15. Толщина катушки, включающая в себя обмотки, каркас и электроизоляционные зазоры,
h = 0,4 + 0,8 + 0,24 + 0,012 + 5,612 + 0,24 + 0,012 +1,2+ +0,24 +
0,012+0,12 = 8,888 мм. (23)
Таблица 4.3- Рекомендации по выбору межслоевой и межобмоточной изоляци и расчетных коэффициентов
Иаметр провода по изоляции с dиз, Мм | Коэффициент укладки провода Kу | Коэффициент разбухания Kp | Наименование межслоевой изоляции | Толщина межслоевой изоляции Мм | ГОСТ на Бумагу |
0,07. ..0.20 | 0.83 | 1,1 | Бумага конденсаторная марки КОН-2 | 0,022 | ГОСТ 1908-88 |
0,21. ..0.28 | 0,86 | 1.1 | 0,022 | ||
0,30... 0,38 | 0.92 | 1,1 | Бумага электроизоляционная намоточная марки ЭН-50 | 0,050 | ГОСТ 1931-80 |
0,41.. .0,64 | 0,93 | 1,1 | 0,050 | ||
0.66... 0.99 | 0,95 | 1,15 | Бумага кабельная марки К-120 | 0,120 | ГОСТ 23436-83 |
Более 0,99 | 0,87 | 1,15 | 0.120 |
Полученное значение h меньше минимального размера окна маг-литопровода hо = 9 мм, что обеспечивает размещение катушки в окне.
16. Длины средних витков обмоток
16.1. Длина среднего витка первой обмотки
Lср1 = 2а + 2с + 2п(гк + h k-1 + h1/2) = 2 • 12,8 + 2 • 16 + 2п(1,2+ +0,252 + 5,612/2) = 84,353 мм. (24)
16.2. Длина среднего витка второй обмотки
Lср2 = 2а + 2с + 2п(гк + h k-1 + h1 + h1-2 + h2/2) = 2 • 12,8 + 2 • 16 + 2п(1,2 + 0,252 + 5,612 + 0,252 + 1,2 / 2) = 107,336 мм. (25)
Длина среднего витка третьей обмотки
Lср3 = Lср1 = 84,353 мм (26)
17. Сопротивление обмоток постоянному току при температуре окружающей среды tос = +20°С.
Сопротивление первой обмотки
R1 = * Lср1 * 2 * n1 / q1 (27)
где — удельное электрическое сопротивление медного провода, равное 0,0175 Ом • мм2/м;
q1 — сечение провода первой обмотки из п. 6.1 (два провода по 0,5 мм2);
R1 = 0.0175 * 84.353 * 0.001* 2 * 32.5 / 1= 0.096 Ом
17.2. Сопротивление второй обмотки
R2 = * Lср2 * n2 / q2 = 0,0175 * 107,336 * 0.001 * 1 / 25
=0.000075 Ом (28)
17.3. Сопротивление третьей обмотки
R3 = * Lср3 * n3 / q3 = 0,0175 * 84.353 * 0.001 * 2.5 / 0.196 =0.0187 Ом (29)
18. Сопротивление обмоток переменному току
R_i = K_i * Ri (30)
где K_i — коэффициент увеличения активного сопротивления от частоты f, определяемый по i — 1; 2; 3.
18.1. Сопротивление первой обмотки
R_1 = К_1 *R1 = 1,18 • 0,096 = 0,113 Ом, (31)
где К_ определен для d = 0,8 мм при частоте f = 50 кГц.
18 2 Сопротивление второй обмотки
R_2 = К_2 * R2 = 1,18-7,5 * 10-5 = 8,85 * 10-5 Ом, (32)
где К_определен для d = 1,0 мм. при частоте f = 50 кГц.
18.3. Сопротивление третьей обмотки
R_3 = К_3 * R3 = 1,05-0,0183 = 0,0192 Ом. (33)
Масса меди обмоток
Масса первой обмотки
M1 = Lср1 * n1 * q1 * y (34)
где y — удельная масса медного провода, равная 8,9 г/см;
М1 = 84,353 * 0.1(2 * 32,5) - 1 – 0.01 - 8,9 = 0,0488 кг.
... шумы анализатора), называют динамическим диапазоном по комбинационным помехам . Динамический диапазон по комбинационным помехам в анализаторах спектра миллиметрового диапазона волн в основном определяются КВЧ преобразователями входных сигналов. Исторически на начальных этапах освоения мм диапазона длин волн предпочтение отдавалось гармониковым преобразователям частоты и анализаторам ...
... , то необходимость в дополнительной линии передачи вообще отпадает при передаче энергии на сотни километров, поскольку вся излучаемая энергия может быть перехвачена приемным устройством с апертурой приемлемых размеров. В диапазоне субмиллиметровых волн отношение допустимых размеров апертур к длине волны заметно уменьшается, тем не менее в ряде случаев подобные квазиоптические линии передачи могут ...
... снизить вероятность возникновения пожаров на данном объекте. ЗАКЛЮЧЕНИЕ С целью обеспечения безопасности движения речного транспорта в камере шлюза Усть-Каменогорской гидроэлектростанции в данном дипломном проекте была разработана радиолокационная станция обнаружения надводных целей, она гораздо эффективнее, чем, например система видео наблюдения. Были рассчитаны основные тактико- ...
ного слоя (рис. 2), перемещающегося вдоль образца от катода к аноду. Рис.1. Аппроксимированная зависимость дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для GaAs. Рис.2. К пояснению процесса формирования слоя накопления в однородно легированном GaAs. Под катодом понимается контакт к образцу, на который подан отрицательный потенциал. Возникающие при этом ...
0 комментариев