Оздоровление воздушной среды

5.6. Оздоровление воздушной среды

Одним из необходимых условий здорового и высокопроизводительного труда является обеспечение чистоты воздуха и нормальных метеорологических условий в рабочих помещениях.

Согласно ГОСТ 12.1.005-76.ССБТ. производственные цеха и лаборатории полупроводникового производства относятся к помещениям с незначительным избытком тепла (до 23 Дж/м²) и категории I (легкие физические работы).

Согласно ГОСТ 12.1.005-76.ССБТ. устанослены оптимальные нормы метеоусловий в рабочих зонах:

Таблица 5.1

Нормальные параметры воздушной среды

Для обеспечения нормальных температурных условий труда применяется водяное отопление. Следует заметить, что дополнительный источник тепла может создавать электропечь, работа которой будет повышать температуру воздуха в помещении. В холодное время года температура в лаборатории технологии полупроводниковых приборов ниже значений, приведенных в таблице 5.1. Поэтому необходимо в таком случае использовать электронагревательные приборы для поддержания нормальной рабочей температуры.

Ввиду наличия вредных веществ в воздухе производственного помещения или лаборатории, применяется общеобменная и местная механическая вентиляция, а в местах больших скоплений (на участках химической обработки материалов) применяются вытяжные шкафы.

Содержание вредных веществ в воздухе рабочей зоны согласно ГОСТ 12.1.005-76 не должно превышать установленных ПДК. В экспериментальной части дипломного проекта использовались плавиковая (HF), азотная (HNO₃) и ортофосфорная(H₃PO₄) кислоты. ПДК в воздухе в рабочем помещении для HF составляет 1мг/м3, для HNO₃ – 25 мг/м3, для H₃PO₄ ПДК не определен, так как благодаря своим физико-химическим свойствам она имеет ничтожно малое давление паров. Согласно ГОСТ 12.1.005-76.ССБТ. пары HF относятся к 2 классу опасности , пары HNO₃ – к 4 классу опасности.

5.7. Пожарная безопасность

Пожары представляют опасность не только для человека, но и для окружающей среды, ввиду вредных выбросов как продуктов горения, так и вредных веществ, используемых в данном производстве. Пожарная безопасность может быть обеспечена мерами пожарной профилактики и активной пожарной защиты.

Цеха и лаборатории, в которых имеются легковоспламеняющиеся и взрывоопасные вещества относятся к взрывоопасному производству. Согласно СНиП П-90-81 лаборатории и цеха электронной промышленности относятся к категории Б, потому что химические вещества, применяемые в технологическом процессе, а также их модификации, в которых они участвуют в производственном цикле, представляют собой опасность возгорания и взрыва. Согласно СНиП П-2-80 такие цеха и лаборатории также требуют конструкцию зданий, которые относятся к I категории огнестойкости.

При проведении экспериментов из огнеопасных химических веществ используются изопропиловый и изобутиловый спирты. При классификации жидкостей по воспламеняемости, а также при классификации производств, помещений и установок по пожаровзрывоопасности используется такая характеристика, как температура вспышки, которая для различных веществ определена в ГОСТ 12.1.021-80. Также, согласно ГОСТ 12.1.004-76 в зависимости от температуры вспышки горючие вещества подразделяются на легковоспламеняющиеся (ЛВЖ) и горючие (ГЖ). Исходя из вышеприведенных ГОСТов определяем:

- изопропиловый спирт относится к категории ЛВЖ, II разряду, характеристика – постоянно опасный;

- изобутиловый спирт относится к категории ЛВЖ, III разряду, характеристика – опасен при повышенной температуре.

Основной способ прекращения горения в производственном помещении - механический срыв пламени в результате воздействия на него струи воды. Запас воды в емкостях всегда присутствует в помещении лаборатории технологии полупроводниковых приборов. Также в лаборатории присутствует огнетушитель порошковый унифицированный ОПУ-2-03.

Кроме того, пожарная защита обеспечивается максимально возможным применением негорючих веществ и материалов; ограничением количества горючих веществ, изоляцией горючей среды; предотвращением распространения пожара за пределы очага; эвакуацией людей; применением средств индивидуальной и коллективной защиты; применением средств пожарной сигнализации и средств извещения о пожаре.

Основной задачей экономических расчетов является определение себестоимости получаемой продукции (в данной работе создание p-n переходов в солнечном элементе методом диффузии из поверхностного источника). Для этого производится калькуляция затраченных средств на производство данного продукта в расчете на 5000 пластин (пластины диаметром 100 мм).

