4. Малое значение логического перепада, что позволяет максимально увеличить быстродействие элемента.
В приведенной схеме, в соответствии с рисунком 11, б, многоколлекторный транзистор VT2 выполняет функцию инвертирования входного сигнала, а транзистор VT1 — генератора (инжектора) базового тока транзистора VT2. К особенностям элемента следует отнести и постоянство тока инжектора во всех режимах работы элемента. Ток инжектора задается резистором R, который, как правило, выполняется общим на группу элементов.
В соответствии с рисунком 11,а видно, что транзистор VT1 образован планарной структурой, а многоколлекторный транзистор VT2 — вертикальной структурой. Причем, так как площадь каждого коллектора транзистора VT2 меньше площади его эмиттера, этот транзистор, по сути, работает в инверсном режиме, что способствует уменьшению его напряжения насыщения. Все сказанное позволило разместить весь элемент И2Л на площади, занимаемой в схеме ТТЛ одним многоэмиттерным транзистором.
Важной особенностью элемента И2Л является возможность, варьируя ток инжектора в широких пределах, изменить его быстродействие. Реально ток инжектора может изменяться от 1 нА до 1 мА, т. е. на 6 порядков. А поскольку при заданной схемотехнике энергия переключения элемента—величина непостоянная, в таких же пределах может изменяться и быстродействие элемента. Важно, что для этого не требуется никаких схемотехнических изменении в элементе.
Принцип действия схемы И2Л заключается в следующем. Допустим, внешний сигнал на входе элемента (база транзистора VT2) отсутствует, что соответствует сигналу логической 1. В этом случае ток инжектора, втекая в базу транзистора VT2, насыщает его. На его коллекторах, а следовательно, и на выходных выводах элемента присутствует напряжение низкого уровня, равное напряжению насыщения транзистора VT2. Реально это 0,1 В ... 0,2 13.
Если база транзистора VT2 непосредственно или через насыщенный транзистор подключена к общей шине, то выполняется условие Uвх < Uбэ0 и транзистор VТ2 заперт, так как ток инжектора замыкается на общую нишу, минуя его эмиттерный переход. В этом случае напряжение на его коллекторах определяется внешними цепями. При последовательном включении нескольких инверторов это напряжение равно напряжению эмиттерного перехода последующего транзистора. Таким образом, для БЛЭ И2Л справедливы следующие соотношения:
U0 = 0.1…0.2 B U1 = 0.6…0.7 В
Из приведенных соотношении следует, что логический перепад для БЛЭ И2Л составляет 0,4 ...0.6 В.
С использованием приведенной схемы могут быть реализованы основные логические операции И—НЕ и ИЛИ—НЕ. В соответствии с рисунком 12, показана логическая схема, построенная на трех инверторах И2Л.
Особенностью элементов И2Л является возможность параллельного включения нескольких их выходов. Из приведенной схемы следует, что при параллельном включении нескольких выходов в общей точке относительно входных переменных реализуется логическая операция ИЛИ—НЕ. Относительно же выходных сигналов элементов реализуется логическая операция И. Таким образом, если не требуется гальваническое разделение между входными и выходными сигналами, то логическая операция И выполняется без каких-либо дополнительных схемотехнических затрат простым объединением соответствующих выходов БЛЭ. После инвертирования результата выполненной операции ИЛИ—НЕ дополнительным элементом относительно исходных входных переменных реализуется логическая операция ИЛИ, а относительно выходных сигналов первых элементов — операция И—НЕ.
Таким образом, БЛЭ И2Л позволяет максимально унифицировать структуру ИС, снизив площадь ее кристалла, и либо уменьшить ее потребление, либо повысить быстродействие.
Типовое время задержки распространения БЛЭ И2Л при токе инжектора 0,1 мкА составляет 10нс. При этом энергия переключения для этого элемента па несколько порядков меньше, чем для элемента ТТЛ.
Ввиду небольшой помехоустойчивости, обусловленной малым логическим перепадом, БЛЭ И2Л используются исключительно в составе БИС и СБИС и как отдельные ИС малой степени интеграции не выпускаются. При этом входные и выходные цепи ИС, выполненных по технологии И2Л, делаются совместимыми по логическим уровням с сигналами ТТЛ.
Список используемой литературы1. Гусев В. Г., Гусев Ю. Н. “Электроника” Москва 1991г
2. Игумнов Д. В., Королев Г. В., Громов И. С. “Основы микроэлектроники” Москва 1991г
3. Нефедов В. И. “Основы радиоэлектроники” Москва 2000г
4. Опадчий “Аналоговая и цифровая электроника” Москва 1999г
5. Сентурия С., Уэдлок Б. “Электронные схемы и их применения” Москва 1977г
... 7. Логический элемент НЕ, выполненный на обычном биполярном транзисторе (а); многоэмиттерном транзисторе с дополнительным усилителем (б); Транзистор Шоттки и его условное графическое изображение в электронных схемах (в). Рис. 8. Логический элемент НЕ, выполненный на МОП-транзисторах с n-каналом (а), комплиментарной паре МОП-транзисторов с n- и р-каналами (б). Логический элемент И – ...
осхемы К155ЛА3 (4 логических элемента 2И-НЕ). Принцип работы ЛЭ И-НЕ ТТЛ Основная особенность микросхем ТТЛ состоит в том, что во входной цепи используется специфический интегральный прибор – многоэмиттерный транзистор (МЭТ), имеющий несколько эмиттеров, объединенных общей базой. Эмиттеры расположены так, что непосредственное взаимодействие между ними через участок базы отсутствует. Поэтому МЭТ ...
... первой логической ступени выполняется на транзисторах, увеличение параметра m требует значительного увеличения числа компонентов ЛЭ и роста площади кристалла ИМС. В существующих сериях интегральных микросхем основные логические элементы выполняются, как правило, с небольшим числом входов . Увеличение числа входов m обеспечивается за счет введения в серию ЛЭ специального расширителя, подключение ...
... V ~“ должна находиться в нажатом, а кнопка “ВСВ ВНК” в поле надписи “КВУ” - в отжатом состоянии. 4. Методические рекомендации к выполнению работы 4.1. Исследование особенностей функционирования логических элементов ДД1 ¸ ДД4 и определение их функционального назначения. 4.1.1. Задавая различные комбинации входных логических сигналов, определить значение выходного сигнала и по результатам ...
0 комментариев