2.1. Конструкция светодиодов.
В излучателе плоской конструкции (рис.1,а) излучающий пере-
ход выполнен или диффузией, или эпитаксией. Штриховыми линиями
показаны лучи, которые из-за полного внутреннего отражения от
границы раздела не выходят из кристалла. Из кристалла выходят
только те лучи, которые с нормалью составляют угол 7Q, 0arcsin
n 41 0/n 42 0. Для арсенида галия и фосфида галия - это конус с углом у
вершины не более 35 5o 0. Такая конструкция является самой дешёвой и
простой. Однако она наименее эффективна, ей соответствует узкая
диаграмма направленности излучения (рис. 2).
Геометрические размеры полусферической конструкции светоди-
ода (рис. 1,б) таковы, что R 7. 0r 77 0(n 42 0/n 41 0). В этом случае всё излу-
чение попадает на границу раздела под углом, совпадающим с нор-
малью, и полностью выходит наружу. Эффективность полусферической
конструкции - самая высокая. Она примерно в десять раз превышает
эффективность плоской конструкции. Однако она намного дороже и
сложнее в изготовлении.
Плоский кристалл светодиода может быть покрыт каплей эпок-
сидной смолы, выполняющей роль линзы (рис. 1,в). Смола имеет ко-
эффициент преломления промежуточный между воздухом и кристаллом.
Это позволяет несколько увеличить светящуюся поверхность диода.
В последнем случае смола подкрашивается под цвет излучения све-
тодиода. Большинство сигнальных и отображающих светодиодов вы-
полняется такой конструкции.
Принципиальное устройство светодиода показано на рис. 3.
Светодиоды могут изготавливаться и бескорпусными. Тогда их раз-
меры определяются размерами кристалла (0,4 7& 00,4 мм 52 0).
- 12 -
2.2. Свойства светодиодов.
Вольт-амперная характеристика светодиода аналогична
вольт-амперной характеристике кремниевого диода: она имеет круто
возрастающую прямую ветвь. На этом участке динамическое сопро-
тивление мало и не превышает нескольких ом. Обратные напряжения
невелики (3,5...7,5 В). Светодиод не рассчитан на значительные
обратные напряжения и легко может быть пробит, если не принять
соответствующих мер защиты. Если светодиод должен работать от
сети переменного тока, то последовательно с ним включается крем-
ниевый диод, который работает как выпрямляющий вентиль. В стати-
ческом режиме номинальный ток в зависимости от типа светодиода
лежит в пределах от 5...10 мА до 100 мА.
Яркость высвечивания светодиода или мощность излучения
практически линейно зависит от тока через диод в широком диапа-
зоне изменения токов. Исключение составляют красные GaP - свето-
диоды, у которых с ростом тока наступает насыщение яркости
(рис. 4). Это необходимо иметь в виду, когда светодиод использу-
ется в импульсном режиме для получения больших выходных яркостей.
При постоянном токе через светодиод его яркость с ростом
температуры уменьшается. Для красных GaP - светодиодов повышение
температуры по сравнению с комнатной на 20 5o 0 уменьшает их яркость
примерно на 10%, а зелёных - на 6%. С ростом температуры сокра-
щается срок службы светодиодов. Так, если при 25 5o 0C срок службы
хороших светодиодов достигает 100000 ч, то при 100 5o 0C он сокраща-
ется до 1000 ч. Также сокращается срок службы светодиода с уве-
личением его тока. Поэтому завышать ток по сравнению с его мак-
симально допустимым паспортным значением не рекомендуется.
- 13 -
Спектральный состав излучения светодиодов определяется ма-
териалом, из которого они изготовлены, и легирующими примесями.
Сравнительные спектральные характеристики для основных материа-
лов приведены на рис. 5, а в табл. 2 даны основные параметры не-
которых промышленных типов светодиодов.
ш1
Таблица 2. Параметры некоторых типов светодиодов.
