Анализ технического задания
Структура элементной базы радиоэлектронных средств
Общие характеристики моделей РК
Модели ДП
Факторные модели ДП
Компонентные модели транзисторов
Факторные модели
Y-устройства для измерения ДП
Структурная схема рабочего места
Стабилизатор рабочей точки (СРТ)
Расчёт теплового режима блока
Частотные параметры диода
Организационно-экономическая часть
Анализ технической прогрессивности новой конструкции РЭА
Анализ изменения функциональных возможностей новой РЭА
Обеспечение уровня качества нового товара
Напряженный умственный труд
Инженерный расчет вентиляции
Требования по пожаробезопасное™
Оценка устойчивости рабочего места для измерения двухполюсных и многополюсных радиоэлементов к воздействию проникающей радиации и ЭМИ ядерного взрыва
Навигация
Частотные параметры диода
Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов
148486
знаков
26
таблиц
5
изображений
5.3 Частотные параметры диода
Были исследованы частотные характеристики диодов КД521А. Гистограммы активной и реактивной составляющих полного сопротивления диода КД521А показаны на рисунках 5.5 и 5.6.
Рисунок 5.5 Гистограммы зависимости дифференциального сопротивления от частоты диода КД521А (при прямом токе 25 мА): а) на частоте 10 МГц; б) на частоте 50 МГц; с) на частоте 90 МГц.
Листинги расчетов приведены в приложении Б.
Из гистограмм видно, что качественно они соответствуют нормальному закону распределения (группировка в центре распределения). На этот факт также указывают количественные данные по критерию Пирсана, по этому, в данном случае можно применять классический анализ статических характеристик.
Результаты статистического исследования основного параметра диода КД521А
Рисунок 5.7 Частотные характеристики основного параметра диода КД521А (при прямом токе 25 мА): а) усредненные; б) отдельных реализациях.
Из рисунка 5.7 следует, что активная часть полного сопротивления диода существенно зависит от частоты, увеличивается с 3,5 Ом (10 Мгц) до 10 Ом (90Мгц). Отдельные реализации рисунка 5.76 практически параллельны друг другу, что свидетельствует об устойчивости процесса измерений.
Вопреки обще принятым моделям оказалось, что на высоких и ультравысоких частотах реактивная составляющая полного сопротивления диода имеет не ёмкостной, а индуктивный характер в области смещения рабочей точки, в область активного режима.
Изменение значения индуктивной составляющей полного сопротивления диода в выбранном диапазоне частот менее существенно, чем для активной составляющей, и представляет собой отклонения в пределах 10 % от среднего значения линии регрессии. Отдельные реализации также различны (рисунок.5,8Б) Результаты статистического исследования паразитного параметра диода КД521А
Экстремальность этих характеристик (вогнутость вниз) объяснить затруднительно этот эффект требует дополнительных исследований.
Индуктивный характер полного сопротивления показывает корректировки модели диода при его работе на высоких частотах. Обращая внимание на тот факт, что базовый переход транзистора работает также при смещении в прямом направлении, в этой связи этот переход транзистора также может иметь индуктивный характер, поэтому необходимо детально изучить его характеристики этого перехода на высоких частотах. В общем можно считать, что разработанное рабочее место может быть применено при измерениях и анализа свойств двухполюсных РК. При этом можно идентифицировать паразитные параметры РК. Характер измерений устойчивый.
5.4 Корректированная модель полупроводникового диода
Корректировка общепринятой модели связана с выявленным индуктивным характером полного сопротивления реального диода при его работе на высоких частотах. При этом необходимо объяснение этого явления и разработка рекомендаций по применению диодов работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах.
В этой связи были выполнены исследования для определения зависимостей полного сопротивления диода от положения рабочей точки при её смещении в положительном направлении. Результаты измерения составляющей полного сопротивления диода КД 512А приведены на рисунке 5.9, а его В АХ на рисунке 5.10.
Из рисунка 5.10 видно, что В АХ диода имеет обычный экспоненциальный характер, близкий к классическому.
Активная Rn составляющая полного сопротивления диода, которое имеет монотонно убывающий характер, уменьшаясь при увеличении положительного смещения. Из рисунка 5.9 следует, что реактивные компоненты полного сопротивления имеют сложные зависимости как от смещения рабочей точки, так и частоты. По своему характеру в каждой частотной точке реактивная составляющая полного сопротивления в области перехода ВАХ из района отсечки в активный режим меняет свой характер с емкостного на индуктивный. По характеру кривых 1, 2, 3 (рисунок 5.9) можно сделать заключение, что в их формировании участвует явление последовательного резонанса, которое особенно проявляется при снижении частоты. Как это известно из теории электрических цепей до резонансной частоты входное сопротивление последовательного контура имеет емкостной а после - индуктивный.
Другое явление заключается в том, что на более высоких частотах точка резонанса наблюдается при меньших смещениях. Это можно объяснить влиянием индуктивностей выводов диода. В самом деле, если на частоте 10 МГц (резонанс наблюдается в точке U]) то при увеличении частоты до 50 МГц частота резонанса будет наблюдаться в точке U2 т.к. при предположении, что сопротивление выводов LB = const резонанс должен наблюдаться при более низком напряжении смещения.
Для подтверждения выдвинутого предположения сравнений результатов измерений на частоте 10 МГц, измерения диода КД 521А со стандартными и укороченными н 30 мм выводами.
Из рисунка 5.11 видно, что составляющая реактивного сопротивления при укорочении выводов, во-первых, смещаются в право, во-вторых, индуктивная составляющая существенно уменьшается примерно на 30 нГн, что количественно соответствует индуктивности удалённых отрезков..
|
|
Таким образом считаем, что компонентную модель диода при смещении рабочей точки в активную область нужно описывать в виде эквивалентной схемы показанной на рисунке 5.12, которой предлагаем заменить схему рисунка 2.10
| Рисунок 5.11 Предлагаемая компонентная схема высокочастотного диода |
Похожие работы
... приведен полный перечень и расчетные формулы используемых для оценки ТК РЭА количественных показателей. 3.2 Разработка информационного обеспечения системы показателей эффективной организации управленческого труда в организации и технологичности конструкции изделий и их составных частей Стандартами ЕСТПП введена система количественных оценок технологичности конструкций, охватывающая всю ...
... (кимберлиты, лампроиты) и сопровождающихся процессами брекчирования, катаклаза, милонитизации и метасоматоза. Наиболее крупные глубинные разломы, прослеживающиеся на Шангулежской площади - Присаянский глубинный разлом, отделяющий структуру Восточного Саяна от Сибирской платформы, и субпараллельный ему Очкосовский, осложняющий восточную границу Бирюсинского купола. 4.2 Ураноностность площади. В ...
... в соответствии со складывающейся ситуацией, изменение маркетинговой политики, разработка и реализация программ по увеличению продаж. 2. ПРЕДЛОЖЕНИЯ ПО ФОРМИРОВАНИЮ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ 2.1 Определение миссии РУПП «Витязь» Миссия РУПП «Витязь» - обеспечение потребителей высококачественной продукцией, как телевизионной и спутниковой техникой, так и медицинской техникой, а также другими ...
... ИД состоит в выполнении им, помимо основной функции, функции автоматического метрологического самоконтроля - контроля метрологической исправности. Для повышения эффективности проектирования интеллектуальных датчиков необходимо создание баз данных, касающихся: 1. физических и химических процессов в чувствительных элементах датчиков, порождающих рост опасных составляющих погрешности; 2. динамики ...
0 комментариев