От изменения теплового тока: чем меньше тепловой ток, тем больше прямое напряжение
Частотные и импульсные свойства p-n-перехода
Переход металл-полупроводник
Параметры выпрямителей с любым характером нагрузки
Г-образный индуктивно-емкостный LC-фильтр
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Физическая и математическая модели транзистора
Система h-параметров (смешанные или гибридные параметры)
Рекомендации по выбору транзисторов при использовании
Усилители напряжения звуковых и средних частот
Расчет элементов смещения и температурной стабилизации
Определение протяженности рабочего участка
Параметры усиления
УНИПОЛЯРНЫЕ (ПОЛЕВЫЕ) ТРАНЗИСТОРЫ
Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
Стоковые характеристики и параметры МОП-транзисторов
Инженерные модели полевых транзисторов
Схемы включения полевых транзисторов в рабочем режиме
Параметры транзисторного ключа
Навигация
Инженерные модели полевых транзисторов
Теория
128780
знаков
35
таблиц
0
изображений
3.4. Инженерные модели полевых транзисторов
3.4.1. Полевой транзистор с управляемым p-n-переходом
По правилам строгая эквивалентная схема канального транзистора предполагает использование модели с распределенными параметрами, так как области канала и затвора представляют собой распределенную RC-цепь. Однако расчеты, связанные с такой моделью, получаются неоправданно сложными, поэтому в инженерной практике используют эквивалентную схему с сосредоточенными параметрами (рис. 3.11). Схема дана без учета индуктивностей выводов полевого транзистора (ПТ), влияние которых проявляется в диапазоне частот свыше 300 мГц. В схеме:
S*(w) - действующая крутизна транзистора;
Сзи, Сзс, Rзи, Rзc - соответственно емкости и сопротивления обратносмещенного перехода;
rзи и rзс - омические сопротивления области затвора;
rси - дифференциальное сопротивление канала (его нередко называют внутренним сопротивлением);
rс - сопротивление области стока;
rи - сопротивление области истока.
|
С учетом практических областей использования ПТ эквивалентную схему можно упростить. Так, например, сопротивления Rзи, Rзc имеют величины 108-1010 Ом, поэтому учитывать их целесообразно только при использовании ПТ в схемах электрометрии. Влияние омических сопротивлений области затвора rзи и rзс (их величина не превышает 10-20 Ом) незначительно вплоть до предельной частоты генерации. Влияние дифференциального сопротивления канала в типовом для усилительных схем диапазоне частот (до 0,7 fг) на усилительные и частотные свойства ПТ может также не учитываться. Анализ и расчеты частотной зависимости крутизны ПТ показывают, что для современных ПТ граничная частота крутизны превышает предельную частоту генерации транзистора в 2-5 раз, поэтому в типовом диапазоне
использования ПТ зависимость крутизны ПТ от частоты может не учитываться: граничная частота крутизны определяется как частота, на которой
модуль крутизны уменьшается в по сравнению с его максимальным значением. На основании этих аргументов эквивалентная схема (рис. 3.11) может быть упрощена до вида (рис. 3.12).
Рис. 3.12. Упрощенная эквивалентная схема полевого канального транзистора
Эта схема вполне пригодна для инженерных расчетов усилителей на ПТ и широко используется разработчиками электронной аппаратуры. В упрощенной схеме ПТ крутизна S - реальная величина, измеренная в статическом режиме.
3.4.2. Полевой МОП-транзистор с изолированным затвором
В отличие от канального транзистора в МОП-транзисторе необходимо еще учитывать активное влияние подложки, которое в эквивалентной схеме для МОП-транзистора можно отразить в виде генератора тока. В реальных дискретных и интегральных схемах подложку обычно соединяют с истоком и тогда генератор тока можно исключить из схемы. Кроме того, сопротивления участков затвор-исток и затвор-сток в МОП-транзисторе учитывают сопротивление диэлектрика в области затвора. Входное сопротивление ПТ со стороны затвора составляет не менее 1014-1017 Ом, поэтому с этими сопротивлениями реально нужно считаться только в электрометрических схемах. На основании проведенного анализа в данной работе будет дана только упрощенная эквивалентная схема МОП-транзистора (рис. 3.13), используемая в типовых инженерных расчетах усилителей.
Крутизна по затвору в этой схеме предполагается не зависящей от частоты. Кроме того, в схеме отсутствует сопротивление участка «подложка-сток» (Rпс), но оно так велико по сравнению с сопротивлением канала (rси), что с его шунтирующим действием можно не считаться.
Более подробное описание эквивалентных схем полевых транзисторов с объемным и приповерхностным каналами дано в [1].
|
3.5. Полевые транзисторы в рабочем режиме
Принцип построения усилительных схем на полевых транзисторах практически не отличается от схем на биполярных транзисторах (входная, выходная цепи, цепи автосмещения, цепи обратной связи и т.д.). Принципиальной разницей является отсутствие входных токов у полевого транзистора, поэтому схемы автосмещения построены таким образом, чтобы эти токи не появились. Входные сопротивления усилителей на полевых транзисторах очень велики, поэтому там, где стоит вопрос о согласовании низкоомной нагрузки с высокоомной, полевые транзисторы имеют явное преимущество перед биполярными; это, конечно, не значит, что у биполярных транзисторов нет преимуществ перед полевыми.
Похожие работы
кую и дидактическую функции с учетом ситуации в российской социологии. Направления фундаментального уровня различаются и систематизируются в концепции преподавания социологической теории на основе их существенной связи с различными решениями важнейших философских, теоретико-познавательных и мировоззренческих проблем, сформулированных в истории европейской социальной мысли относительно природы ...
... смешанными стратегиями игроков 1 и 2 называются такие наборы хо, уо соответственно, которые удовлетворяют равенству Е (А, х, y) = Е (А, х, y) = Е (А, хо, уо). Величина Е (А, хо ,уо) называется при этом ценой игры и обозначается через u. Имеется и другое определение оптимальных смешанных стратегий: хо, уо называются оптимальными смешанными стратегиями соответственно игроков 1 и 2, если они ...
... Доказать: По определению второй смешанной производной. Найдем по двумерной плотности одномерные плотности случайных величин X и Y. Т.к. полученное равенство верно для всех х, то подинтегральные выражение аналогично В математической теории вероятности вводится как базовая формула (1) ибо предлагается, что плотность вероятности как аналитическая функция может не существовать. Но т.к. в нашем ...
... была построена теория вложения функциональных пространств, которые в настоящее время носят название пространств Соболева. А.Н. Тихоновым была построена теория некорректных задач. Выдающийся вклад в современную теорию дифференциальных уравнений внесли российские математики Н.Н. Боголюбов, А.Н. Колмогоров, И.Г. Петровский, Л.С. Понтрягин, С.Л. Соболев, А.Н. Тихонов и другие. Влияние на развитие ...
0 комментариев