2.2 ОПИСАНИЕ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА
На рисунке 1.1 приведена принципиальная электрическая схема ба-
зового элемента ЭСЛ-типа с напряжением питания Еп1=-5.0 В, с источни-
ком опорного напряжения Еоп =-1,2 В и вспомогательным Еп2 =-2.0 В. По
выходу У1 реализуется функция "И-НЕ" (инверсный выход), по выходу У2
реализуется функция "И" (прямой выход). Схема элемента состоит из то-
кового переключателя,содержащего две ветви: первая ветвь на транзис-
торах Т1,Т2; вторая - на транзисторе Т3. Мощность токового переключа-
теля равняется 10 мВт.
Логические уровни "0" и "1" - 0,8 и 1,6 В соответственно.
2.3. ПРИНЦИП РАБОТЫ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА
Случай 1: На все входы элемента одновременно подаются сигналы
соответствующие логической единице, транзисторы Т1 и Т2 закрываются,
а транзистор Т3 открывается, так как напряжение на его базе выше, чем
на базах транзисторов Т1,Т2, и через него проходит ток, задаваемый
сопротивлением Rо. Этот ток, уменьшенный на значение тока базы тран-
зистора Т3, создает на сопротивлении Rк2 падение напряжения,равное
-0,8 В. С учетом падения напряжения на переходе база-эмитер транзис-
торов эмитерных повторителей Uбэо=-0,8 В получим на прямом выходе
-1.6 В, а на инверсном выходе - 0,8 В .
Случай 2: На один вход элемента, например вход 1, подается сиг-
нал, соответствующий логическому нулю, транзистор Т1 открывается, а
транзистор Т3 закрывается. В этом случае на прямом выходе У2 уровень
напряжения будет -0,8 В, а на инверсном -1,6 В.
- 5 -
ОПИСАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Транзисторы элемента работают в диапазоне от -1,3В до -0,3В. В
активной области меньше -1,3 В транзисторы работают в отсечке, выше
-0,3 В входят в режим насыщения.Транзисторы работают в ненасыщенном
режиме, благодаря чему из задержек переключения исключается рассасы-
вание заряда в транзисторе, увеличивается скорость переключения из
одного логического состояния в другое. Порог переключения элемента
составляет -1,2 В. Выходные эмиттерные повторители обеспечивают малое
выходное сопротивление микросхемы, что удобно при согласовании эле-
ментов в процессе построения многокаскадных схем. Сопротивление Rк1 =
365 Ом выбрано меньше сопротивления Rк2 = 416 Ом из-за разницы напря-
жений на базах в токовом переключателе, так на базах транзисторов
Т1,Т2 напряжение -0,8 В а на базе Т3 постоянно -1,2 В. Если допустить
изменение сопротивления Rк1 в большую сторону, то увеличится напряже-
ние на базе соответствующего эмиттерного повторителя и он призакроет-
ся,и если транзистор Т1 или Т2 открыты,то увеличится напряжение на
инверсном выходе. (В этом и последнем предложении напряжение рассмат-
ривается как разность потенциалов).
В случае изменения сопротивления Rк2 - ситуация аналогична, из-
менение сопротивления Rо в большую сторону приводит к уменьшению то-
ка,протекающего по открытому транзистору,и уменьшению напряжения на
базе эмиттерного повторителя, соответственно уменьшается выходное
напряжение.
ОПИСАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Динамические параметры базового элемента зависят от сопротивле-
ния и емкости нагрузки. При емкости нагрузки, равной нулю, и увеличе-
нии сопротивления нагрузки,время фронта нарастания и спада сигнала, а
также время переключения элемента - уменьшается. Это происходит из-за
того, что уменьшается входная емкость и вместе с ней время переходно-
го процесса. Но при емкости нагрузки, отличной от нуля, характер пе-
реходных процессов изменяется. Время фронта Uвых(t+) при увеличении
сопротивления нагрузки продолжает немного уменьшаться, а время фронта
и время переключения Uвых(t-) начинает рости, и колебательный процесс
на выходе Uвых(t+) становится более выраженным. Для уравнивания вре-
мени переключения с "1" в "0" и с "0" в "1", а также для уменьшения
бросков напряжения на Uвых(t+) при переходных процессах выбирается
Rн=100 Ом.
