Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
Исследование модели контактной разности потенциалов
Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода
Исследование ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров
Навигация
Исследование модели контактной разности потенциалов
Модели полупроводниковых диодов
15836
знаков
27
таблиц
26
изображений
4. Исследование модели контактной разности потенциалов
Модель контактной разности потенциалов описывается следующим выражением:
NA и ND – концентрация ионизированных атомов
ni – собственная концентрация.
| Т°,К | N/5 | N | 5N | |
| 300 | φК, В | 0,3186 | 0,4020 | 0,4854 |
| 350 | 0,246 | 0,343 | 0,441 | |
| 400 | 0,172 | 0,283 | 0,394 |
| φК, В | |
| Ge | 0,402 |
| Si | 0,812 |
При смене типа материала с Ge на Si контактная разность потенциалов увеличивается.
Контактная разность потенциалов напряжение, который возникает в условии термодинамическом равновесие и ведет к прекращению диффузионного тока. При увеличении температуры, контактная разность уменьшается.
5. Исследование модели толщины ОПЗ
Модель толщины ОПЗ описывается выражением:
NA и ND – концентрация ионизированных атомов
φК – контактная разность потенциалов.
| Т°,К | N/5 | N | 5N | |
| 300 | W, мкМ | 1,076 | 0,540 | 0,266 |
| 350 | 0,945 | 0,499 | 0,253 | |
| 400 | 0,770 | 0,453 | 0,239 |
Зависимость положения границ ОПЗ
а) в зависимость от концентраций в Б и Э при Т=300°К
б) в зависимости от температуры при фиксированном N.
| W, мкМ | |
| Ge | 0,540 |
| Si | 0,726 |
При смене типа материала с Ge на Si толщина ОПЗ увеличивается.
Зависимость толщины ОПЗ при Т=300°К от U при прямом и обратном смещениях напряжения на диоде.
| U, В | N/5 | N | 5N | |
| Прямое | 0,1 | 0,892 | 0,468 | 0,237 |
| 0,15 | 0,783 | 0,428 | 0,221 | |
| 0,2 | 0,656 | 0,383 | 0,204 | |
| 0,25 | 0,499 | 0,332 | 0,185 | |
| 0,3 | 0,260 | 0,272 | 0,164 | |
| Обратное | -5 | 4,395 | 1,981 | 0,893 |
| -10 | 6,122 | 2,749 | 1,234 | |
| -20 | 8,590 | 3,850 | 1,725 | |
| -30 | 10,493 | 4,699 | 2,104 | |
| -40 | 12,101 | 5,417 | 2,425 | |
Толщина ОПЗ при увеличении температуры уменьшается незначительно.
Снижение высоты потенциального барьера при U>0 позволяет основным носителям пересекать область перехода, при этом они становятся неосновными носителями, создавая заметный ток (при Uпр, W¯). При U<0 эффекты диффузии более ощутимы, чем эффекты дрейфа (при Uобр, W).
Часть №2
Похожие работы
... ; – температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации, где DUст – отклонение напряжения Uст от номинального значения Uст ном при изменении температуры в интервале DТ. Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости Сзар от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрически ...
... плана ФЭ. Большое разнообразие моделей РК приводит к необходимости использования разнообразных способов и технических средств для измерения их параметров. Как правило, статические и динамические параметры РК измеряют на разных технологических установках. Методы построения средств измерения для идентификации моделей РК могут быть сведены к следующим принципам, учитывающим особенности подключения ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
... приводит к появлению сигнала на индикаторном устройстве. Минимальное регистрируемое виброперемещение зависит от собственных шумов генератора, его мощности и стабильности, а также от механической стабильности устройства. Бесконтактное измерение параметров вибраций резонаторным методом возможно и при включении приемно-передающей антенны в частотнозадающую цепь СВЧ генератора, т.е. при ...
0 комментариев