Рух електронів в електричному і магнітному полях
Температурні і частотні характеристики переходу. Еквівалентна схема р-п-переходу
Варикапи
Транзистор у режимі ключа
Маркування електровакуумних та іонних приладів
Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади
Буквено-цифрові індикатори – газорозрядні, вакуумні, напівпровідникові
Диференційні підсилювачі
Різновиди схем транзисторних автогенераторів
Трифазні випрямлячі
При частотно-імпульсному регулюванні (Ч1Р) змінюють частоту (період) надходження імпульсів при їх фіксованій тривалості
Однофазний двопівперіодний керований випрямляч з нульовим виводом
Однофазний інвертор струму
Тригер на біполярних транзисторах (симетричний тригер з лічильним запуском)
Логічні ІМС з емітерними зв'язками (перемикачі струму)
Принцип телефонного зв'язку по проводах
Внутрівиробничий телефонний зв'язок (ВВТЗ) призначається для встановлення з'єднань між виробничими об'єктами. Звичайно це автоматичний зв'язок
Загальні принципи функціонування мереж стільникового зв'язку
Роумінг
Навигация
Маркування електровакуумних та іонних приладів
Електроніка та мікропроцесорна техніка
312140
знаков
1
таблица
113
изображений
1. Маркування електровакуумних та іонних приладів.
Література
1. Маркування електровакуумних та іонних приладів
Позначення приймально-підсилювальних ламп складаються з декількох цифрових і буквених елементів.
Перший елемент - число, вказує напругу напруження у вольтах (закруглено).
Другий елемент - буква, що характеризує тип лампи: Д - діоди, Ц - кенотрони, X - подвійні діоди, С - тріоди, Н - подвійні тріоди, П - вихідні пентоди і променеві тетроди, Ж - пентоди з короткою характеристикою, К - пентоди з подовженою характеристикою, Г - діод - тріод, Б - діод - пентоди, А - багатосіткові лампи.
Третій елемент - порядковий номер даного типу лампи.
Четвертий елемент - буква, що характеризує конструктивне оформлення лампи: С - в скляному балоні діаметром більше 22,5 мм; П - мініатюрні (пальчикові) в скляному балоні діаметром 19 і 22,5 мм; Б - надмініатюрні в скляному балоні діаметром від 6 до 10,5 мм; А - надмініатюрні в скляному балоні діаметром від 4 до 6 мм.
Наприклад: 6Д6А - напруга напруження 6,3 В; діод надмініатюрний в скляному балоні діаметром 6 мм; шостий номер розробки; 1Ц21П - напруга напруження 1,4 В; кенотрон пальчикової серії з діаметром балона 22,5 мм; двадцять перший номер розробки.
Контрольні запитання:
1. Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?
Інструкційна картка №12 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Конструкції гібридних ІМС;
- Методи створення;
- Галузь застосування гібридних ІМС.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Розрізняти різні типи гібридних ІМС.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [1, с. 60-62].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем. маркування гібридних мікросхем.
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?
2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми
План:
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем.
Література
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем
Гібридні ІМС складаються з таких конструктивних вузлів:
1) ізоляційна основа із склопластику або керамічна, на поверхню якої у вигляді плівок нанесені резистори, конденсатори невеликої ємності, котушки невеликої індуктивності, електричні з'єднання;
2) дискретні безкорпусні НП прилади;
3) дискретні конденсатори великої ємності, трансформатори, дроселі;
4) ізоляційний корпус, що забезпечує герметизацію усіх елементів ІМС і має вивідні контакти.
Рис. 1 – Конструкція плівкових резисторів з малим (а) і великим (б) опором
На рис. 1 показано конструкцію плівкових резисторів з малим і великим опором. Тонку плівку з чистого хрому, ніхрому або танталу наносять безпосередньо на ізоляційну основу. У такий спосіб одержують резистори з опором від 0,001 до десятків кілоом. Щоб одержати більш високоомні резистори (до десятків мегаом), використовують металодіелектричні суміші (наприклад, хром та монооксид кремнію).
Рис. 2. - Конструкція плівкового конденсатора
На рис. 2 зображена конструкція плівкового конденсатора. Нижня та верхня обкладки конденсатора 2 є тонкими плівками із міді, срібла або золота. Діелектриком 1 є плівка із силікату алюмінію, двоокисиду титану або кремнію. Розміщені вони на діелектричній основі 3.
Ємність таких конденсаторів може бути від десятих часток мікрофарад до десятків тисяч мікрофарад.
Провідники виконують у вигляді тонкої (1 мкм) плівки із золота чи міді з підшарком нікелю або хрому.
Дискретні елементи із гнучкими виводами (золотий дріт діаметром 30 – 50 мкм) приєднується до плівкової мікросхеми пайкою або зваркою.
Електронні пристрої на гібридних ІМС можуть мати щільність монтажу до 60 – 100 елементів на 1 см3. За такої щільності об'єм пристрою, що має 107 елементів, може складати 0,1–0,5 м3, а середній час безвідмовної роботи - 103–104 годин і більше.
На відміну від гібридних ІМС, напівпровідникові виконуються на основі кристалу НП, де окремі його області виконують ролі транзисторів, діодів, конденсаторів, резисторів і т. ін., які з'єднуються за допомогою алюмінієвих плівок, що наносяться на поверхню кристалу.
Електронні пристрої на напівпровідникових ІМС можуть мати щільність монтажу до 500 елементів у 1 см3 і цей параметр з року в рік зростає.
Контрольні запитання:
1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?
2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?
Інструкційна картка №13 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Типи безкорпусних напівпровідникових приладів;
- Способи їх під’єднання.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Класифікувати безкорпусні напівпровідникові прилади.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [2, с. 162-163].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?
2. Які існують способи під’єднання виводів до контактних майданчиків?
3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми
План:
Похожие работы
... обміну даними з ПЭВМ у процесі виконання програми користувача; 11. Вкажіть типи буферних схем, використаних в УУМС-2. Їх призначення та особливості роботи. 12. Дайте визначення адресного простору мікропроцесорної системи та розпишіть його розподіл в УУМС-2. Адресний простір УУМС складається з областей, состав яких показаний у табл.2. Варто звернути увагу, що внутрішні адресні області ...
... ілу (Додаток 5); 5. Узагальнення і систематизація з розділу у вигляді опорно - інформаційних схем, табличних алгоритмів. 3.3 Анкетування студентів з даної проблеми Думка студентів про проведення теоретичних занять з дисципліни: " Основи електроніки та мікропроцесорної техніки ". Потрібне в відповідях підкреслити, анкету не підписувати. 1. Ви рахуєте, що викладач свій предмет? а) знає і ...
... детально на основі загального вирішення задачі.ЗАВДАННЯ ДО КУРСОВОЇ РОБОТИ Розробити компоненти технічного і програмного забезпечення мікропроцесорного пристрою, який включає аналогово-цифровий і цифро-аналоговий перетворювачі і виконує функцію лінійної системи автоматизованого регулювання. Системи описується заданим пропорційно-інтегро-диференціальним рівнянням, яке зв'язує аналогові сигнали х ...
... ії контурів управління Автоматична система управління дозування формаліна передбачає контролювання таких параметрів як Fстр. кількості постачаємої стружки в дифузійний апарат, є головним чинником який впливає на час подачі формаліна в дифузійну установку, рН дифузійного соку та Т температура середовища протікання процесу, ці показники відображають розвиток мікрофлори в дифузійному апараті та є ...
0 комментариев