Среднее превышение температуры обмотки статора над окружающей средой

5.  Среднее превышение температуры обмотки статора над окружающей средой.

 (2.5.109)

2.6 Расчет надежности

Свойство изделия, обеспечивающее его возможность выполнять заданные функции, сохраняя свои эксплуатационные показатели в заданных пределах в течение требуемого промежутка времени или требуемой наработки, называют надежностью системы. Для медицинской промышленности проблема надежности имеет большое значение. Во-первых выход из строя медицинской техники приводит к ее простою, а это ухудшает показатели системы массового обслуживания, в которой эта техника работает; во-вторых, возникает проблема квалифицированного ремонта, которую, учитывая специфику работы учреждений здравоохранения, решить не просто; в-третьих, неисправность медицинской техники может вызвать крайне нежелательные проблемы для пациента: врач может поставить неверный диагноз или нарушить требуемую дозировку терапевтического воздействия. Наконец, в ряде случаев, если устройство входит в систему жизнеобеспечения (например, наркозная или реанимационная техника), отказ в устройстве создает непосредственную угрозу жизни больного. Такой же результат наблюдается и в случае отказа, нарушающего электробезопасность устройства.

Правильный выбор и назначение показателей надежности зависят в основном от той функциональной задачи, которую выполняет изделие в лечебно – диагностическом процессе.

В данном разделе проводится расчет надежности блока управления аппарата искусственной вентиляции легких «Спирон-201».

Блок управления содержит следующие элементы: плата питания ИМ, плата питания ИС, плата ввода – вывода, плата управления индикацией, микроконтроллер, плата питания ВИП.

Коэффициенты нагрузки, интенсивности отказов и поправочные коэффициенты взяты из справочников [2,3,4] и сведены в таблицах 2.6.1, 2.6.2, 2.6.3.2.6.4, 2.6.5. Рабочая температура дается в соответствии с паспортными данными прибора по [1].

Для повышения вероятности безотказной работы соединителей и дорожек монтажных применено их дублирование. Следовательно, вероятность безотказной работы соединителей и дорожек монтажных рассчитывается по формулам:

P_п(t) = 1 – (1 – e^{-λс t})² (2.6.1)

P_Д(t) =1 – (1 – e^{-λД t})²(2.6.2)

Вероятность безотказной работы остальных элементов блока управления определяется уточненным средне – групповым методом по формуле:

, (2.6.3)

где l_i- интенсивность отказа элемента;

P_{общ i}(t) = P_c(t)· P_д(t)·P(t) (2.6.4)

Вероятность безотказной работы всего блока управления рассчитывается по формуле:

 

P_у=å P_{общ i}(t) (2.6.5)

Вероятность безотказной работы рассчитывается в течение заданной наработки на отказ и в течении средней интенсивности эксплуатации.

Рассчитаем вероятность безотказной работы платы питания ВИП (таблица 2.6.1)

L=ål_I=1,0345*10^-6

P_{общ. 1}(2000)= e^{-L 2000}= e^-0,0021=0,997

P_{общ. 1}(8)= e^{-L 8}= e^-0,00=0,99997

Рассчитаем вероятность безотказной работы платы ввода – вывода (таблица 2.6.2)

L=ål_I=26,51*10^-6

P(2000)= e^{-L 2000}= e^-0,053=0,988

P(8)= e^{-L 8}= e^-0,00021=0,9997

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lп 2000})=1 – (1 – e^-0,002)=0,99999

P_п(8)= 1 – (1-e^{-lп 8)}=1 – (1 – e^-0,000008)=0,999999999

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lд 2000})=1 – (1 – e^-0,003)=0,99999

P_д(8)= 1 – (1-e^{-lд 8)}=1 – (1 – e^-0,000012)=0,99999998

Р_{общ. 2}(2000)= Р(2000)×Р_д(2000)×Р_п(2000)=0,988×0,99999×0,99999=0,988

Р_{общ. 2}(8)= Р(8)×Р_д(9)×Р_п(8)=0,9997×0,999999999×0,99999998=0,9996

2.6.3 Рассчитаем вероятность безотказной работы платы питания ИМ (таблица 2.6.3)

L=ål_I=2,773*10^-6

P(2000)= e^{-L 2000}= e^-0,00555=0,9988

P(8)= e^{-L 8}= e^-0,000022=0,99999

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lп 2000})=1 – (1 – e^-0,0005)=0,999999

