Введение
Некоторые физические свойства силленитов
Подготовка поверхности и выбор подложки к эпитаксии
Получение плёнок соединений со структурой силленита
Возможность получения плёнок силленита на силлените
Выводы из литературного обзора
Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии
Оценка себестоимости лазерного элемента на основе монокристаллической пленки (по данным полученным в результате НИР )
Расчет энергетических затрат
Классификация по ПУЭ
Экологическая характеристика темы работы
Навигация
Современная оптоэлектроника
Современная оптоэлектроника
73935
знаков
18
таблиц
12
изображений
Оглавление
| 1 | Введение. | 3 |
| 2 | Литературный обзор. | 4 |
| 2.1 | Соединения со структурой силленита. | 4 |
| 2.1.1 | Структура германата висмута. | 4 |
| 2.2 | Некоторые физические свойства силленитов. | 6 |
| 2.3 | Подготовка поверхности и выбор подложки к эпитаксии. | 13 |
| 2.3.1 | Требования к материалу подложки. | 13 |
| 2.3.2 | Подготовка поверхности подложки к эпитаксии. | 14 |
| 2.4 | Получение плёнок соединений со структурой силленита. | 15 |
| 2.5 | Возможность получения плёнок силленита на силлените. | 18 |
| 2.6 | Влияние легирования на свойства монокристаллов силленита. | 19 |
| 2.6.1 | Оптические свойства. | 19 |
| 2.7 | Выводы из литературного обзора | 22 |
| 3 | Экспериментальная часть. | 23 |
| 3.1 | Цели и задачи работы | 23 |
| 3.2 | Характеристики исходных веществ. | 23 |
| 3.3 | Выбор материала тигля. | 23 |
| 3.4 | Оборудование. | 24 |
| 3.5 | Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. | 25 |
| 3.6 | Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. | 26 |
| 3.7 | Нанесения эпитаксиального слоя. | 26 |
| 3.8 | Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя. | 27 |
| 3.9 | Выявление микроструктуры эпитаксиальных плёнок. | 30 |
| 3.10 | Результаты работы и выводы. | 33 |
| 4 | Экономическая часть . | 34 |
| 4.1 | Технико - экономическое обоснование проведения дипломной работы. | 34 |
| 4.1.1 | Оценка себестоимости лазерного элемента на основе монокристаллической пленки (по данным полученным в результате НИР ) | 35 |
| 4.1.2 | Лазерная установка на основе обьемных монокристаллов: | 38 |
| 4.1.3 | Лазерная установка на основе пленочных лазеров: | 38 |
| 4.2 | Расчет затрат на проведение научно-исследовательской работы. | 39 |
| 4.2.1 | Расчет затрат на реактивы, сырье, материалы. | 39 |
| 4.2.2 | Расчет энергетических затрат. | 39 |
| 4.2.3 | Расчет заработной платы. | 39 |
| 4.2.4 | Накладные расходы. | 40 |
| 4.2.5 | Расчет амортизационных отчислений. | 40 |
| 4.2.6 | Смета затрат на проведение исследования. | 41 |
| 5 | Охрана труда. | 42 |
| 5.1 | Введение | 42 |
| 5.1.1 | Характеристика применяемых реактивов и препаратов. | 42 |
| 5.1.2 | Категорирование лабораторного помещения | 43 |
| 5.1.3 | Классификация по ПУЭ. | 43 |
| 5.1.4 | Меры электробезопасности. | 43 |
| 5.1.5 | Производственная санитария. | 44 |
| 5.1.6 | Вентиляция. | 44 |
| 5.1.7 | Освещение. | 44 |
| 5.1.8 | Водоснабжение. | 45 |
| 5.1.9 | Режим личной безопасности. | 45 |
| 6 | Охрана окружающей среды от промышленных загрязнений. | 46 |
| 6.1 | ВВЕДЕНИЕ. | 46 |
| 6.2 | Экологическая характеристика темы работы. | 46 |
| 6.3 | Токсикологическая характеристика сырья, реагентов, промежуточных и конечных продуктов. | 47 |
| 6.4 | Переработка и обезвреживание твердых отходов. | 48 |
| 6.5 | Переработка и обезвреживание жидких отходов. | 48 |
| 6.6 | Укрупненная оценка экономического ущерба от загрязнения атмосферы . | 48 |
| 6.7 | Укрупненная оценка ущерба от загрязнения водоемов. | 50 |
| 6.8 | Выводы. | 51 |
| 7 | Cписок литературы. | 52 |
Похожие работы
... Источники излучения. Оптоэлектроника базируется на двух основных видах излучате- лей: лазерах (когерентное излучение) и светоизлучающих диодах (некогерентное излучение). В оптоэлектронике находят применение маломощные газовые, твердотельные и полупроводниковые лазеры. Разрежённость газового наполнения в рабочем объёме обусловливает высокую степень монох- роматичности, одномодовость ...
... оптического квантового генератора - лазера (1960 г.). Примерно в то же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое распространение светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприёмники, устройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектроники. 1.2. Генерация света. Оптический диапазон составляют электромагнитные волны, длины которых простираются от 1 мм до ...
... Среднее значение: 1.5%. Вывод: коэффициент полезного действия фотодиода согласно полученным данным составил в среднем 1.5%. 5.ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОДИОДА В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Фотодиод является составным элементом во многих сложных оптоэлектронных устройствах. И поэтому он находит широкое применение. а) оптоэлектронные интегральные микросхемы. Фотодиод может обладать большим быстродействием, но ...
... Cu2S на CdS, имеют красную инжекционную люминесценцию, интенсивность которой линейно менялась с током. Этот процесс, по-видимому, связан, с рекомбинацией через глубокие центры. Применение гетеропереходов. Излучатели. Инжекционный лазер. Инжекционнный лазер представляет собой полупроводниковый двухэлектродный прибор с p-n-переходом (поэтому часто как равноправный используется термин ...
0 комментариев