Синтез схемы

4. Синтез схемы.

4.1.Последовательный расчет фазоимпульсного модулятора.

Выбираем транзистор VT1, исходя из его способностей пропустить ток заряда конденсатора С1 за время q2 и выбираем двухбазовый диод Uc1 и пропускаем ток падение напряжения которого на резисторе R3 открывает тиристор VT4. Выбираем тиристор VT4, напряжение VБ12 которого меньше 30B и время отпертого состояния которого соответствует времени q1.

Рассчитаем величину емкости С1

Задаемся временем заряда

Из формулы (3) время заряда

, откуда

Выбираем транзистор задаваясь временем заряда и током ,

Где t3-время заряда емкости С1,tnVT1-время переключения транзистора VT1 можно не учитывать в виду его малости по сравнению c tЗ (tnVT»)

Задаемся q2=tp – временем разряда емкости С1.

Из уравнения (3) получаем

Из уравнения (4) находим R4

(9а)

Решая совместно уравнение (1) и (2) получим

(10)

(11)

Таким образом, получили все номиналы элементов, образующих требуемый модулируемый импульс.

Численный расчет схемы.

Выбираем транзистор МП42Б служащий для устройств переключения и с небольшим сопротивлением RКЭ, которые в основном определяется сопротивлением коллектора rk

Выбираем тиристор К4104Б со следующими характеристиками:

Постоянный ток в закрытом состояние Iзс = 0,5мВ

Отпирающий постоянный ток управления IY от=20мА

Отпирающее постоянное напряжение управления UУ от=2В

Напряжение в открытом состояние UОС=2В

Неотпирающее постоянное напряжение управления UУНОТ=0,1В

Время включения  tвкл=0,29мkс

Время выключения tвыкл=2,5мkс

Предельно допустимые параметры:

Постоянное напряжение в закрытом состояние UЗ с max=30B

Постоянное обратное напряжение UОБР max=6B

Постоянный ток в открытом состоянии IОС min=0,1A

Постоянный прямой ток управления IУ min0=0,03B

Средняя рассеиваемая мощность PСР РАС=0,2В

Выбираем двухбазовый или управляемый диод, или однопереходной транзистор ОПТ: К117А со следующими предельно допустимыми параметрами:

Ток эмиттера IЭ max=50мА

Ток эмиттер-база IЭБО max=1мкА

Ток включения  IВКЛ max=20мкА

Ток выключения IВЫКЛ min=1мА

Напряжение на базах UБ12 max=30B

Напряжения насыщения эмиттер-база Umax ЭБ нас=5В при IЭ=50мА

Коэффициент К К=0,6

Сопротивление между базами  RБ12=6кОм UЭК=0,6·27=16,2

Резистор

берем 1,1Ом.

Напряжение питания схемы берем UП=27В

Емкость конденсатора

берем 0,016мкФ.

Время разряда

Подставляем значения в формулу (10) и определяем R3

Подставляя значения в формулу 11, определяем R2.

По формуле (9а) считаем:

берем 62Ом.

Совершенно аналогично для тех же времен заряда и разряда, то есть для аналогичной модуляции фазой определим:

R6=51Ом, R5=20Oм, , С3=0,016мкФ

ПЭС

 

R1

VT1 R2 RH C2 R4 R7

VT2 VT3

T1 T2

C1 R3 R6 C3

 

X1

5

+Еп

-Еп

-Uвх

2

	1

Выводы по работе.

Разработано устройство – фазоимпульсный модулятор. Данное устройство соответствует заданным требованиям. Рассчитаны параметры, позволяющие получить заданные выходные сигналы. Устройство имеет высокую степень надёжности.

Список литературы

С.П. Миклашевский., Промышленная электроника. Вш.,1986.

Л.А. Бессонов., ТОЭ. Вш.,1996.

К.Я. Стародуб., Н.Н. Михайлов., Промышленная электроника. «Машиностроение».,1971.

Расчёт импульсных устройств на полупроводниковых приборах. Под ред. Т.М. Агаханяна., «Советское радио».

Справочное пособие по электротехнике и основам электроники. Под ред. А.В. Нетушина. Вш. 1986.