- 6 -
3. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
3.1. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА
Важнейшими характеристиками ИМС серии 500 являются входная,пере-
даточная и выходная характеристики.
ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Входная характеристика используется для определения нагрузочной
способности элементов при работе на аналогичные элементы или при под-
ключении их в качестве нагрузки к специальным элементам , а также для
оценки помехозащищенности элементов. Входная характеристика представ-
ляет собой зависимость входного тока от входного напряжения.
На входной характеристике ЭСЛ элемента можно выделить четыре об-
ласти, соответствующие четырем возможным режимам работы входной цепи
ИС: 1 - входной транзистор закрыт ; входной ток определяется сопро-
тивлением базового резистора,подключенного ко входу; 2 - происходит
отпирание входного транзистора; нелинейный участок определяется воз-
растающим базовым током входного транзистора; 3 - входной транзистор
открыт; входной ток незначительно увеличивается из-за увеличения
эмиттерного тока ТП и увеличения тока через базовый резистор; 4 -
входной транзистор открыт до насыщения; базовый ток транзистора зна-
чительно увеличивается при повышении входного напряжения (режим нера-
бочий).
ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Передаточная характеристика представляет собой зависимость вы-
ходного напряжения микросхем от входного напряжения при переключении
схемы из одного состояния в другое. На передаточной хапрактеристике
можно выделить четыре области : 1 - область установившгося значения
низкого выходного напряжения лог."1" для прямого и высокого напряже-
ния лог."0" для инверсного выходов; 2-зона переключения из "1" в "0"
для прямого и из "0" в "1" инверсного выходов ; 3 - область устано-
вившегося значения "0" для прямого и "1" для инверсного выходов ( в
этой области характеристика имеет некоторый наклон, вследствие неиде-
альности генератора тока ТП ) ; 4 - область насыщения для инверснго
плеча ТП.
Передаточная характеристика основного элемента может быть ис-
пользована для анализа выходных уровней напряжения в различных режи-
мах работы , оценки формирующих средств и помехозащищенности элемен-
тов , определения их совместной работы с другими логическими элемен-
тами или специальными элементами.
- 7 -
Для всех расчетов статических и динамических параметров базового
элемента принят вариант его работы:
Вариант работы: Ро= Сн= M= 6
┌───────────────────────────────────────────────────────────────────┐
│ Расчёт статического режима работы ЛЭ ЭСЛ │
│ │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 100 Ом E1= -4.5 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├─────────────────────────── E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 0) = 400.00 Ом RK1( 0) = 111.56 Ом RK2( 0) = 129.64 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = 99.01 мкА Iнбэп = 19.80 мкА │
│ Iвэп = 10.00 мА Iнэп = 2.00 мА │
│ Pвэп = 10.00 мВт Pнэп = 2.00 мВт │
│ Pсум = 37.00 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 1) = 400.00 Ом RK1( 1) = 111.56 Ом RK2( 1) = 129.64 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = 118.81 мкА Iнбэп = 39.60 мкА │
│ Iвэп = 12.00 мА Iнэп = 4.00 мА │
│ Pвэп = 24.00 мВт Pнэп = 8.00 мВт │
│ Pсум = 57.00 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 2) = 400.00 Ом RK1( 2) = 111.56 Ом RK2( 2) = 129.64 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = 138.61 мкА Iнбэп = 59.41 мкА │
│ Iвэп = 14.00 мА Iнэп = 6.00 мА │
│ Pвэп = 28.00 мВт Pнэп = 12.00 мВт │
│ Pсум = 65.00 мВт Po = 25.00 мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 100 Ом E1= -5.0 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
- 8 -
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├─────────────────────────── E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 3) = 600.00 Ом RK1( 3) = 143.18 Ом RK2( 3) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = 99.01 мкА Iнбэп = 19.80 мкА │