P_п(8)= 1 – (1-e^{-lп 8)}=1 – (1 – e^-0,000002)=1

P_д(2000)= 1 – (1-e^{-lд 2000})=1 – (1 – e^-0,00093)=0,999999

P_д(8)= 1 – (1-e^{-lд 8)}=1 – (1 – e^-0,0000037)=1

Р_общ.3(2000)= Р(2000)×Р_д(2000)×Р_п(2000)=0,9988×0,999999×0,999999=0,998

Р_общ.3(8)= Р(8)×Р_д(8)×Р_п(8)=0,99999×1×1=0,99999

Рассчитаем вероятность безотказной работы платы питания МС (таблица 2.6.4)

L=ål_I=15,7857*10^-6

P(2000)= e^{-L 2000}= e^-0,0318=0,989

P(8)= e^{-L 8}= e^-0,000127=0,9998

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lп 2000})=1 – (1 – e^-0,00074)=0,999999

P_п(8)= 1 – (1-e^{-lп 8)}=1 – (1 – e^-0,0000029)=1

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lд 2000})=1 – (1 – e^-0,00138)=0,99999

P_д(8)= 1 – (1-e^{-lд 8)}=1 – (1 – e^-0,0000055)=1

Р_общ.4(2000)= Р(2000)×Р_д(2000)×Р_п(2000)=0,989×0,999999×0,99999=0,98899

Р_общ.4(8)= Р(8)×Р_д(9)×Р_п(8)=0,9998×1×1=0,9998

Рассчитаем вероятность безотказной работы платы управления индикацией (таблица 2.6.5)

L=ål_I =28,1*10^-6

P(2000)= e^{-L 2000}= e^-0,0562=0,98

P(8)= e^{-L 8}= e^-0,00022=0,9997

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lп 2000})=1 – (1 – e^-0,0014)=0,999999

P_п(8)= 1 – (1-e^{-lп 8)}=1 – (1 – e^-0,0000058)=1

P_п(2000)= 1 – (1-e^{-lд 2000})=1 – (1 – e^-0,0039)=0,99998

P_д(8)= 1 – (1-e^{-lд 8)}=1 – (1 – e^-0,00002)=1

Р_общ.5(2000)= Р(2000)×Р_д(2000)×Р_п(2000)=0,98×0,999999×0,99998=0,98

Р_общ.5(8)= Р(8)×Р_д(9)×Р_п(8)=0,9997×1×1=0,9997

Вероятность безотказной работы всего блока управления

Р_у.(2000)=Р_общ.1(2000)×Р_общ.2(2000) ×Р_общ.3(2000) ×Р_общ.4(2000)

×Р_общ.5(2000) × Р_общ.6(2000),

Р_у.(8)=Р_общ.1(8)×Р_общ.2(8) ×Р_общ.3(8) ×Р_общ.4(8)

×Р_общ.5(8) × Р_общ.6(8),

где Р_общ.6(2000)=0,989 и

Р_общ.6(8)=0,9998 – вероятность безотказной работы микроконтороллера.

Р_у(8)= 0,9996×0,99997×0,99999×0,9998×0,9997×0,9998=0,9988

Р_у(2000)=0,997×0,988×0,998×0,98899×0,98×0,989=0,968

Полученная вероятность безотказной работы соответствует ГОСТу Р50444–92 для изделий класса А.

Определим среднюю наработку до отказа:

Т=1/L_общ,

L_общ.=88,56 – суммарный поток отказов.

Т=1/88,56×10³=11290 часов.

Наименование и тип элемента	Обозначение по чертежу	Количество Ni	Интенсивность отказа при номинальном режиме l0i*10-6 1/ч	Режим работы		Поправочный Коэффициент Аi	Интенсивность отказов i-го элемента Аi * loi *10-6, 1/ч	Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
				Коэф-т нагрузки Кн	Температура рабочая Т,о С
Микросхемы: К142ЕН9Е	D1	1	0,1	0,5	40	1	0,1	0,1
Резисторы: С2-33Н – 0,5–75 ОМ±5% С2-33Н – 0,5–3 кОМ±5% Конденсаторы: К50–24–63В-2200 мкФ К73–11–250В – 0,33 мкФ К50–24–63В-100мкФ Прибор выпрямительный КЦ402А Индикатор единичный АЛ307КМ Вилка РШ 2НМ-1–5 Пайка Провода	R1…R3   R4 С1 С2     С3   V1 V2 X1	3 1 1 1 1 1 1 1 24 18	0,04 0,04 0,135 0,035 0,135 0,02 0,2 0,01 0,004 0,015	0,5 0,5 0,9 0,9 0,9 0,5 0,8 1 1 1	40 40 40 40 40 40 40 40	2,5 2,5 0,9 0,9 0,9 0,6 1,19 1 1 1	0,1 0,1 0,1215 0,0315 0,1215 0,012 0,238 0,01 0,004 0,015	0.3 0,1 0,1215 0,0315 0,1215 0,012 0,238 0,01 0,096 0,27