Данные расчетов сведены в следующих таблицах:

таблица 6.1 – основная таблица,

таблица 6.1,а – налоги,

таблица 6.2 – зарплата,

таблица 6.3 – материалы, полуфабрикаты и комплектующие.

Таблица 6.1.

Основная (сводная) таблица

Общая сумма зарплаты берется из таблицы 6.2. Сумма затрат на материалы, полуфабрикаты берется из таблицы 6.3. Транспортные расходы составляют 5 % от заработной платы. Начисления на фонд заработной платы составляет 37 % от заработной платы. Накладные расходы составляют 100 % от заработной платы. Командировочные и работа сторонних организаций отсутствуют. Себестоимость продукта определяется как сумма всех выше перечисленных затрат. Прибыль составляет 25 % от себестоимости. Цена работы считается как сумма себестоимости и прибыли.

Таблица 6.1,а

Налоги

Налоги на добавленную стоимость (НДС) составляют 20 % от суммы заработной платы, накладных расходов, командировочных, работы сторонних организаций и прибыли. Так как командировочные и робота сторонних организаций отсутствует, то следовательно и затраты на эти статьи будут равны нулю.

Налоги на прибыль определяются как 30 % от заработной платы.

Все налоги вычисляются согласно Закону Украины «О налогообложении прибыли».

Таблица 6.2.

Зарплата

Оклады у работников и специалистов выбираются согласно штатному расписанию ДП “Дніпро-напівпровідники”. Инженер-технолог и оператор за месяц выпускают 5000 пластин с созданной диффузионной структурой.

Калькуляция и количество затраченных материалов приведены в таблице 6.3.

Таблица 6.3.

Полуфабрикаты и расходные материалы (в расчете на 5000 пластин)

Данные химические вещества необходимы для проведения процесса диффузионного легирования при создании n⁺-p-p⁺ кремниевого солнечного элемента. Приведенные количества веществ позволяют создать 5000 таких пластин.

В полупроводниковой промышленности экономические параметры удобнее определить в расчете на 1000 пластин. При пересчете на 1000 пластин себестоимость составит 493,02 грн, прибыль – 123,26 грн, цена работы – 616,28 грн, налоги – 99,27 грн.

ЛИТЕРАТУРА

1.  Литовченко В.Г., Попов В.Г., Свечников С.В. Солнечные фотоэлементы на основе аморфного кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1983, вып. 3, с. 3 – 12.

2.  Августимов В.Л., Белоусова Т.Н., Власкина С.И., Свечников С.В., Шаповал З.И., Шейкман М.К. Современное состояние фотопреобразования энергии с использованием кремниевых солнечных элементов (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1995, вып. 30, с. 120 – 147.

3.  Готра З.Ю., Осадчук В.В., Кучмий Г.Л. Диффузионное легирование в современной технологии кремниевых ИС // Зарубежная электронная техника. – 1990.-№ 5(348). – с. 5 – 63.

4.  Богдановский Ю.Н., Гасько Л.З., Коледов Л.А., Пих В.С. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС // Зарубежная электронная техника. – 1982.-№ 8(254),-с.60 – 90.

5.  Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем: Учебник для техникумов.- 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1991. – 344 с.

6.  Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. –М.: Энергия, 1974. – 384 с.

7.  Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление. Диффузия. Эпитаксия. Пер. с англ. под ред. Р.Бургера и В.Донована. – М.: Мир, 1969. – 452 с.

8.  Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. – М.:Высшая школа, 1974. – 400 с.

9.  Гук Е.Г., Ельцов А.В., Шуман В.Б., Юрре Т.А. Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии. – Л.: Наука, 1984. –118 с.

10.  Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. – М.: Энергия, 1978. – 192 с.

11.  Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.:Высшая школа, 1980. – 327 с.

12.  Аппен А.А. Химия стекла. – Л.: Химия, 1970. – 300 с.

13.  Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: Высшая школа, 1990. – 423 с.

14.  Борисенко А.И., Новиков В.В., Приходько И.Е. и др. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. – Л.: Наука, 1972. – 114 с.

15.  Вредные вещества в промышленности. Спровочник для химиков, инженеров и врачей. Под общ. ред. И.В.Лазарева. – М.-Л.: Химия, 1965, т.2. – 622 с.

16.  Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Технология производства полупроводниковых приборов. – Л.: Энергия, 1968. – 240 с.

17.  Блинов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства. – М.: Машиностроение, 1986. – 264 с.

18.  Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. – М.: Наука, 1985. – 280 с.

