5.1.2 Виявлення та опис всіх подій та робіт.
Графічна модель всього процесу виконання НДР ( сітковий графік ) складається з подій та робіт. Кількість робіт в сітковому графіку залежить від ступеня його деталізації, що визначається об’ємом і складністю розробки. Границі деталізації подій та робіт визначаються технологією робіт і границею відповідальності виконавців. Чим більш деталізована сіть, тим простіше її оцінити і проконтролювати по коду виконання розробки. Всі подіі та роботи, що входять в комплекс робіт, зводимо в таблицю в порядку їх послідовності, тобто необхідно скласти бібліотечний список. Цей список включає перелік подій та їх індексацію, а також перелік робіт та їх коди.
Таблиця 2. Перелік робіт та подій| № | Назва подіі | Код роботи | Зміст роботи |
| 0 | Завдання отримано. | 0-1. | Складання плану роботи. |
| 1 | План роботи складено. | 1-2 | Вивчення літератури. |
| 2 | Література вивчена. | 2-3 | Підготовка монокристалу для нанесення плівки. |
| 2-4 | Підготовка обладнання для вирощування плівки SiO2. | ||
| 2-8 | Підготовка обладнання для дослідження. | ||
| 2-20 | Аналіз. | ||
| 3 | Пластини монокристалу підготовлені | 3-5 | Складання установки для вирощування плівок. |
| 3-6 | Розрахунок умов вирощування | ||
| 4 | Обладнання для вирощу- вання підготовлене. | 4-5 | Підготовка матеріалу для вирощування. |
| 5 | Установка складена. Матеріал підготовлений. | 5-6 | Наладка установки для вирощування. |
| 6 | Умови вирощування плівок розраховані. | 6-7 | Вирощування плівок діоксиду кремнію. |
| 7 | Плівки нарощені | 7-8 | Підготовка пластин з нарощеною плівкою. |
| 7-10 | Зняття діелектричної плівки. | ||
| 8 | Обладнання та пластини готові для дослідження. | 8-9 | Визначення дефектності діелектричних плівок |
| 9 | Визначено дефектність діелектричних плівок. | 9-12 | Знаходження напружень пластин. |
| 10 | Діелектрична плівка знята | 10-11 | Визначення дефектності пластин. |
| 10-12 | Знаходження напружень пластин. | ||
| 11 | Дефектність пластин досліджена. | 11-14 | Фотографування дефектності пластин. |
| 12 | Напруженість всіх пластин Si визначена. | 12-13 | Порівняння результатів двох досліджень. |
| 13 | Порівняння проведені. | 13-14 | Знаходження залежності густини пор від напруження. |
| 14 | Дефектність сфотографована. Залеж- | 14-15 | Опис результатів. |
| ність густини пор від напруження встановлена. | |||
| 15 | Опис результатів проведений. | 15-16 | Побудова сіткового графіка. |
| 16 | Сітковий графік побудовано. | 16-17 | Розрахунок параметрів сіткового графіка. |
| 17 | Розрахунок параметрів проведено. | 17-18 | Визначення затрат на проведення НДР. |
| 17-20 | Аналіз отриманих результатів | ||
| 18 | Затрати визначені. | 18-19 | Оцінка науково-технічної ефективності НДР. |
| 19 | Ефективність оцінена. | 19-20 | Аналіз ефективності. |
| 20 | Аналіз проведено. | 20-21 | Висновки. |
| 21 | Висновки зроблено. | 21-22 | Оформлення. |
| 22 | Робота оформлена |
|
... принтера також містить різні мови опису даних (Adobe PostScript, PCL і тощо.). Ці мови знову ж таки призначені для того, щоб забрати частину роботи у комп'ютера і передати її принтеру. Розглянемо фізичний принцип дії окремих компонентів лазерного принтера. 2.5.29 Фотобарабан Як вже писалося вище, найважливішим конструктивним елементом лазерного принтера є фотобарабан, що обертається, за ...
... а все обладнання кабіни - надійно заземлене. Пересувні пости використовують при зварюванні великих виробів безпосередньо на виробничих ділянках. Розділ 2.Основна частина 2.1 Опис технологічного процесу ручного дугового зварювання В основі будь-якого промислового виробництва лежить технологічний процес, який є частиною виробничого процесу. Виробничий процес – це сукупність технологічних ...
... ією носіїв заряду, що забезпечують велику холівську напругу. Для виготовлення магнітоелектричних приладів використають арсенід індію й телурид ртуті. Термоелектричні прилади виготовляють із напівпровідникових матеріалів, що забезпечують максимальний коефіцієнт ефективності, тобто які мають високу і низьку теплопровідність. Такими властивостями володіють антимонід цинку телурид і селенід вісмуту ...
0 комментариев