Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
Исследование модели контактной разности потенциалов
Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода
Исследование ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров
Навигация
Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
Модели полупроводниковых диодов
15836
знаков
27
таблиц
26
изображений
2. Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
Модель диффузионной длины неосновных носителей определяется выражением:
где D – коэффициент диффузии
t - время жизни носителей.
| Эмиттер | База | |||||||
| Т°,К | N/5 | N | 5N | N/5 | N | 5N | ||
| 2×1017 | 1×1018 | 5×1018 | 4×1014 | 2×1015 | 1×1016 | |||
| 300 | Lнеосн, см | 4,18×10-4 | 1,61×10-4 | 5,57×10-5 | 8,42×10-3 | 3,54×10-3 | 1,4×10-3 | |
| 400 | 3,3×10-4 | 1,27×10-4 | 4,39×10-5 | 8,89×10-3 | 3,49×10-3 | 1,18×10-3 | ||
| 500 | 2,83×10-4 | 1,06×10-4 | 3,65×10-5 | 7,45×10-3 | 3,24×10-3 | 1,23×10-3 | ||
|
|
|
Если Lнеосн (Б) > L(Б), то диод с короткой базой.
Если Lнеосн (Б) < L(Б), то диод с длиной базой.
В нашем варианте рассматривается диод с короткой базой т.к.
Lнеосн (Б) = 3,54×10-5м, L(Б)=1×10-5м, Lнеосн (Б) > L(Б)).
| Lнеосн (Э), см | |
| Ge | 1,609×10-4 |
| Si | 5,913×10-5 |
При смене типа материала с Ge на Si диффузионная длинна неосновных носителей в эмиттере уменьшается.
При увеличении сечения захвата на 1% (при фиксированных N и Т=300°К) диффузионная длина неосновных носителей в базе уменьшается на 0,56%.
Чем меньше примесей и дефектов в полупроводнике, тем больше время жизни носителей, и соответственно диффузионная длина этих носителей.
3. Исследование модели тока насыщения IS идеального диода в модели Шокли
Модель тока насыщения идеального диода описывается формулой Шокли:
где S – площадь поперечного сечения перехода
LP и Ln – диффузионная длина электронов и дырок
tP и tP – время жизни электронов и дырок
ND и NA – концентрация ионизированных атомов.
| Т°,К | N/5 | N | 5N | |
| Э,Б | Э,Б | Э,Б | ||
| 300 | IS ×10-8 А | 92,322 | 42,291 | 16,831 |
| 350 | 4451,08 | 2256,57 | 939,77 | |
| 400 | 86050,17 | 41042,63 | 18968,06 |
Если сечение захвата увеличить на 1% (при фиксированных N и T=300°К), то ток насыщения увеличится на 0,5%.
Если площадь поперечного сечения увеличить на 1% (при фиксированных N и T=300°К), то ток насыщения увеличится на 1%
Таким образом, чувствительность тока насыщения к изменению к площади поперечного сечения выше, чем к изменению сечение захвата.
П/п диода выполняет роль выпрямителя, пропуская ток лишь в одном направлении (выпрямитель тем лучше, чем меньше Iобр). При комнатной температуре ток Is составляет несколько мкА для Ge диодов и несколько нА для Si диодов.
Похожие работы
... ; – температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации, где DUст – отклонение напряжения Uст от номинального значения Uст ном при изменении температуры в интервале DТ. Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости Сзар от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрически ...
... плана ФЭ. Большое разнообразие моделей РК приводит к необходимости использования разнообразных способов и технических средств для измерения их параметров. Как правило, статические и динамические параметры РК измеряют на разных технологических установках. Методы построения средств измерения для идентификации моделей РК могут быть сведены к следующим принципам, учитывающим особенности подключения ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
... приводит к появлению сигнала на индикаторном устройстве. Минимальное регистрируемое виброперемещение зависит от собственных шумов генератора, его мощности и стабильности, а также от механической стабильности устройства. Бесконтактное измерение параметров вибраций резонаторным методом возможно и при включении приемно-передающей антенны в частотнозадающую цепь СВЧ генератора, т.е. при ...
0 комментариев