Приклад розрахунку еквівалентної схеми

3.4 Приклад розрахунку еквівалентної схеми

Паразитна ємність монтажу між двома провідниками . Кожний провідник має ємність відносно корпусу . На провідник поступає сигнал змінної напруги  з частотою . Виникає питання: яка напруга шумів наводиться на провідник В, якщо підключений до його кінця резистор R має:

а) нескінченний опір, б) R=1000 Oм, в) R=50 Ом.

Зобразимо фізичну модель та відповідну еквівалентну схему.

В випадку, коли , цей опір можна відкинути.

Тоді

.

В випадку, коли , комплексний опір паралельного з’єднання

,

а комплексний загальний опір

.

Повний опір

.

Враховуючи, що , при R=1000 Ом . Цього значення напруги наведення досить, щоб перевантажити деякі підсилювачі й тоді підсилення корисного сигналу стане неможливим.

При R=50 Ом в результаті одержимо . Цього значення напруги досить, щоб перевантажити деякі мікросхеми і тоді підсилення корисного сигналу стане неможливим.

3.5 Екранування

Екранування здійснює захист приймача від дії електричних, магнітних та електромагнітних полів джерела з допомогою металевих екранів. Розрізняють зовнішнє та внутрішнє екранування. При зовнішньому екрануванні електричні кола з відносно низькими енергетичними рівнями захищають від впливу зовнішніх відносно них полів завад. З допомогою екрану навколо приймача створюється частина простору, в якому ослаблена дія полів завад. При внутрішньому екрануванні обмежується простір навколо джерела завад і тим самим обмежується поширення енергії від власного внутрішнього поля об’єкту, наприклад поля вихідного каскаду підсилювача проміжної частоти.

Ефективне екранування потребує врахування багатьох і різноманітних обставин, моделі яких повинні бути представлені фізично переконливо та математично просто.

Не зважаючи на те, що практично дуже важко виділити суто електричне, магнітне чи електромагнітне поле, з методичної точки зору зробити це дуже важливо. Бо саме характер поля завад визначає якісно той чи інший спосіб екранування. Відповідно розрізняють електростатичне, магнітостатичне та електромагнітне екранування.

Дія екрана залежно від його взаємодії з полем завади може грунтуватися на одному з трьох принципів: відбиття від екрана, шунтування та поглинання екраном електромагнітних хвиль. Відповідні екрани називають відбивними (електромагнітними), шунтувальними (магнітостатичними) і поглинальними (електростатичними та електромагнітними).

Ефективність екранування S визначається відношенням напруг, струмів, напруженостей електричного та магнітного полів в області екранування при відсутності та наявності екрана:

   .(3.8)

В техніці провідникового зв’язку ефективність екранування прийнято оцінювати в неперах:

(3.9)

В радіотехніці екранне затухання оцінюють в децибелах:

(3.10)

При цьому В=0,115А або А=8,7В.

3.6 Екранування електростатичного поля

Електростатичне екранування грунтується на замиканні електричного екрана (паразитної ємності ) на шину з нульовим потенціалом (корпусом, “землею”).

Розглянемо типовий випадок електростатичного наведення (рис. 3.7), тобто ємнісний зв'язок між джерелом А та приймачем В, та встановимо спосіб його зменшення.

а) б)

Рис. 3.7. Електростатичне наведення:

а) – фізична модель; б) – еквівалентна схема

Джерело завади А має постійну напругу чи напругу , що повільно змінюється. У приймачі В в наслідок електромагнітної індукції наводяться заряди, і він набуває потенціалу . Згідно розглянутому вище прикладу

(3.11)

або

.(3.12)

Згідно формули (3.12) для зменшення наведеної напруги  треба збільшити відношення ємностей . Для цього треба або збільшити ємність , або зменшити ємність . Збільшення  означає збільшення вхідної ємності та ємності монтажу, а ці можливості дуже обмежені. Зменшення  можна здійснити шляхом збільшення відстані між джерелом А і приймачем В. Тому саме цей спосіб реалізують на практиці. Графік залежності  від  при сталих інших параметрах зображений на рис. 3.8.

Рис. 3.8. Залежність напруги наведення від ємності завад

Але збільшення відстані між джерелом і приймачем може привести до збільшення габаритів всього пристрою. Задачу зменшення напруги наведення можна здійснити з допомогою екрану.

Спочатку розглянемо незаземлений екран в вигляді плоскої пластини та відповідну еквівалентну схему (рис. 3.9).

а) б)

Рис. 3.9. Дія плоского екрана:

а – фізична модель; б – еквівалентна схема.

Елементи , ,  та  утворюють подвійний ємнісний дільник напруги. В першому наближенні приймаємо, що . Для подвійного дільника, що утворює плоский незаземлений екран

. (3.13)

Дослідимо рівняння (3.13), враховуючи, що  та . Розглянемо два часткові випадки та порівняємо  згідно формули (3.11).