Таблица 2.6.2. Плата ввода – вывода

Наименование и тип элемента	Обозначение по чертежу	Количество Ni	Интенсивность отказа при номинальном режиме l0i*10-6 1/ч	Режим работы		Поправочный Коэффициент Аi	Интенсивность отказов i-го элемента Аi * loi *10-6, 1/ч	Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
				Коэф-т нагрузки Кн	Температура рабочая Т,о С
Микросхемы: КР1006ВИ1 КР544УД1В К555ЛН1 К155ЛП9 КР590КН6 К1113ПВ1А К555ЛН2 К155ЛП10 К155ЛП11 К555ЛАЗ	D2 D3, D4, D8   D1, D9, D10   D5, D11 D12 D13 D14, D17 D15 D16 D19… D22	1 3 3 2 1 1 2 1 1 4	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5	40	1	0,1	0,1 0,3 0,3 0,2 0,1 0,1 0,2 0,1 0,1 0,4
Резисторы: С2–33Н – 0,125–3 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–820Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–3,9кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–10кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–75кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–4,7кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125- 3,3 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–330Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–160 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–8,2 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,5–510 Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–560Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–240 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,5–2 Ом±5%-А-Д СП5–22В-1Вт – 1,5 кОм±10% СП5–22В-1Вт-10 кОм±10% СП5–22В-1Вт – 1,0 кОм±10% Конденсаторы: КМ-5б-Н90–0,033 мкФ КМ-5б-Н90–0,1 мкФ К53–14–32В-15 мкФ±30% К53–14–25В-22 мкФ±30% К50–16–50В-100 мкФ-В Диод полупроводниковый КД521В Транзистор КT1817В Транзистор КТ315В Транзистор КТ819В Индикатор единичный АЛ307Км Вилка СНП58–64/94х9В-23–2–0 Пайка Провода	R1, R2, R9, R10   R3, R19, R29R31, R33, R34, R36, R42, R46, R53…R55 R4, R5 R6, R8 R11, R12     R13..R15, R17, R18, R28, R77…R82 R20   R21…R26, R47…R52   R37     R38   R39 R65…R70 R89…R94   R71…R76, R95…R100     R82…R88   R7     R5, R16, R35, R40, R41   R27       С1 С2, С3, С5, С9…С20   С4 С21, С22 С23 V1, V2       V3   V10     V25…V30     V4…V9 V13…V18     X1, X2	4 13 2 2 2 12 1 12 1 1 1 12 12 7 1 5 1 1 15 1 2 1 2 1 1 6 12 2 260 104	0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,053 0,053 0,053 0,6 0,6 0,6 0,6 0,135 0,2 0,5 0,5 0,5 0,2 0,01 0,004 0,015	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,9 0,9 0,5 0,5 0,9 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 1 1 1	40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 0,3 0,3 0,3 0,7 0,7 2 2 0,9 1,19 0,9 0,9 0,9 1,19 1 1 1	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,0159 0,0159 0,0159 0,42 0,42 1,2 1,2 0,1215 0,238 0,45 0,45 0,45 0,238 0,01 0,004 0,015	0,4 0,13 0,2 0,2 0,2 0,12 0,1 0,12 0,1 0,1 0,1 0,12 0,12 0,7 0,0159 0,0795 0,0159 0,42 6,3 1,2 2,4 0,1215 0,476 1 1 6 2,856 0,02 1,04 1,56

L=ål_I=26,51*10^-6

Таблица 2.6.3. Плата питания ИМ

Наименование и тип элемента	Обозначение по чертежу	Количество Ni	Интенсивность отказа при номинальном режиме l0i*10-6 1/ч	Режим работы		Поправочный Коэффициент Аi	Интенсивность отказов i-го элемента Аi * loi *10-6, 1/ч	Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
				Коэф-т нагрузки Кн	Температура рабочая Т,о С
Микросхемы: КР142ЕН9Е КР142ЕН9Д	D1 D2	1 1	0,1 0,1	0,5 0,5	40 40	1 1	0,1 0,1	0,1 0,1
Резисторы: С5–16МВ-5Вт – 5,1 Ом±1% С5–16МВ-2Вт – 0,1 Ом±1% С5–33Н – 0,5–3,0 кОм±5%-А-Д	R1, R2,   R3, R4 R5, R6	2 2 2	0,04 0,04 0,04	0,5 0,5 0,5	40 40 40	0,1 0,1 0,1	0,004 0,004 0,004	0,008 0,008 0,008
Конденсаторы: К50–24–63В-2200 мкФ±80 К73–11–250В – 0,33 мкФ±10% К50–24–63В-100 мкФ	С1, С2     С3, С4     С5, С6	2 2 2	0,135 0,035 0,135	0,9 0,9 0,9	40 40 40	0,9 0,9 0,9	0,1215 0,0315 0,1215	0,243 0,063 0,243
Диод полупроводниковый КД227А Транзистор КТ818В Светодиод АЛ307КМ Вилка СНП58–64/94х-9В-23–2–0 Пайка Провода	V1…V8     V9…V12     V13,V14     X1, X2	8 4 2 2 64 31	0,2 0,5 0,2 0.01 0,004 0,015	0,8 0,8 0,8 1 1 1	40 40 40 40	1,19 0,9 1,19 1 1 1	0.238 0,45 0,238 0,01 0,004 0,015	1,904 1,8 0,476 0,02 0,256 0,465

