СКЛАДНИЙ ПАРАЛЕЛЬНИЙ КОНТУР.
ІНДУКТИВНО-ЗВ'ЯЗАНІ ЕЛЕКТРИЧНІ КОЛА
Вступ
Схема паралельного резонансного контуру може бути подана в узагальненому вигляді (рис.1, а). Для резонансної частоти повинна виконуватися умова:
. (1)
У схемі (рис.1, б), яку було розглянуто раніше, до однієї гілки () входить індуктивність, а до іншої () – ємність. Така схема зветься контуром першого виду (або контуром з повним увімкненням, або простим паралельним контуром). Загалом опори та можуть являти собою ті чи інші сполучення індуктивностей та ємностей. Але вони повинні складати схему таким чином, щоб виконувалася умова резонансу (1).
Рисунок 1На рис.1, в наведено варіант схеми, в якій одна гілка містить тільки індуктивність , а інша – індуктивність та ємність C. Таку схему називають контуром другого виду або контуром з розподіленою індуктивністю. В контурі третього виду (з розподіленою ємністю) (рис.1, г) до однієї гілки увімкнено тільки ємність , а до іншої – ємність та індуктивність L. Контури другого та третього видів звуться також складними або контурами з частковим увімкненням.
Знайдемо вхідний (еквівалентний) опір складного контуру:
.
Для контурів з високою добротністю . Тоді:
.
Обчислимо еквівалентний резонансний опір. Оскільки при виконується умова (1), матимемо:
,
де – активний опір паралельного контуру при послідовному обході; – реактивний опір гілки, яка містить реактивність одного характеру.
Позначимо величину – коефіцієнт увімкнення і запишемо вираз для еквівалентного резонансного опору складного контуру:
. (2)
Знайдемо формули для розрахунку резонансної частоти та коефіцієнта увімкнення для контурів другого і третього видів.
1. Контур ІІ виду. Резонансна частота визначається з формули (1):
,
звідки маємо:
, (3)
де – повна індуктивність контуру.
Знаючи резонансну частоту, знаходимо коефіцієнт увімкнення:
.
2. Контур ІІІ виду. Формула (1) є справедливою і в цьому разі:
.
Отже, резонансна частота становитиме:
, (4)
де – повна ємність контуру.
Коефіцієнт увімкнення дорівнюватиме:
.
Оскільки коефіцієнт увімкнення менший одиниці, робимо висновок, що часткове увімкнення дозволяє у разів зменшити резонансний опір паралельного контуру порівняно з повним увімкненням.
1. Частотні характеристики повного опору складних паралельних контурів
Характерною рисою складних паралельних контурів є те, що поряд з резонансом струмів у контурі можливі резонанси напруг у гілках. Тому на відміну від простого контуру, частотна залежність повного опору складного контуру має два екстремуми (рис.2, а відповідає контуру другого, а рис. 2, б – контуру третього виду).
Рисунок 2Для контуру ІІ виду частота паралельного резонансу визначається за формулою (3):
,
а частота послідовного резонансу – за формулою:
.
З цих співвідношень видно, що оскільки , то .
Для контуру ІІІ виду за формулою (4) знаходимо:
;
.
Оскільки , то .
Висновок: частотні характеристики складного контуру дозволяють використовувати його для пропускання сигналів одних частот та послаблення сигналів інших частот.
2. Індуктивно-зв'язані електричні кола
Зв'язані електричні кола – електричні кола, процеси в яких впливають один на одного через спільне магнітне чи електричне поле.
В індуктивно-зв'язаних електричних колах процеси впливають один на одного через спільне магнітне поле.
... ється в p і n областях: lp-n = lp + ln: , звідси , де ε – відносна діелектрична проникність матеріалу напівпровідника; ε0 — діелектрична постійна вільного простору. Товщина електронно-діркових переходів має порядок (0,1-10)мкм. Якщо , то і p-n-перехід називається симетричним, якщо , то і p-n-перехід називається несиметричним, причому він в основному розташовується у області напі ...
... або телефонного паперу змазати клеєм БФ-2. Поверхня ізоляції шпильки покрити ізоляційним лаком БТ-99 і просушити на повітрі протягом 3 годин. Розділ 4. Технічне обслуговування й ремонт електричних машин 4.1 Обсяг робіт по технічному обслуговуванню й ремонту Найважливішою умовою правильної експлуатації електричних машин є своєчасне проведення планово-попереджувальних ремонтів і періодичних ...
... 4. Як графічно позначаються польові транзистори? Інструкційна картка №9 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки» І. Тема: 2 Електронні прилади 2.4 Електровакуумні та іонні прилади Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумово ...
... івнює , а в домішкових напівпровідниках має зміст енергії іонізації донорів чи акцепторів. Отже, питома електропровідність напівпровідників експоненційно збільшується з ростом температури, чим останні принципово відрізняються від металів. Розділ VII. Фізика ядра та елементарних часток. § 7.1. Склад і характеристики ядра Ядро атома, як центральну позитивно заряджену масивну частину атома, ...
0 комментариев