Спочатку нехай екран достатньо віддалений від землі і знаходиться між джерелом А та приймачем В. Спробуємо екран наблизити до джерела А. Це призведе до того, що  стане на порядок більше  (). Так як , то

,(3.14)

бо це рівносильно умові

,

а .

З умови (3.13) згідно (3.11) та (3.14) випливає, що

,

бо . Отже при наближенні екрана до джерела завад навіть одержали, що , тобто при наближенні екрана до джерела А наведена на приймачі В напруга  більша наведеної напруги  без екрана. Аналогічний висновок одержимо при зміщенні екрана до приймача В. В силу симетрії ємностей  та  зразу можна стверджувати, що знову одержимо . Отже найменша наведена напруга буде при розташуванні плоского екрана рівно по середині між джерелом А та приймачем В.

Тепер нехай екран знаходиться по середині між джерелом А і приймачем В. При цьому екран будемо наближати до землі. Це означає, що >>. Тоді

При граничному переході , що відповідає заземленню екрана, одержимо, що . Але в цьому випадку треба враховувати . Хоча значення  досить мале, але воно не дорівнює нулеві. Тоді при заземленому екрані

,

оскільки .

Таким чином, найбільшого ефекту екранування можна досягти при заземленому екрані, коли ємності  та  закорочуються на землю, а ємність  зменшується до величини  (за рахунок збільшення довжини силових ліній електростатичного поля між точками А і В). Ефективність екранування .

Екран, що погано з’єднаний з землею або має значну індуктивність з’єднуючого провідника (рис.3.10, б), різко знижує ефективність екранування.

Металева кришка (рис. 3.10, а) поліпшує ефективність екранування, хоча й не знаходиться між джерелом А і приймачем В, але при умові, якщо кришка щільно прилягає до корпусу. Тоді ємності  та  не зв’язують тіла А і В, а залишиться лише паразитна ємність  яка набагато менша паразитної ємності . Якщо ж між кришкою і корпусом буде проміжок, то з’являється вплив , і як наслідок, вплив ємностей  та , які значно більші паразитної ємності. Така кришка погіршить ефективність екранування.

а)

б)

Рис. 3.10. Вплив характеру заземлення:

а – щільність прилягання металевої кришки,

б – індуктивність провідника з’єднання

При замкнутому електростатичному екрані паразитна ємність  і ефективність екранування . В реальних конструкціях є отвори для доступу в середину екрана, і оцінити паразитну ємність можна лише експериментально. Якщо отвори і щілини екрана співрозмірні з довжиною електромагнітних хвиль, то через них може проникати електромагнітне поле. Тому отвори і щілини роблять достатньо малими.

Ефективність екранування електростатичного поля не залежить від товщини екрана та марки металу, з якого виготовлено екран. Тому часто електростатичні екрани виготовляють в вигляді тонкого шару металізованого діелектрика (нижньої сторони металокерамічного корпуса ІС, пластмасового каркаса екрана котушок індуктивності), що з’єднується з землею.

Похожие работы

Викладання дисципліни "Конструювання обчислювальної техніки"

Скачать

26414

9

9

... до студентів інформацію зрозуміло та цікаво. 7.3. 20.03.09 Робота з навчально-методичною літературою. Відвідування бібліотеки. Підготовка до практичних робіт з дисципліни "Основи конструювання ОТ" 7.4. 24.03.09 Обговорення з керівником асистентської практики. 7.5 25.03.09 Участь в методичному семінарі кафедри. Ознайомились з науково-дослідною роботою ...

Історія розвитку обчислювальної техніки

Скачать

50107

0

18

... "ВНІЇЕМ-3", а також надшвидкодіюча БЕСМ-6 з продуктивністю 1 млн операцій в секунду. 2.3 Третє покоління комп'ютерів Поява інтегрованих схем започаткувала новий етап розвитку обчислювальної техніки - народження машин третього покоління. Інтегрована схема, яку також називають кристалом, являє собою мініатюрну електронну схему, витравлену на поверхні кремнієвого кристала площею приблизно 10 ...

Логіко-методологічні аспекти технічного знання

Скачать

28971

0

0

... рахунку всі науково-технічні поняття є відображенням технічного об'єкта. Поняття “технічний об'єкт” і “об'єкт технічної науки” виконують різну методологічну функцію у філософському аналізі техніки і науково-технічного пізнання. У понятті “технічний об'єкт” фіксується реально змінювана в практиці сторона об'єктивного світу. Технічний об'єкт відображається у філософських, суспільних, природних і ...

Практично-прикладні завдання професійно-технічної освіти

Скачать

104532

0

2

... ів з професій (Типові навчальні плани і програми, кваліфікаційні характеристики і т. ін.), що входять до цього переліку, практично робить неможливим перехід на підготовку робітничих кадрів згідно з означеним документом, оновлення змісту професійно-технічної освіти. Сьогодні, на нашу думку, першочерговим завданням у розв'язанні проблеми розробки і впровадження державних стандартів профтехосвіти у ...