L=ål_I=2,773*10^-6

 

Таблица 2.6.4. ПЛАТА ПИТАНИЯ МС

Наименование и тип элемента	Обозначение по чертежу	Количество Ni	Интенсивность отказа при номинальном режиме l0i*10-6 1/ч	Режим работы		Поправочный Коэффициент Аi	Интенсивность отказов i-го элемента Аi * loi *10-6, 1/ч	Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
				Коэф-т нагрузки Кн	Температура рабочая Т,о С
Микросхемы: КР142ЕН8Е КР142ЕН8Д КР142ЕН5А	D1, D3 D2, D5 D4	2 1 1	0,1 0,1 0,1	0,5 0,5 0,5	40	1	0,01	0,02 0,01 0,01
Резисторы: С2–33Н – 0,125–3 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–820Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–3,9кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–10кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–75кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–4,7кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–3,3 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,125–330Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–160 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–8,2 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,5–510 Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–560Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–240 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,5–2 Ом±5%-А-Д СП5–22В-1Вт – 1,5 кОм±10% СП5–22В-1Вт-10 кОм±10% СП5–22В-1Вт – 1,0 кОм±10% Диоды: Полупроводниковый КД227А Полупроводниковый КД209А Транзистор КТ818Б Светодиод АЛ307КМ Пайка Провода	R1, R2, R9, R10   R3, R19, R29…R31, R33, R34, R36, R42, R46, R53…R55 R4, R5 R6, R8 R11, R12     R13..R15, R17, R18, R28, R77…R82 R20   R21…R26, R47…R52   R37     R38     R39 R65…R70     R71…R76     R82…R88     R7     R5, R16, R35, R40, R41   R27       V1…V4   V5…V16     V17, V18     V19…V23	4 13 2 2 2 12 1 12 1 1 1 5 5 7 1 5 1 4 12 2 5 93 46	0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,053 0,053 0,053 0,2 0,2 0,5 0,2 0,004 0,015	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,8 0,8 0,8 0,8 1 1	40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 0,3 0,3 0,3 1,19 1,19 0,9 1,19 1 1	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,0159 0,0159 0,0159 0,238 0,238 0,45 0,238 0,004 0,015	0,4 1,3 0,2 0,2 0,2 1,2 0,1 1,2 0,1 0,1 0,1 0,5 0,5 0,7 0,0159 0,0795 0,0159 0,952 2,856 0,9 1,19 0,372 0,69

