удельные веса прямых затрат в полной себестоимости составляют:
Ум = 10%;
Уук = 75%;
Уз = 15%.
Таким образом можем определить величину затрат Рм и Рз:
Полную себестоимость изделия определим по укрупненной схеме формуле:
(6.3)
где: a = 2,1 – коэффициент общих косвенных расходов;
b = 0,03 – коэффициент внепроизводственных расходов, связанных с
реализацией продукции;
Нс – налоги и отчисления, приравниваемые к материальным затратам.
(6.4)
где: Рзд – величина дополнительной заработной платы
производственных рабочих (30% от Рз);
Рпк – основная и дополнительная заработная плата прочих работников
(130% от Рз + Рзд).
Рзд и Рпк определяем по формулам:
Рзд = Рз×0,3 = 113.06×0,3 = 33.91тыс. руб.
Рпк = (Рз + Рзд)×1,3 = (113.06+33.91)×1,3 = 191.07тыс. руб.
Соответственно Нс равно:
Нс = (113.06+ 33.91+191.07)×0,4 = 135.21тыс.руб.
Теперь рассчитываем Ц:
Ц = (169.6+ 848.8+ 113.06(1+2,1))(1 + 0,03) + 135.21= 1545.16тыс. руб.
Цену одного изделия определяем как:
Цизд = Ц + Пп + Омб + Орб + НДС (6.5)
Пп = 15% от Ц (6.6)
Oмб= (Ц+ Пп)×Нмб/(100% - Нмб) (6.7)
где Нмб= 2%.
Oрб = (Ц + Пп + Омб)×Нрб/(100% - Нрб) (6.8)
где Нрб = 2,5%
НДС = (Ц + Пп + Омб + Орб)×Ндс/100% (6.9)
где Ндс = 20%.
Пп = 1545.16×0,15 = 231.77тыс. руб.
Oмб = 219.36 тыс. руб.
Oрб= 223.83 тыс. руб.
НДС = 2238.38 тыс. руб.
Цизд = 4458.5 тыс. руб.
Похожие работы
... шумы анализатора), называют динамическим диапазоном по комбинационным помехам . Динамический диапазон по комбинационным помехам в анализаторах спектра миллиметрового диапазона волн в основном определяются КВЧ преобразователями входных сигналов. Исторически на начальных этапах освоения мм диапазона длин волн предпочтение отдавалось гармониковым преобразователям частоты и анализаторам ...
... , то необходимость в дополнительной линии передачи вообще отпадает при передаче энергии на сотни километров, поскольку вся излучаемая энергия может быть перехвачена приемным устройством с апертурой приемлемых размеров. В диапазоне субмиллиметровых волн отношение допустимых размеров апертур к длине волны заметно уменьшается, тем не менее в ряде случаев подобные квазиоптические линии передачи могут ...
... снизить вероятность возникновения пожаров на данном объекте. ЗАКЛЮЧЕНИЕ С целью обеспечения безопасности движения речного транспорта в камере шлюза Усть-Каменогорской гидроэлектростанции в данном дипломном проекте была разработана радиолокационная станция обнаружения надводных целей, она гораздо эффективнее, чем, например система видео наблюдения. Были рассчитаны основные тактико- ...
ного слоя (рис. 2), перемещающегося вдоль образца от катода к аноду. Рис.1. Аппроксимированная зависимость дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для GaAs. Рис.2. К пояснению процесса формирования слоя накопления в однородно легированном GaAs. Под катодом понимается контакт к образцу, на который подан отрицательный потенциал. Возникающие при этом ...
0 комментариев