╔════════╤══════════╤═════════╤══════════════╤═════════════════╗
║ │ │ │ Входные │ Выходные ║
║ │ │ │ параметры │ параметры ║
║ Тип │ Материал │ Цвет ├───────┬──────┼─────────┬───────╢
║ │ │ 7l 0, нм │ │ │ P, мВт │ L 4v 0, ║
║ │ │ │ I, мА │ U, В │ ─────── │ кд/м 52 0 ║
║ │ │ │ │ │ I 4v 0, мкд │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │ │ │ │ ║
║ АЛ102А │ GaP │ ─────── │ 5 │ 3,2 │ ──── │ 5 ║
║ │ │ 700 │ │ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ зелёный │ │ │ │ ║
║ АЛ102Д │ GaP │ ─────── │ 20 │ 2,8 │ ──── │ 40 ║
║ │ │ 556 │ │ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ жёлтый │ │ │ │ ║
║ FLV450 │ GaP │ ─────── │ 20 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ 570 │ │ │ 3,2 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ зелёный │ │ │ │ ║
║ FLV350 │ GaP │ ─────── │ 20 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ 560 │ │ │ 3,2 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │ │ │ │ ║
║ FLV250 │ GaP │ ─────── │ 10 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ 700 │ │ │ 3 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │ │ │ │ ║
║ FK510 │ GaAsP │ ─────── │ 20 │ 1,6 │ ──── │ ║
║ │ │ 660 │ │ │ 2 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │ │ │ │ ║
║ TIL210 │ GaAsP │ ─────── │ 50 │ 1,8 │ │ 2400 ║
║ │ │ 670 │ │ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │ │ │ │ ║
║ АЛ307А │ GaAlAs │ ─────── │ 1 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ 700 │ │ │ 0,15 │ ║
╙────────┴──────────┴─────────┴───────┴──────┴─────────┴───────╜
.
- 14 -
╓────────┬──────────┬─────────┬───────┬──────┬─────────┬───────╖
║ │ │ красный │ │ │ │ ║
║ АЛ307Б │ GaAlAs │ ─────── │ 1 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ 700 │ │ │ 0,6 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │ │ │ 6 │ ║
║ АЛ107А │ GaAs │ 920 │ 100 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ │ │ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │ │ │ 1 │ ║
║ ЗЛ103А │ GaAs │ 900 │ 50 │ 1,6 │ ──── │ ║
║ │ │ │ │ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │ │ │ 2 │ ║
║ TIXL05 │ GaAs │ 900 │ 750 │ 1,8 │ ──── │ ║
║ │ │ │ │ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │ │ │ 0,05 │ ║
║ TIL01 │ GaAs │ 900 │ 50 │ 1,3 │ ──── │ ║
║ │ │ │ │ │ │ ║
╚════════╧══════════╧═════════╧═══════╧══════╧═════════╧═══════╝
ш0
... оптического квантового генератора - лазера (1960 г.). Примерно в то же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое распространение светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприёмники, устройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектроники. 1.2. Генерация света. Оптический диапазон составляют электромагнитные волны, длины которых простираются от 1 мм до ...
... , отсутствием необходимости определения толщины и удельного сопротивления металлического слоя, уменьшением числа операций обработки результатов. Формула изобретения Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл, включающий последовательное нанесение напылением на диэлектрическую подложку через трафарет слоя металла (в виде змейки) толщиной 200 нм, слоя дийодида ...
... (более 104 см-2). Поэтому монокристаллы GaP не обладают пригодной для практики люминесценцией и для получения светоизлучающих р-n-переходов необходимо выращивать эпитаксиальные слои GaP. 2 РАСЧЕТ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ СВЕТОДИОДА 2.1 Основные параметры светодиода Uгас. – напряжение гасящее; Uпит. – напряжение питания; Uсв. – напряжение светодиода; Iсв. – ток светодиода ; Rсв. – ...
... большие габариты, малый КПД, потребность во внешнем устройстве накачки являются основными причинами, по которым этот источник не используется в современных ВОСП. Практически во всех волоконно-оптических системах передачи, рассчитанных на широкое применение, в качестве источников излучения сейчас используются полупроводниковые светоизлучающие диоды и лазеры. Для них характерны в первую очередь ...
0 комментариев