Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
Исследование модели контактной разности потенциалов
Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода
Исследование ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров
Навигация
Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
Модели полупроводниковых диодов
15836
знаков
27
таблиц
26
изображений
1. Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
Для Ge модель времени жизни носителей описывается формулой Шокли-Рида-Холла:
где Еt – локальный уровень
Еi – уровень Ферми собственного п/п
Nt – концентрация ловушек
s - сечение захвата.
| Эмиттер | База | |||||||||||||
| Т°,К | tнеосн, сек | N/5 | N | 5N | N/5 | N | 5N | |||||||
| 2×1017 | 1×1018 | 5×1018 | 4×1014 | 2×1015 | 1×1016 | |||||||||
| 300 | 2,5×10-9 | 5×10-10 | 1×10-10 | 1,37×10-6 | 2,55×10-7 | 5,02×10-8 | ||||||||
| 400 | 2,52×10-9 | 5,01×10-10 | 1×10-10 | 2,46×10-6 | 3,99×10-7 | 5,74×10-8 | ||||||||
| 500 | 2,68×10-9 | 5,07×10-10 | 1×10-10 | 2,5×10-6 | 4,98×10-7 | 9,11×10-8 | ||||||||
 |
 |
| ||||||||||||
Т = 300°К; NЭ = 1×1018 см-3; NБ = 2×1015 см-3.
| NЭ | NБ | |||
| Ge | tнеосн, сек | 5×10-10 | 2,55×10-7 | |
| Si | 5×10-10 | 2,54×10-7 |
При увеличение сечение захвата на 1% (при фиксированных N и Т=300°К) время жизни неосновных носителей в базе уменьшается на 1%.
Время жизни определяется количеством и типом рекомбинации ловушек. Оно max в собственном п/п. С увеличением Т затрудняется захват носителей на уровни, поэтому их время жизни растет.
В реальных п/п время жизни неравновесных носителей заряда может составлять 10-2¸10-10с.
Похожие работы
... ; – температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации, где DUст – отклонение напряжения Uст от номинального значения Uст ном при изменении температуры в интервале DТ. Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости Сзар от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрически ...
... плана ФЭ. Большое разнообразие моделей РК приводит к необходимости использования разнообразных способов и технических средств для измерения их параметров. Как правило, статические и динамические параметры РК измеряют на разных технологических установках. Методы построения средств измерения для идентификации моделей РК могут быть сведены к следующим принципам, учитывающим особенности подключения ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
... приводит к появлению сигнала на индикаторном устройстве. Минимальное регистрируемое виброперемещение зависит от собственных шумов генератора, его мощности и стабильности, а также от механической стабильности устройства. Бесконтактное измерение параметров вибраций резонаторным методом возможно и при включении приемно-передающей антенны в частотнозадающую цепь СВЧ генератора, т.е. при ...
0 комментариев