L=ål_I=15,7857*10^-6

Таблица 2.6.5. Плата управления индикацией

Наименование и тип элемента	Обозначение по чертежу	Количество Ni	Интенсивность отказа при номинальном режиме l0i*10-6 1/ч	Режим работы		Поправочный Коэффициент Аi	Интенсивность отказов i-го элемента Аi * loi *10-6, 1/ч	Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
				Коэф-т нагрузки Кн	Температура рабочая Т,о С
Микросхемы: К555ЛН1 К555ЛН2 К155ИД10	D1, D3, D5… D7 D2 D4	5 1 1	0,1 0,1 0,1	0,5 0,5 0,5	40	1	0,1	0,5 0,1 0,1
Резисторы: С2–33Н – 0,25–1,6 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–2,2 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–1,3 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–560 кОм±5%-А-Д С2–33Н-2–300 Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–5,1 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–270 Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–470 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–220 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–1,2 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–300Ом±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–4,7 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–3,0 кОм±5%-А-Д С2–33Н – 0,25–240 кОм±5%-А-Д	R1   R2 R3 R4, R59 R5, R60       R6…R13     R14     R15…R17   R18…R24, R39…R42, R47…R50 R43…R46   R25…R31 R51…R54 R32…R38 R55…R58 R74…R84   R61…R71     R72, R73	1 1 1 2 2 8 1 3 15 4 11 22 11 2	0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5	40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1	0,1 0,1 0,1 0,2 0,2 0,8 0,1 0,3 1,5 0,4 1,1 2,2 1,1 0,2
Конденсаторы: К53–14–32В – 15,0 мкФ±30% К73–11а-250В – 10,33 мкФ±10% К73–11а-630В – 0,022 мкФ±10% К73–11а-250В – 1,0 мкФ±10% КМ-5б-Н90–0.1 мкФ±10%	С1 С2, С3     С4, С5   С6     С7…С13	1 2 2 1 7	0,6 0,035 0,035 0,035 0,6	0,56 0,9 0,9 0,9 0,9	40 40 40 40	2 0,9 0,9 0,9 0,7	1,2 0,0315 0,0315 0,0315 0,42	1,2 0,063 0,063 0,0315 2,94
Трансформатор Транзистор КТ819В Транзистор КТ605ЕМ Диод полупроводниковый КД424А Вилка СНП58–64/94х9В-23–2-Вилка Онп-ВС-39–16/40,5х62-В53 Пайка Провода	T1 V1, V2       V12…V37       V4…V8         X1, X2   X3, X4	1 2 26 5 2 2 184 130	0,025 0,56 0,5 0,2 0,01 0,01 0,004 0,015	1 0,8 0,8 0,8 1 1 1 1	40 40 40 40 40 40	5,2 0,9 0,9 1,19 1 1 1 1	0,13 0,504 0.504 0,238 0,01 0,01 0,004 0,015	0,13 1,008 13,1 1,19 0,02 0,02 0,736 1,95

L=ål_I=28,1*10^-6

 

 

3. Технологическая часть

 

3.1 Разработка методики испытания микроконтроллера   3.1.1 Назначение и состав устройства для испытания

Устройство предназначено для статической и динамической проверки электрических плат построенных и разработанных для микропроцессорных систем.

Устройство состоит из корпуса, дна и крышки. На крышке расположена панель управления. На панели управления расположены светодиоды и органы управления.

В состав устройства входят три блока: блок ручного управления, блок индикации и блок формирования сигналов.

Рисунок 3.1 Блок-схема устройства для испытания

Блок ручного управления состоит из набора переключателей и кнопок, служащих для задачи дискретных сигналов на шине адреса и шине данных для подачи некоторых дискретных сигналов.

Блок индикации и блок формирования сигналов представляют собой печатные платы, которые закреплены на крышке при помощи стоек. На печатных платах установлены электронные компоненты, кнопки, переключатели и соединитель типа СНП 58–84/95x9Р-20–2-В, предназначенный для подключения тестируемых устройств.

Блок индикации представляет собой набор дискретных светодиодов. Он служит для отображения информации на шине адреса, шине данных и для отображения слово состояния микропроцессора.

Блок формирования сигналов служит для формирования сигнала записи и чтения и готовности общей шины.

Технические характеристики:

Среднее потребление находится в пределах 2,5 Вт

Питание блока осуществляется стабилизированным напряжением +5В

Габаритные размеры 182х296х76

3.2 Описание электрической схемы

В состав блока индикации входят регистр защелка и буферное устройство.

Регистр защелка реализован на триггерах D11, D12 и светодиодах VD1-VD8. Он служит для отображения слово состояния основного микропроцессора испытуемой платы.

Буферное устройство реализовано на микропроцессорах D13, D16 и светодиодах VD9-VD32. Оно служит для отображения состояния сигнала, наличия уровня логической «1» или логического «0» на шине адреса и шине данных.

Блок формирования сигналов реализован на триггерах D10, D19, D20, цифровых компараторах D3 – D6 и шинных формирователях D1, D2, D7, D8, D17, D18. Триггеры служат для формирования сигнала записи и чтения и готовности общей шины. Цифровые компараторы служат для сравнения цифровой комбинации заданной ручным управлением и сигналов на шине адреса. Шинные формирователи служат для переключения направления выдачи сигналов от переключателей на шине адреса и шине данных.

Блок ручного управления состоит из набора кнопок и переключателей.

Переключатели S16 – S31 служат для задания адреса на общей шине. Переключатели S8 – S15 служат для задачи данных (логических уровней сигналов данных) на шине данных.

Кнопка S4 служит для формирования сигнала «Cинхронизация».

Тумблеры S5 и S6 предназначены для переключения режимов записи и чтения.

Кнопка S7 служит для формирования импульса для пошагового управления.

Тумблер S3 служит для формирования сигнала готовности

Распайка соединителей пульта