Зворотні зв'язки в підсилювачах
Багатокаскадні підсилювачі
Схеми безтрансформаторних вихідних каскадів
Розробка та обґрунтування принципової схеми підсилювача
ЕЛЕКТРИЧНИЙ РОЗРАХУНОК
Розрахунок напруги джерела електроживлення
Розрахунок колекторного кола кінцевого каскаду
Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду
Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду
Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень
Розрахунок кола загального зворотного негативного зв'язку за змінному струму
Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду
Навигация
Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень
Розрахунок схеми підсилювача з двополярним джерелом електроживлення
52527
знаков
7
таблиц
7
изображений
3.7 Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень
Коефіцієнт гармонійних спотворень складених транзисторів визначається за спільною наскрізною характеристикою, яку будують таким чином. Спочатку визначаємо вхідний опір транзистора VT7 з урахуванням зворотного зв'язку за формулою:
де Rвх - вхідний опір без урахування зворотного зв'язку.
q21 - усереднене значення крутизни характеристики,
На вихідній статичній характеристиці транзистора УТ7 будуємо навантажувальну пряму за такими координатами точок:
Визначаємо значення колекторних струмів для точок 1 — 6 для транзистора VT7 за формулою:
(3.4)
де IБі, UБЕі - значення струму та напруги в точках 1-6, які визначаємо за вихідною та вхідною характеристиками VT5;
На вихідній статичній характеристиці транзистора VT5 за значеннями ІКп визначаємо ІБі
Рисунок 3.3 Вихідна статична характеристика з динамічною навантажувальною прямою
За одержаними значення ІБі, UБЕі визначаємо миттєве значення е.р.с. джерела сигналу:
(3.5)
Результати розрахунків та побудов заносимо до таблиці 3.5.
Таблиця 3.5 Результати розрахунків
| Номера точок | ІБ, мА | UБЕ, В | ІК, мА | ІБ, мкА | UБЕ, В | едж, В |
| 1 | 1 | 0,8 | 1,4 | 2 | 0,6 | 0,61 |
| 2 | 4 | 0,9 | 4 | 10 | 0,7 | 0,72 |
| 3 | 10 | 1,4 | 11 | 15 | 1,1 | 1,14 |
| 4 | 20 | 2,3 | 21 | 20 | 2 | 2,1 |
| 5 | 30 | 2,9 | 31 | 25 | 2,7 | 2,8 |
| 6 | 40 | 3,7 | 42 | 30 | 3,5 | 3,61 |
За значенням, вибраним із таблиці 3.5, будуємо наскрізну характеристику 
.
За наскрізною характеристикою визначаємо струми І1 = 42 мА, І2 = 21 мА, І3 = 1,4 мА.
Рисунок 3.4 Наскрізна динамічна характеристика транзисторів VT6, VT7 кінцевого каскаду.
Визначаємо коефіцієнт гармонічних спотворень, що вноситься третьою гармонікою, за формулою:
Визначаємо коефіцієнт гармонічних спотворень з урахуванням зворотного зв’язку за формулою:
де F – глибина негативного зворотного зв’язку, яка визначається за формулою:
Визначаємо коефіцієнт гармонічних спотворень КГ2, які вносить друга гармоніка, визначаємо за емпіричною формулою, задаючись коефіцієнтом асиметрії в = 0,1:
Визначаємо коефіцієнт гармонічних спотворень КГ2 з урахуванням зворотного зв’язку за формулою:
Визначаємо загальний коефіцієнт гармонічних спотворень:
Похожие работы
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
0 комментариев