│ Iвэп = 10.00 мА Iнэп = 2.00 мА │
│ Pвэп = 10.00 мВт Pнэп = 2.00 мВт │
│ Pсум = 37.00 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 4) = 600.00 Ом RK1( 4) = 143.18 Ом RK2( 4) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = 118.81 мкА Iнбэп = 39.60 мкА │
│ Iвэп = 12.00 мА Iнэп = 4.00 мА │
│ Pвэп = 24.00 мВт Pнэп = 8.00 мВт │
│ Pсум = 57.00 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 5) = 600.00 Ом RK1( 5) = 143.18 Ом RK2( 5) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = 138.61 мкА Iнбэп = 59.41 мкА │
│ Iвэп = 14.00 мА Iнэп = 6.00 мА │
│ Pвэп = 28.00 мВт Pнэп = 12.00 мВт │
│ Pсум = 65.00 мВт Po = 25.00 мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 100 Ом E1= -5.5 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├─────────────────────────── E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 6) = 700.00 Ом RK1( 6) = 145.66 Ом RK2( 6) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.57 мА Io*H = 4.43 мА │
│ Iвбэп = 99.01 мкА Iнбэп = 19.80 мкА │
│ Iвэп = 10.00 мА Iнэп = 2.00 мА │
│ Pвэп = 10.00 мВт Pнэп = 2.00 мВт │
│ Pсум = 37.00 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 7) = 700.00 Ом RK1( 7) = 145.66 Ом RK2( 7) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.57 мА Io*H = 4.43 мА │
│ Iвбэп = 118.81 мкА Iнбэп = 39.60 мкА │
│ Iвэп = 12.00 мА Iнэп = 4.00 мА │
│ Pвэп = 24.00 мВт Pнэп = 8.00 мВт │
│ Pсум = 57.00 мВт Po = 25.00 мВт │
└───────────────────────────────────────────────────────────────────┘
- 9 -
├─────────────────────────── E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 8) = 700.00 Ом RK1( 8) = 145.66 Ом RK2( 8) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.57 мА Io*H = 4.43 мА │
│ Iвбэп = 138.61 мкА Iнбэп = 59.41 мкА │
│ Iвэп = 14.00 мА Iнэп = 6.00 мА │
│ Pвэп = 28.00 мВт Pнэп = 12.00 мВт │
│ Pсум = 65.00 мВт Po = 25.00 мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 1000 Ом E1= -4.5 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├─────────────────────────── E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 9) = 400.00 Ом RK1( 9) = 109.94 Ом RK2( 9) = 127.46 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = -33.25 мкА Iнбэп = -6.65 мкА │
│ Iвэп = 1.00 мА Iнэп = 0.20 мА │
│ Pвэп = 1.00 мВт Pнэп = 0.20 мВт │
│ Pсум = 26.20 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(10) = 400.00 Ом RK1(10) = 109.94 Ом RK2(10) = 127.46 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = -39.90 мкА Iнбэп = -13.30 мкА │
│ Iвэп = 1.20 мА Iнэп = 0.40 мА │
│ Pвэп = 2.40 мВт Pнэп = 0.80 мВт │
│ Pсум = 28.20 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(11) = 400.00 Ом RK1(11) = 109.94 Ом RK2(11) = 127.46 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = -46.55 мкА Iнбэп = -19.95 мкА │
│ Iвэп = 1.40 мА Iнэп = 0.60 мА │
│ Pвэп = 2.80 мВт Pнэп = 1.20 мВт │
│ Pсум = 29.00 мВт Po = 25.00 мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 1000 Ом E1= -5.0 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├─────────────────────────── E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(12) = 600.00 Ом RK1(12) = 140.52 Ом RK2(12) = 159.15 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = -33.25 мкА Iнбэп = -6.65 мкА │
│ Iвэп = 1.00 мА Iнэп = 0.20 мА │
│ Pвэп = 1.00 мВт Pнэп = 0.20 мВт │
│ Pсум = 26.20 мВт Po = 25.00 мВт │
└───────────────────────────────────────────────────────────────────┘
- 10 -
├─────────────────────────── E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(13) = 600.00 Ом RK1(13) = 140.52 Ом RK2(13) = 159.15 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = -39.90 мкА Iнбэп = -13.30 мкА │
│ Iвэп = 1.20 мА Iнэп = 0.40 мА │
│ Pвэп = 2.40 мВт Pнэп = 0.80 мВт │
│ Pсум = 28.20 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(14) = 600.00 Ом RK1(14) = 140.52 Ом RK2(14) = 159.15 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = -46.55 мкА Iнбэп = -19.95 мкА │
│ Iвэп = 1.40 мА Iнэп = 0.60 мА │
│ Pвэп = 2.80 мВт Pнэп = 1.20 мВт │
