Зворотні зв'язки в підсилювачах
Багатокаскадні підсилювачі
Схеми безтрансформаторних вихідних каскадів
Розробка та обґрунтування принципової схеми підсилювача
ЕЛЕКТРИЧНИЙ РОЗРАХУНОК
Розрахунок напруги джерела електроживлення
Розрахунок колекторного кола кінцевого каскаду
Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду
Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду
Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень
Розрахунок кола загального зворотного негативного зв'язку за змінному струму
Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду
Навигация
Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду
Розрахунок схеми підсилювача з двополярним джерелом електроживлення
52527
знаков
7
таблиц
7
изображений
3.5 Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду
Визначаємо максимальні граничні параметри обраних складених транзисторів кінцевого каскаду за такими формулами:
- максимальний струм колектора транзистора VT5.
- максимальну напругу колектор-емітер транзистора VT5
- максимальну потужність розсіювання на транзисторі VT5
- граничну частоту коефіцієнта передачі струму, МГц
За гранично розрахованими параметрами вибираємо типи транзисторів VT4, VT5 і заносимо їх до таблиці 3.3
Таблиця 3.3 Параметри вибраних транзисторів кінцевого каскаду.
| Параметри | IKmax A | UKEmax В | PKmax Вт | f21Emax МГц | Тип транзистора | h21E |
| Розрахункові граничні параметри | 0,11 | 24 | 0,38 | 0.039 | ||
| Параметри вибраного транзистора VT5 | 1,5 | 40 | 10 | 3 | КТ815А | 20 |
| Параметри вибраного транзистора VT4 | 2 | 40 | 10 | 3 | КТ814А | 20 |
Визначаємо величину опору резисторів R11 і R12 з співвідношення:
Вибираємо резистори R11, R12 опором 510 Ом.
Визначаємо потужність розсіювання на резисторах:
де Іко — постійна складова струму,
Обираємо резистори R11, R12 типу: МЛТ – 0,25 – 510 Ом ± 5%.
Визначаємо амплітудне значення змінного струму бази транзистора VT5:
Визначаємо постійну складову струму бази транзистора:
За вхідною динамічною характеристикою визначаємо основні параметри UБЕт, UБЕтax, UБЕ0 (рисунок 3 графічної частини).
Визначаємо амплітуду вхідної напруги на складених транзисторах:
Визначаємо вхідний опір каскаду без урахуванням зворотного зв'язку:
Визначаємо вхідний опір каскаду з урахуванням зворотного зв'язку:
де F – глибина місцевого зворотного зв'язку в плечі:
де q21m - усереднена крутизна характеристики транзистора УТ5;
де q21m - усереднена крутизна характеристики транзистора УТ7;
RБ - вхідний опір транзистора УТЗ:
Вхідна потужність кінцевого каскаду:
Похожие работы
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
0 комментариев