Ознайомитися з приладами, які використовуються в лабораторній роботі. При необхідності провести юстування оптичної системи установки
Зібрати схеми зображені на рис. 6.1 а, б і дослідити прямі та зворотні ділянки ВАХ кремнієвого діода. При 295, 305, 315, 325, 335, 350 та 370 К
Зібрати електричну схему зображену на рис. 7.2
Г.Г. Ишанин, Э.Д. Панков, В.С. Радайкин. Источники и приемники излучения. – М.: Машиностроение, 1982, 222 с
Навигация
Г.Г. Ишанин, Э.Д. Панков, В.С. Радайкин. Источники и приемники излучения. – М.: Машиностроение, 1982, 222 с
Фізичні основи електроніки
65115
знаков
2
таблицы
14
изображений
1. Г.Г. Ишанин, Э.Д. Панков, В.С. Радайкин. Источники и приемники излучения. – М.: Машиностроение, 1982, 222 с.
2. Л.З. Криксунов. Справочник по основам инфракрасной техники. – М.: Советское радио, 1978, – 400 с.
Додаток 2
Властивості власних напівпровідників Si, Ge і GaAs при 300 К
| Si | Ge | GaAs | |
| Ширина забороненої зони Еg, еВ | 1,1 | 0,66 | 1,43 |
| Ефективна густина станів, см–3: NC NV | 2,8·1019 1,02·1019 | 1,04·1019 6,1·1018 | 4,4·1017 8,6·1018 |
| Власна концентрація, ni, см–3 | 1,45·1010 | 2,4·1013 | 1,3·107 |
| Дрейфова рухливість електронів і дірок, см2/(В·с) μn μp | 1350 480 | 3900 1900 | 8500 400 |
| Дрейфова швидкість насичення електронів і дірок, см/с vsn vsp | 1·107 8·106 | 6·106 6·106 | 1·107 – |
| Питомий опір ρ, Ом·см | 2,3·105 | 47 | 5·106 |
| Відносна діелектрична проникність ε | 12 | 16 | 11 |
| Електричне поле пробою Екр, кВ/см | 300 | 100 | 400 |
| Коефіцієнт теплопровідності λ, Вт/(см·К) | 1,45 | 0,64 | 0,46 |
| Питома теплоємність С, Дж/(г·К)) | 0,7 | 0,31 | 0,35 |
Похожие работы
... принтера також містить різні мови опису даних (Adobe PostScript, PCL і тощо.). Ці мови знову ж таки призначені для того, щоб забрати частину роботи у комп'ютера і передати її принтеру. Розглянемо фізичний принцип дії окремих компонентів лазерного принтера. 2.5.29 Фотобарабан Як вже писалося вище, найважливішим конструктивним елементом лазерного принтера є фотобарабан, що обертається, за ...
... яка була накопичена до п'ятидесятих років у радіочастотній й оптичній спектроскопії і які згодом отримали своє використання у квантовій електроніці. Розділ 2. Основні поняття квантової електроніки (фізичні основи квантової електроніки) Принцип дії лазера або мазера заснований на трьох «китах» – головних поняттях квантової електроніки, а саме на поняттях вимушеного випромінювання, інверсного ...
... івкові катоди, наприклад сурм'яно-цезієві, що характеризуються виборчою фотоелектронною емісією. Вони мають максимальну чутливість до променів певної частини спектра. Чутливість – основний параметр фотоелектронного приладу. Розрізняють інтегральну (світлову) і спектральну чутливість. Інтегральна чутливість – це чутливість фотокатода до сумарного, не розкладеному в спектр, світловому потоку. Вона ...
... (задаючий) показує, яким чином виконуються помітки суміщення й обов'язкові для складних приладів тестові структури, що дозволяють перевіряти роздільну здатність фотолітографії, технологічні параметри (поверхневий опір, дефекти окисла) і електричні параметри пристрою. До другого виду відносяться вказівки про методику і критерії контролю характеристик виготовлених шаблонів: розмірів, сумісності, ...
0 комментариев