Действие света на организм человека
Болезни, вызванные
травмой
Работа у дисплея
и пути ее оптимизации
(видеоэргономика)
ТАКТИРУЕМЫЙ D-ТРИГГЕР
МУЛЬТИПЛЕКСОР
Схема выравнивания по фазе и циклам
ВВЕДЕНИЕ
ПРИМЕР ТОПОЛОГИИ ВЫПОЛНЕНОЙ С УЧЕТОМ НОРМ КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ
РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ БАЗОВЫХ ЯЧЕЕК ГРУППОВОГО КАНАЛЬНОГО ИНТЕРФЕЙСА ЦИФРОВОЙ СИСТЕМЫ
ПЕРЕДАЧИ
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ
ТЕХНОЛОГИЯ КМДП
Навигация
ВВЕДЕНИЕ
Групповой канальный интерфейс
110944
знака
12
таблиц
0
изображений
7.1. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время существует несколько стандартных технологий производства кристалла с линиями рисунка от 0,25 до 3,0 мкм. Но в связи с тем, что в нашей стране технологии 0,25 и 0,35 мкм еще не отработаны, то приходится разрабатывать устройства с учетом имеющихся технологий, т.е. приходится прибегать к схемотехническим изощрениям для получения конкурентоспособной интегральной схемы. В результате была выбрана технология изготовления кристалла с минимальной шириной рисунка 1,2 мкм, как наиболее отработанная и наиболее экономически выгодная. При появлении в нашей стране более современных технологий на одном кристалле при тех же размерах можно будет разместить коммутатор на большее количество каналов.
7.1.1. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КРИСТАЛЛА
Рассмотрим основные характеристики проектируемой БИС, в основном, определяемые технологией производства:
Напряжение питания - 5 В;
Ток потребления - не более 1 мА;
Диапазон рабочих температур - от -20 до +60 0С;
Технология производства - стандартная, 1,2 мкм;
Предполагаемый тип корпуса - 2123.40-1, стандартный, с количеством выводов – 40.
7.1.2. НАЗНАЧЕНИЕ ВЫДОВ МИКРОСХЕМЫ
Предварительно принятое назначение выводов микросхемы
| Выводы | Назначение |
| 1 - 8 9 - 16 17,18 - 22 - 26 - 30 31 32 33 34 35 | Групповые входы Групповые выходы Питание и «земля» Шина обмена информацией между кристаллами по горизонтали Шина обмена информацией между кристаллами по вертикали Адресные выводы кристалла Ввод команды Вывод результатов Выбор кристалла Ввод тактовой частоты Ввод синхроимпульсов |
Таблица 7.1
ЭЛЕМЕНТЫ ТОПОЛОГИИ
КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ
В данном разделе приведены основные конструкторско-технологические ограничения на проектирование микросхемы, определяемые заводом изготовителем в соответствии с применяемой технологией.
Конструкторско-технологические ограничения предназначены для проектирования топологии цифровых КМДП БИС по технологии, предусматривающей использование «карманов» п-типа проводимости, изоляцию элементов посредством заглубленных в объем монокристаллического кремния, легированного фосфором, самосовмещенных транзисторных структур и двухуровневой разводки, сформированной на основе сплавов алюминия.
Перечень и последовательность слоев фотолитографии, существенных при проектировании БИС, приведены в таблице 7.2.
Минимальная ширина топологического рисунка - 1,2 мкм. Остальные минимально-допустимые размеры элементов топологии, существенные для проектирования блоков БИС, приведены в таблице 7.3.
Транзисторные структуры, выполненные по данной технологии характеризуются следующими физико-технологическими параметрами:
Эффективная длинна канала транзистора - 1,0 мкм;
Удельная емкость затвора - 800 пф/мм;
Подвижность электронов в канале - 400 см/В с;
Подвижность дырок в канале - 200 см/В с;
Пороговое напряжение
п-канальных транзисторов - 0,5 … 1,5 В;
р-канальных транзисторов - 0,8 … 2,0 В.
Перечень слоев фотолитографии
| Номер слоя | Наименование слоя |
| 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Карман п-типа Диффузионные области р-охраны Активные области транзисторов (тонкий окисел) Затворы из поликристаллического кремния, легированного фосфором Диффузионные области истока-стока р-канальных транзисторов Диффузионные области истока-стока п-канальных транзисторов Первые контактные окна в диэлектрическом слое Алюминиевая металлизация первого уровня Вторые контактные окна в диэлектрическом слое Алюминиевая металлизация второго уровня |
Таблица 7.2
Минимально-допустимые размеры элементов топологии
| № пп | Наименование элемента топологии | Размер, мкм |
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 | Перекрытие области тонкого окисла областью кармана п-типа Перекрытие области охраны р-типа областью тонкого окисла Расстояние между границей области кармана и границей области охраны р-типа Ширина области локального окисла внутри области кармана п-типа Расстояние от границы тонкого окисла до контактной площадки из поликристаллического кремния Расстояние между двумя соседними областями из поликристаллического кремния Ширина затворов из поликристаллического кремния Размер стороны контактной площадки из поликристаллического кремния Ширина шин из поликристаллического кремния вне области канала Расстояние между областью охраны р-типа и областями исток-сток п-канальных транзисторов Расстояние между областями исток-сток р-канальных транзисторов и карманом п-типа Размер стороны контактного окна Расстояние от края контактного окна до края контактной площадки Ширина шин алюминия первого уровня металлизации Ширина шин алюминия второго уровня металлизации Расстояние между двумя шинами алюминия в одном уровне металлизации Расстояние от линии рельефа до края контактного окна Расстояние от края контактного окна к диффузионной области истока-стока до поликристаллического затвора Перекрытие локального окисла поликремневым затвором п- и р-канальных транзисторов. | 0,5 1,0 4,0 2,0 0,5 1,2 1,2 4,0 2,0 2,0 1,2 1,0 1,2 3,0 4,0 1,2 0,5 1,0 1,2 |
Таблица 7.3.
Похожие работы
... местному или удаленному DTE о необходимости восстановления потока информации. Знак XOFF представляет собой символ CTRL-S ("S), a XON — символ CTRL-Q (*0). Если управление потоком разрешено по канальному интерфейсу модема и по последовательному порту, и знак XOFF принят по каналу связи, то этот знак заставляет модем приостановить передачу данных из своего буфера в канал связи. Буфер модема ...
... этому представлен данный дипломный проект, который является первым в своем роде в г. Астрахани. В данном дипломном проекте рассматривается проблема построения локальной корпоративной сети звукового обеспечения интеллектуального здания на основе технологии Fast Ethernet для Областного центра детского и юношеского творчества г. Астрахани. Целью дипломного проекта является организация локальной ...
... Задача 1. Сопоставление эффективности различных протоколов с обратной связью в тех или иных условиях (ограничения на длину кадров, запаздывание в каналах и проч.) Задача 2. Исследование эффективности протоколов с обратными связями в зависимости от интенсивности ошибок в каналах. Исследовать, как влияет наличие ошибок по отдельности в прямом и обратном каналах на общую эффективность протоколов ...
... сигналами времени. Ядро предлагает интерфейс для программирования приложения с целью получения функций в виде отдельных программ. 1.2 Разработка автоматизированной системы управления электроснабжением КС «Ухтинская» 1.2.1 Цель создания АСУ-ЭС Целью разработки является создание интегрированной АСУ ТП, объединяющей в единое целое АСУ электрической и теплотехнической частей электростанции, ...
0 комментариев