19.  Кузнецов И.Е. и др. Охрана труда в текстильной промышленности. – К.: Техника, 1985. – 167 с.

20.  Долин П.А. Справочник по технике безопасности. – М.: Энергоатомиздат, 1984. – 824 с.

 Рецензия

На дипломную работу:

«Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов» Гречаника В.А.

студента группы 5Ф специальности 7.0908.04

«физическая и биомедицинская электроника».

Актуальность данной работы заключается в создании источников диффузионного легирования кремния для промышленного изготовления кремниевых солнечных элементов. Основное внимание уделено поверхностным источникам диффузии бора и фосфора в кремний.

Были разработаны и исследованы поверхностные источники бора и фосфора на основе спиртового раствора борной и ортофосфорной кислот. Также был исследован твердый планарный источник на основе нитрида бора.

Помимо поверхностных источников на основе простых неорганических соединений было начато исследование поверхностного источника на основе легированного окисла. Даны рекомендации по приготовлению пленкообразующего раствора.

Пояснительная записка написана грамотным техническим текстом.

Сделаны выводы и даны рекомендации.

Дипломная работа студента группы 5Ф Гречаника В.А. заслуживает оценки «отлично», а сам студент – присвоения квалификации «специалист физической и биомедецинской электронники».

Ведущий инженер

НАН Украины Н.А. Самойлов

ОТЗЫВ

на дипломный проект студента группы 5Ф факультета кибернетики ХГТУ Гречаника Владимира Александровича

на тему: Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов

по специальности 7.0908.04 "Физическая и биомедицинская электроника "

Дипломное проектирование студента Гречаника Владимира Александровича посвящено проблемам разработки и исследования источников диффузионного легирования кремния. В нем раскрыты основные источники примесей, имеющие практическое применение в технологии диффузии.

Данный дипломный проект содержит введение, шесть разделов, выводы и список использованных источников. Пояснительная записка содержит 102 страницы текста, 17 иллюстраций, 11 таблиц.

Результатом дипломного проектирования является создание источников примесей бора и фосфора для легирования кремния. Были разработаны и исследованы поверхностные источники на основе спиртовых растворов борной и ортофосфорной кислот.

Результаты дипломного проекта являются актуальными и представляют практическую ценность в технологии изготовления кремниевых солнечных элементов.

В процессе написания дипломного проекта студент выявил способность самостоятельно и творчески работать над научно-технической литературой, показал достаточный уровень инженерной квалификации, дисциплинированность и организованность в решении поставленных перед ним задач.

Дипломный проект имеет творческий и самостоятельный характер, логически структурирован, а также выполнен в полной форме в соответствии с поставленными руководителем задачами в полном объеме и в установленные для этого сроки.

Считаю, что по результатам написанного дипломного проекта студент Гречаник Владимир Александрович полностью подготовлен к самостоятельной инженерной деятельности. Рекомендую оценить дипломный проект как выполненный на "отлично", а студенту присвоить звание специалиста по электронике.

Руководитель дипломного проекта

к.т.н., доцент В.Н. Литвиненко

Похожие работы

Использование альтернативных источников энергии

Скачать

65457

19

17

... к ним вызван экологическими соображениями, с одной стороны, и ограниченностью традиционных земных ресурсов — с другой. Особое место среди альтернативных и возобновляемых источников энергии занимают фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии, изучение которых превратилось в отдельное научное направление – фотовольтаику. Однако высокая стоимость солнечных элементов до недавнего времени ...

Солнечная энергетика

Скачать

178236

13

9

... голоса, слушают пение птиц, плеск волн и шум ветра, дышат свежим воздухом. Воспользоваться таким транспортом захочет каждый, кто любит совершать водные путешествия. 6.  РОССИЯ, УКРАИНА И СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА  В России в настоящее время имеется восемь предприятий, имеющих технологии и производственные мощности для изготовления 2 МВт солнечных элементов и модулей в год. В 1992 году на ...

Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства

Скачать

22436

8

22

... подавляет в кремнии генерацию термодоноров, вводимых в кремний в температурном интервале 400-500 оС.   Выводы Сплавы Si1-xGex в настоящее время являются тем материалом, который желательно возможно быстрее освоить в производстве. Их достаточно предсказуемые свойства позволяют получать монокристаллы с заданными параметрами путём аппроксимации зависимости свойств от состава (зависимости ...

Моделирование процессов ионной имплантации

Скачать

23337

1

9

... . ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СБИС Создание мелких переходов Требование формирования n+ слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ. Одной из прогрессивных тенденций развитии ...