Полупроводники с электронной электропроводностью
ТОКИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
Прямое включение p-n перехода
Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
Емкости p-n перехода
Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
Явления на поверхности полупроводника
Стабилитроны и стабисторы
Варикапы
Физические процессы в бездрейфовом биполярном
Статические характеристики биполярных транзисторов
Влияние температуры на статические характеристики БТ
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
Работа транзистора в режиме переключения
Полевой транзистор с p-n переходом
Полевой транзистор с изолированным затвором
Навигация
Влияние температуры на статические характеристики БТ
Физические основы электроники
127540
знаков
21
таблица
0
изображений
3.2.3 Влияние температуры на статические характеристики БТ
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой
.
С ростом температуры тепловой ток IЭО растет быстрее, чем убывает экспонента из-за увеличения jТ = kT/q. В результате противоположного влияния двух факторов входные характеристики схемы с ОБ смещаются влево при выбранном токе IЭ на величину DU » (1...2) мВ/°С (рисунок 3.7,а).
Начало входной характеристики в схеме с ОЭ определяется тепловым током коллекторного перехода IКБО который сильно зависит от температуры, так что начало характеристики при увеличении температуры опускается (рисунок 3.7, б).
| а) | б) |
| Рисунок 3.7 Зависимость входных характеристик от температуры для схем ОБ (а) и ОЭ (б). | |
Влияние температуры на выходные характеристики схем с ОБ и ОЭ в НАР удобно анализировать по формулам (3.11) и (3.22):
и .
Снятие выходных характеристик при различных температурах должно проводиться при поддержании постоянства параметров (IЭ = const в схеме с ОБ и IБ = const в схеме с ОЭ). Поэтому в схеме с ОБ при IЭ = const рост IК будет определяться только увеличением IКБО (рисунок 3.8, а).
| а) | б) |
| Рисунок 3.8 Зависимость выходных характеристик БТ от температуры для схем включения с ОБ (а) и ОЭ (б). | |
Однако обычно IКБО значительно меньше aIЭ, изменение IК составляет доли процента и его можно не учитывать.
В схеме с ОЭ положение иное. Здесь параметром является IБ и его надо поддерживать неизменным при изменении температуры. Будем считать в первом приближении, что коэффициент передачи b не зависит от температуры. Постоянство bIБ означает, что температурная зависимость IК будет определяться слагаемым (b + 1)IКБО. Ток IКБО (как тепловой ток перехода) примерно удваивается при увеличении температуры на 10°С, и при b >> 1 прирост тока (b + 1)IКБО может оказаться сравнимым с исходным значением коллекторного тока и даже превысить его.
На рисунке 3.8,б показано большое смещение выходных характеристик вверх. Сильное влияние температуры на выходные характеристики в схеме с ОЭ может привести к потере работоспособности конкретных устройств, если не принять схемотехнические меры для стабилизации тока или термостатирование.
3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора
Статические характеристики и их семейства наглядно связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них. Однако часто возникает задача установить количественные связи между небольшими изменениями (дифференциалами) этих величин от их исходных значений. Эти связи характеризуют коэффициентами пропорциональности -дифференциальными параметрами.
Рассмотрим процедуру введения дифференциальных параметров БТ на примере наиболее распространенных h-параметров, приводимых в справочниках по транзисторам. Для введения этой системы параметров в качестве независимых переменных при описании статического режима берут входной ток IВХ (IЭ или IБ) и выходное напряжение UВЫХ (UKБ или (UКЭ):
U1= f (I1,U2) (3.23)
I2= f (I1,U2)
В этом случае полные дифференциалы
(3.24)
Частные производные в выражениях (3.24) и являются дифференциальными h-napaметрами, т.е.
dU1=h11 d I1 +h12 dU2 (3.25)
dI2=h21 dI1 + h22 dU2
(h11 -входное сопротивление, h12 -коэффициент обратной передачи, h21 -коэффициент передачи входного тока и h22 -выходная проводимость). Названия и обозначения этих параметров взяты из теории четырехполюсников для переменного тока.
Приращения статических величин в нашем случае имитируют переменные токи и напряжения.
Для схемы с общей базой
dUЭБ=h11Б d IЭ +h12Б dUКБ (3.26)
dIК=h21Б dIЭ + h22Б dUКБ
Эти уравнения устанавливают и способ нахождения по статическим характеристикам, и метод измерения h-параметров. Полагая dUКБ = 0, т.е. UКБ = const, можно найти h11Б и h21Б, а считая dIЭ = 0, т. е. IЭ = const. определить h12Б и h22Б.
Аналогично для схемы с общим эмиттером можно переписать (3.26) в виде
dUБЭ=h11Э d IБ +h12Э dUКЭ (3.27)
dIК=h21Э dIБ + h22Э dUКЭ
Связь h-параметров со статическими характеристиками схем с ОБ и ОЭ и их определение по ним рассмотрены в [4].
Похожие работы
... условиям эксплуатации и конструктивным показателям, могут образовывать семейства серий интегральных схем. 2. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ Логические и запоминающие элементы составляют основу устройств цифровой обработки информации – вычислительных машин, цифровых измерительных приборов и устройств автоматики. Логические элементы выполняют простейшие логические ...
... соединение “точка-точка” со скоростью до 3 Гб/с. 6. Как работают программы восстановления данных Каждый только что удаленный файл все еще находится на жестком диске, но Windows его больше не видит. Если программе восстановления данных необходимо восстановить этот файл, она просматривает загрузочный сектор раздела (Partition Boot Sector). В нем содержится вся информация о строении раздела, ...
... электротехнических и электронных устройств, в которых используется явление резонанса напряжения. Литература 1. Иванов И.И., Равдоник В.С. Электротехника. - М.: Высшая школа, 1984, с.53 - 58. 2. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. - М.: Энергоатомиздат, 1983, с.73 - 77. Лабораторная работа №5 КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ Цель работы. Ознакомление с методом повышения ...
... корпускулярные свойства его света, а волновые себя практически не проявляли. Впрочем, это и следует из таблицы.Полупроводниковые устройства. Для начала рассмотрим принцип действия полупроводниковых приборов. Поскольку для компьютера наиболее важными является транзисторы, именно ими мы рассмотрение полупроводниковых устройств и ограничим. Полупроводниками называют группу элементов и их соединений, ...
0 комментариев