Ш2
ш1.5
1Министерство науки, высшей школы и технической политики РФ
1Московский Государственный Институт Электроники и Математики
1Факультет Электронной Техники
1Кафедра - Материаловедение
1электронной техники
1РЕФЕРАТ
1на тему 3 Материалы оптоэлектроники.
3Полупроводниковые светоизлучающие структуры. 0
1Выполнил студент группы И-41
1Офров С.Г
1Руководитель Петров В.С.
1Реферат защищён с оценкой _________
_____________________________
(подпись преподавателя, дата)
1Москва 1994
ш0
.
- 1 -
Материалы оптоэлектроники.
Полупроводниковые светоизлучающие структуры.
1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ.
1.1. Предмет оптоэлектроники.
Оптоэлектроника представляет собой раздел науки и техники,
занимающийся вопросами генерации, переноса (передачи и приёма),
переработки (преобразования), запоминания и хранения информации
на основе использования двойных (электрических и оптических) ме-
тодов и средств.
Оптоэлектронный прибор - это (по рекомендации МЭК) прибор,
чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфра-
красной или ультрафиолетовой областях; или прибор, излучающий и
преобразующий некогерентное или когерентное излучение в этих же
спектральных областях; или прибор, использующий такое электро-
магнитное излучение для своей работы.
Обычно подразумевается также "твердотельность" оптоэлек-
тронных приборов и устройств или такая их структура (в случае
использования газов и жидкостей), которая допускала бы реализа-
цию с применением методов современной интегральной техники в
микроминиатюрном исполнении. Таким образом, оптоэлектроника ба-
зируется на достижениях целого ряда достижений науки и техники,
среди которых должны быть выделены прежде всего квантовая элек-
троника, фотоэлектроника, полупроводниковая электроника и техно-
логия, а также нелинейная оптика, электрооптика, голография, во-
локонная оптика.
- 2 -
Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связа-
ны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с
электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим
обуславливаются их основные достоинства:
1. Высокая информационная ёмкость оптического канала.
2. Острая направленность излучения.
3. Возможность двойной модуляции светового луча - не только
временной, но и пространственной.
4. Бесконтактность, "элетропассивность" фотонных связей.
5. Возможность простого оперирования со зрительно восприни-
маемыми образами.
Эти уникальные особенности открывают перед оптоэлектронными
приборами очень широкие возможности применения в качестве эле-
ментов связи, индикаторных приборов, различных датчиков. Тем са-
мым оптоэлектроника вносит свою, очень значительную, долю в
комплексную микроминиатюризацию радиоэлектронной аппаратуры.
Дальнейшее развитие и совершенствование средств оптоэлектроники
служит техническим фундаментом разработки сверхвыскопроизводи-
тельных вычислительных комплексов, запоминающих устройств ги-
гантской ёмкости, высокоскоростной связи, твердотельного телеви-
дения и инфравидения.
Основу практически любой оптоэлектронной системы составляет
источник излучения: именно его свойства и определяют, в первую
очередь, лицо этой системы. А все источники можно подразделить
на две большие группы: с когерентным (лазеры) и с некогерентным
(светоизлучающие диоды и др.) излучением. Устройства с использо-
ванием когерентного или некогерентного света обычно резко отли-
чаются друг от друга по важнейшим характеристикам.
- 3 -
Всё это оправдывает использование таких терминов как "коге-
рентная оптоэлектроника" и "некогерентная оптоэлектроника". Ес-
тественно, что чёткую грань провести невозможно, но различия
между ними очень существенны.
История оптоэлектроники ведёт своё начало с открытия опти-
ческого квантового генератора - лазера (1960 г.). Примерно в то
же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое распростране-
ние светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприёмники, уст-
ройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектро-
ники.
... оптического квантового генератора - лазера (1960 г.). Примерно в то же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое распространение светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприёмники, устройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектроники. 1.2. Генерация света. Оптический диапазон составляют электромагнитные волны, длины которых простираются от 1 мм до ...
... , отсутствием необходимости определения толщины и удельного сопротивления металлического слоя, уменьшением числа операций обработки результатов. Формула изобретения Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл, включающий последовательное нанесение напылением на диэлектрическую подложку через трафарет слоя металла (в виде змейки) толщиной 200 нм, слоя дийодида ...
... (более 104 см-2). Поэтому монокристаллы GaP не обладают пригодной для практики люминесценцией и для получения светоизлучающих р-n-переходов необходимо выращивать эпитаксиальные слои GaP. 2 РАСЧЕТ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ СВЕТОДИОДА 2.1 Основные параметры светодиода Uгас. – напряжение гасящее; Uпит. – напряжение питания; Uсв. – напряжение светодиода; Iсв. – ток светодиода ; Rсв. – ...
... большие габариты, малый КПД, потребность во внешнем устройстве накачки являются основными причинами, по которым этот источник не используется в современных ВОСП. Практически во всех волоконно-оптических системах передачи, рассчитанных на широкое применение, в качестве источников излучения сейчас используются полупроводниковые светоизлучающие диоды и лазеры. Для них характерны в первую очередь ...
0 комментариев