│ Pсум = 29.00 мВт Po = 25.00 мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 1000 Ом E1= -5.5 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├─────────────────────────── E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(15) = 700.00 Ом RK1(15) = 142.91 Ом RK2(15) = 159.15 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.57 мА Io*H = 4.43 мА │
│ Iвбэп = -33.25 мкА Iнбэп = -6.65 мкА │
│ Iвэп = 1.00 мА Iнэп = 0.20 мА │
│ Pвэп = 1.00 мВт Pнэп = 0.20 мВт │
│ Pсум = 26.20 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(16) = 700.00 Ом RK1(16) = 142.91 Ом RK2(16) = 159.15 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.57 мА Io*H = 4.43 мА │
│ Iвбэп = -39.90 мкА Iнбэп = -13.30 мкА │
│ Iвэп = 1.20 мА Iнэп = 0.40 мА │
│ Pвэп = 2.40 мВт Pнэп = 0.80 мВт │
│ Pсум = 28.20 мВт Po = 25.00 мВт │
│ │
├─────────────────────────── E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro(17) = 700.00 Ом RK1(17) = 142.91 Ом RK2(17) = 159.15 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.57 мА Io*H = 4.43 мА │
│ Iвбэп = -46.55 мкА Iнбэп = -19.95 мкА │
│ Iвэп = 1.40 мА Iнэп = 0.60 мА │
│ Pвэп = 2.80 мВт Pнэп = 1.20 мВт │
│ Pсум = 29.00 мВт Po = 25.00 мВт │
└───────────────────────────────────────────────────────────────────┘
- 11 -
┌───────────────────────────────────────────────────────────────────┐
│ Расчёт зависимости Uвых и Iвх от Uвх и Е1 │
│ │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
├─────────────────────────── E1= -4.5 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Uвх= -1.6 В Iвх= 0.000 мкА Uвых(пр)= -1.48 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.5 В Iвх= 0.000 мкА Uвых(пр)= -1.48 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.4 В Iвх= 0.013 мкА Uвых(пр)= -1.48 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.3 В Iвх= 0.719 мкА Uвых(пр)= -1.47 В Uвых(инв)= -0.81 В │
│ Uвх= -1.2 В Iвх= 20.833 мкА Uвых(пр)= -1.14 В Uвых(инв)= -1.10 В │
│ Uвх= -1.1 В Iвх= 42.554 мкА Uвых(пр)= -0.81 В Uвых(инв)= -1.41 В │
│ Uвх= -1.0 В Iвх= 44.985 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.44 В │
│ Uвх= -0.9 В Iвх= 46.666 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.47 В │
│ Uвх= -0.8 В Iвх= 48.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.49 В │
│ Uвх= -0.7 В Iвх= 50.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.52 В │
│ Uвх= -0.6 В Iвх= 51.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.54 В │
│ Uвх= -0.5 В Iвх= 53.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.56 В │
│ Uвх= -0.4 В Iвх= 55.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.59 В │
│ Uвх= -0.3 В Iвх= 56.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.61 В │
│ Uвх= -0.2 В Iвх= 58.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.64 В │
│ Uвх= -0.1 В Iвх= 60.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.66 В │
│ Uвх= 0.0 В Iвх= 61.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.68 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ Iвх нас= 0.579 мА │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
├─────────────────────────── E1= -5.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Uвх= -1.6 В Iвх= 0.000 мкА Uвых(пр)= -1.61 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.5 В Iвх= 0.000 мкА Uвых(пр)= -1.61 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.4 В Iвх= 0.016 мкА Uвых(пр)= -1.61 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.3 В Iвх= 0.869 мкА Uвых(пр)= -1.60 В Uвых(инв)= -0.81 В │
│ Uвх= -1.2 В Iвх= 25.000 мкА Uвых(пр)= -1.21 В Uвых(инв)= -1.16 В │
│ Uвх= -1.1 В Iвх= 50.737 мкА Uвых(пр)= -0.81 В Uвых(инв)= -1.53 В │
│ Uвх= -1.0 В Iвх= 53.315 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.56 В │
│ Uвх= -0.9 В Iвх= 55.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.59 В │
│ Uвх= -0.8 В Iвх= 56.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.61 В │
│ Uвх= -0.7 В Iвх= 58.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.64 В │
