1.2.4. Ядерный прецессионный магнитометр.
В ядерном прецессионном магнитометре используется реакция ядер атомов в жидких углеводородах, например бензоле, на воздействие магнитного поля. Протоны в ядрах атомов можно рассматривать как малые магнитные диполи; поскольку они вращаются и обладают электрическим зарядом, у них есть небольшой магнитный момент, подобный в некоторых отношениях угловому моменту вращающегося гироскопа. С помощью однородного магнитного поля, создаваемого при прохождении тока через катушку, протоны в жидкости могут быть временно выстроены в ряд. Когда поляризационный ток выключается, происходит прецессия протонов относительно окружающего магнитного поля. Ось спина протона, не выстроенного постоянным магнитным полем, подобно оси гироскопа вне линии гравитационного поля, проходит по окружности относительно линии, параллельной полю. Скорость прохождения, называемая частотой прецессии, зависит от силы измеряемого магнитного поля. Прецессирующие протоны генерируют в катушке сигнал, частота которого пропорциональна величине магнитного поля. Конструкция этого магнитометра показана на рис. 1.6.
Ядерный прецессионный магнитометр имеет диапазон чувствительности от 10Е-13 до 10Е-4 А/м, а их частотный диапазон ограничен стробирующей частотой жидкого водорода.
1.2.5. СКВИД-датчик.
Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик (СКВИД) является самым чувствительным датчиком магнитного поля. Это устройство основано на взаимодействии электрических токов и магнитных колебаний, наблюдаемых при охлаждении материала ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние. Конструкция датчика приведена на рис. 1.7.
Если линии магнитного поля проходят через кольцо из сверхпроводящего материала то в нем индуцируется ток. При отсутствии возмущений ток будет протекать сколько угодно долго. Величина индуцированного тока является весьма чувствительным индикатором плотности потока поля. Кольцо может реагировать на изменение поля, соответствующее долям одной квантовой единицы магнитного потока. При наличии в кольце тонкого перехода (переход Джозефсона) в нем наблюдаются колебания тока. Кольцо соединяют с ВЧ схемой, которая подает известное поле смещения и детектирует выходной сигнал. При взаимодействии двух двух волн образуется итерференционные полосы, подобно световым волнам. Подсчет полос позволяет с высокой точностью определить величину магнитного поля.
Кольцо изготавливают из свинца или ниобия диаметром несколько миллиметров. Для увеличения чувствительности его иногда включают в более крупную катушку. Диапазон измеряемых полей равен от 10Е-16 до 10Е-10 А/м.
1.2.6. Магниторезисторы.
Магниторезисторами называют полупроводниковые приборы, сопротивление которых меняется в магнитном поле. Поскольку эффект магнитосопротивления максимален в полупроводнике не ограниченом в направлении перпендикулярному току, то в реальных магниторезисторах стремятся максимально приблизится к этому условию. Наилучшим типом неограниченного образца является диск Карбино (см. рис. 1.8а).
Отклонение тока в таком образце при отсутствии магнитного поля нет и он направлен строго по радиусу. При наличии поля путь носителей заряда удлиняется и сопротивление увеличивается. Другой структурой магниторезистора является пластина ширина которой много больше длины (рис. 1.8б). Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недостатком является малое абсолютное сопротивление при B=0, что обусловлено их конфигурацией. Для увеличения R применяют последовательное соединение резисторов. Например, в случае пластины используется одна длинная пластина из полупроводника с нанесенными металлическими полосками, делящими кристалл на области длина которых меньше ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет собой отдельный магниторезистор.
Магниторезисторы обладают довольно большой чувствительностью. Она лежит в пределах от 10Е-13 до 10Е-4 А/м. Наибольшей чувствительностью обладают магниторезисторы изготовленные из InSb-NiSb.
1.2.7. Магнитодиоды.
Магнитодиод представляет собой полупроводниковый прибор с p-n переходом и невыпрямляющими контактами, между которыми находится область высокоомного полупроводника. Структура и типичная ВАХ "торцевого" магнитодиода приведена на рис. 1.9.
Действие прибора основано на магнитодиодном эффекте. В "длинных" диодах (d/L >> 1, где d - длина базы, L - эффективнная длина дифузионного смещения ) распределение носителей, а следовательно сопротивление диода (базы) определяется длиной L Уменьшение L вызывает понижение концентрации неравновесных носителей в базе, т. е. повышение ее сопротивления. Это вызывает увеличение падения напряжения на базе и уменьшение на p-n переходе (при U=const). Уменьшение падения напряжения на p-n переходе вызывает снижение инжекционного тока и следовательно дальнейшее увеличение сопротивление базы. Длину L можно изменять воздействуя на диод магнитным полем. Оно приводит к закручиванию движущихся носителей и их подвижность уменьшается, следовательно уменьшается и L. Одновременно удлиняются линии тока, т. е. эффективная толщина базы растет. Это и есть магнитодиодный эффект.
Нашей промышленностью выпускается несколько типов магнитодиодов. Их чувствительность лежит в пределах 10Е-9 до 10Е-2 А/м. Существуют также магнитодиоды способные определять не только напряженность магнитного поля но и его направление.
... действия передатчика, поэтому такие системы можно еще отнести к классу радиальных. Рассмотрим принципы построения нескольких крупных СПРВ. Одной из первых крупных разработок была "Система персонального вызова на УКВ" (США), работающая в диапазонах 20...50 и144...174 МГц. Структурная схема такой системы представлена на рис.1.1. Каждый из пультов управления 1 является контрольно-коммутирующим ...
... , содержащей в себе ведения книжного фонда, регистрация каталога и выдача книг, а также регистрация читателей. Для разработки автоматизированной системы была проектирована инфологическая модель БД библиотечного фонда "Национальной библиотеки им. В.И. Вернадского" и проведен анализ связей между основными объектами данной инфологической модели. Для реализации автоматизированной системы осуществлен ...
... управления и его характеристика; функциональные задачи управления; характеристика системы первичных экономических показателей; организация информационного обслуживания органа управления; методика реализации функции управления; перспективы совершенствования. Обоснование проектных решений по автоматизированному решению экономико-информационных задач включают обоснование выбора задач, входящих ...
... SADT может быть использована для анализа функций, выполняемых системой, а также для указания механизмов, посредством которых они осуществляются. 4. Описание программного продукта «ПК инфо» 4.1. Алгоритм программного продукта При запуске программного продукта на экране отображается главное окно программы, находится оно по центру экрана для большего удобства. При щелчке левой клавиши ...
0 комментариев