Ознайомитися з приладами, які використовуються в лабораторній роботі. При необхідності провести юстування оптичної системи установки
Зібрати схеми зображені на рис. 6.1 а, б і дослідити прямі та зворотні ділянки ВАХ кремнієвого діода. При 295, 305, 315, 325, 335, 350 та 370 К
Зібрати електричну схему зображену на рис. 7.2
Г.Г. Ишанин, Э.Д. Панков, В.С. Радайкин. Источники и приемники излучения. – М.: Машиностроение, 1982, 222 с
Навигация
Зібрати електричну схему зображену на рис. 7.2
Фізичні основи електроніки
65115
знаков
2
таблицы
14
изображений
1. Зібрати електричну схему зображену на рис. 7.2.
2. Дослідити ВАХ низько- та високовольтних стабілітронів при трьох температурах.
Рис. 7.2 Принципова електрична схема для дослідження Ub=f(T)
3. Побудувати графіки I=f(U). Визначити з цих залежностей напругу пробою Ub – як початкову ділянку різкого зростання струму. По знаку 
визначити механізм пробою. Визначити крутість ВАХ 
[mA/B] при однакових значеннях струму і порівняти їх величини.
4. Для тунельного пробою за формулою (7.1) визначити концентрацію Nd при заданому Ек=1,4·106 В/см та ε=12 (Si). За емпіричною формулою
(7.3)
(V1=0,018 eB, NΣ=Nd+Na см–3, NG=1017 см–3) оцінити звуження ширини забороненої зони ΔЕg. Знайти значення концентрації неосновних носіїв заряду – р. Для визначення р необхідно використати залежність
(7.4)
де ni –концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику без врахування звуження ширини забороненої зони (див. додаток 2).
У допущенні повної іонізації донорної домішки визначити положення рівня Фермі (див. ф-лу (5.5)). Зобразити одержані результати на енергетичній діаграмі.
5. Для випадку лавинного пробою за формулою (7.2) визначити ширину забороненої зони Eg (N=Nd=2·1017 см–3). Розрахувати концентрацію неосновних носіїв заряду. Визначити положення рівня Фермі. Представити одержані результати на енергетичній діаграмі.
6. Порівняти отримані результати з літературними та довідниковими даними. Зробити висновки.
Література
[1]. c. 248-278. [2]. c. 192-207. [4]. с. 270-273. [6]. с. 289-293.
Список рекомендованої літератури
1. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1979. – c. 248-278.
2. Герасимов С.М., Белоус М.В., Москалюк В.А. Физические основы электронной техники. – К.: Вища школа, 1981. – c. 192-207.
3. Кучерук І.М., Горбачук І.Т. Загальна фізика: Підручник.–2-е вид., перероб. і допов. . – К.: Вища школа, 1995. – c. 151-166.
4. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976, – с. 270–273.
5. П.Т. Орешкин Физика полупроводников и диэлектриков. – М:, Высшая школа, 1977. с. 191-210.
6. Г.И. Епифанов. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971, – с.320.
Додаток 1
Врахування спектрального розподілу густини випромінювання лампи розжарювання
Кількість енергії, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі в одиничному інтервалі частоти абсолютно чорним тілом в одиничному інтервалі частоти 
може бути знайдена за формулою Планка:
(Д.1)
де С1 і С2 – постійні (С1=3,74·10–16 Вт·м2; С2=1,438·10–2 м·К).
Якщо в якості джерела світла використовується лампа розжарювання з вольфрамовою спіраллю, то необхідно врахувати коефіцієнт чорноти для вольфраму. Відомо, що при температурі 1600 К цей коефіцієнт лінійно зменшується від 0,5 (λ=0,4 мкм) до 0,32 (λ=1,2 мкм), а при температурі 2800 К від 0,42 до 0,32 для вказаних довжин хвиль.
Для зручності користування формулу Планка записують у приведеному вигляді через безрозмірні величини X та Y:
; 
(Д.2)
де 
– значення довжини хвилі, яка відповідає максимуму випромінювання при T=const. 
знаходиться за законом Віна:
, С=2898 мкм·К. (Д.3)
З врахуванням (Д.2) формулу Планка можемо записати у зручному для розрахунків вигляді:
. (Д.4)
При приведенні результатів дослідження спектральної залежності величини фотоструму до одиниці поглинутої енергії необхідно 
ділити на відповідні значення Y з врахуванням коефіцієнта чорноти. Якщо необхідно провести нормування до одиниці поглинутих фотонів, то необхідно отриману величину розділити на енергію кванта 
. Енергію кванта зручно знаходити за формулою:
, де 
– мкм.
Література
Похожие работы
... принтера також містить різні мови опису даних (Adobe PostScript, PCL і тощо.). Ці мови знову ж таки призначені для того, щоб забрати частину роботи у комп'ютера і передати її принтеру. Розглянемо фізичний принцип дії окремих компонентів лазерного принтера. 2.5.29 Фотобарабан Як вже писалося вище, найважливішим конструктивним елементом лазерного принтера є фотобарабан, що обертається, за ...
... яка була накопичена до п'ятидесятих років у радіочастотній й оптичній спектроскопії і які згодом отримали своє використання у квантовій електроніці. Розділ 2. Основні поняття квантової електроніки (фізичні основи квантової електроніки) Принцип дії лазера або мазера заснований на трьох «китах» – головних поняттях квантової електроніки, а саме на поняттях вимушеного випромінювання, інверсного ...
... івкові катоди, наприклад сурм'яно-цезієві, що характеризуються виборчою фотоелектронною емісією. Вони мають максимальну чутливість до променів певної частини спектра. Чутливість – основний параметр фотоелектронного приладу. Розрізняють інтегральну (світлову) і спектральну чутливість. Інтегральна чутливість – це чутливість фотокатода до сумарного, не розкладеному в спектр, світловому потоку. Вона ...
... (задаючий) показує, яким чином виконуються помітки суміщення й обов'язкові для складних приладів тестові структури, що дозволяють перевіряти роздільну здатність фотолітографії, технологічні параметри (поверхневий опір, дефекти окисла) і електричні параметри пристрою. До другого виду відносяться вказівки про методику і критерії контролю характеристик виготовлених шаблонів: розмірів, сумісності, ...
0 комментариев