│ Uвх= -0.6 В Iвх= 60.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.66 В │
│ Uвх= -0.5 В Iвх= 61.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.68 В │
│ Uвх= -0.4 В Iвх= 63.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.71 В │
│ Uвх= -0.3 В Iвх= 65.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.73 В │
│ Uвх= -0.2 В Iвх= 66.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.75 В │
│ Uвх= -0.1 В Iвх= 68.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.78 В │
│ Uвх= 0.0 В Iвх= 70.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.80 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ Iвх нас= 1.413 мА │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
- 12 -
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
├─────────────────────────── E1= -5.5 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Uвх= -1.6 В Iвх= 0.000 мкА Uвых(пр)= -1.75 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.5 В Iвх= 0.000 мкА Uвых(пр)= -1.75 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.4 В Iвх= 0.018 мкА Uвых(пр)= -1.75 В Uвых(инв)= -0.80 В │
│ Uвх= -1.3 В Iвх= 1.019 мкА Uвых(пр)= -1.73 В Uвых(инв)= -0.81 В │
│ Uвх= -1.2 В Iвх= 29.167 мкА Uвых(пр)= -1.27 В Uвых(инв)= -1.22 В │
│ Uвх= -1.1 В Iвх= 58.921 мкА Uвых(пр)= -0.82 В Uвых(инв)= -1.64 В │
│ Uвх= -1.0 В Iвх= 61.646 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.68 В │
│ Uвх= -0.9 В Iвх= 63.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.71 В │
│ Uвх= -0.8 В Iвх= 65.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.73 В │
│ Uвх= -0.7 В Iвх= 66.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.75 В │
│ Uвх= -0.6 В Iвх= 68.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.78 В │
│ Uвх= -0.5 В Iвх= 70.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.80 В │
│ Uвх= -0.4 В Iвх= 71.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.83 В │
│ Uвх= -0.3 В Iвх= 73.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.85 В │
│ Uвх= -0.2 В Iвх= 75.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.87 В │
│ Uвх= -0.1 В Iвх= 76.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.90 В │
│ Uвх= 0.0 В Iвх= 78.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.92 В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ Iвх нас= 2.246 мА │
└───────────────────────────────────────────────────────────────────┘
... 4,5 - 5,5 В (ATmega16) * Рабочая частота 0 - 8 МГц (ATmega16L) 0 - 16 МГц (ATmega16) Рисунок 1.4 – Функциональная схема микроконтроллера ATMega 16L РАЗДЕЛ 2 РАЗРАБОТКА УСТРОЙСТВА АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ СВЕТА Несмотря на бурное развитие сверхъярких светодиодов, в широкой продаже пока не появились светодиодные лампы, способные заменить бытовые лампы накаливания. Получившие ...
... ЭСЛ фирмы Motorola (например, MECL 100, MECL 1000, MECL 10000, MECL 2500). В ходе развития не только улучшались параметры, но и совершенствовалась схемотехника как собственно элемента, так и функциональных узлов, входящих в серии. Логический элемент серии MECL 10000 (иногда ее обозначают MECL 10К) соответствует схеме рис. 3.3, а. Серия MECL 100000 (или, кратко: MECL100K) превосходит по ...
... о выборе лучшего варианта привода принимается на основе сопоставления приведенных затрат на одинаковый объем выпускаемой продукции. В данном проекте необходимо обеспечить регулирование продолжительности времени выпечки с коррекцией по температуре во второй зоне пекарной камеры. При этом необходимо учитывать, что производительность печи при замене системы привода меняться не должна, а также ...
... : быстродействие - время распространения сигнала, напряжение питания, входные и выходные напряжения высокого и низкого уровня. Цель курсового проекта - разработать функциональную и принципиальную схемы для арифметико-логического устройства, выполненного в виде печатной платы, при минимальном количестве логических элементов КМОП и простоте конструкции. 1. Теоретическая часть 1.1 Описание ...
0 комментариев