Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду

52527
знаков
7
таблиц
7
изображений

3.10 Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду

Розраховуємо потрібну напругу зміщення для завдання вибраного положення точки спокою:


Обираємо 4 діода типу КД103А.

Потрібна напруга зміщення створюється на діоді, включеному в прямому напрямі. Практично рекомендується приймати число діодів кінцевого каскаду рівним числу транзисторів. У цьому випадку повинна дотримуватися умова:

 (3.7)

Вибираємо стандартне значення резистора R9.

Визначаємо потужність розсіювання на резисторі R8 за формулою:

Вибираємо стандартне значення потужності відповідно до ГОСТ 9663 і записуємо значення резистора за стандартом.

Обираємо резистор типу: R8 = МЛТ - 0,125 – 150 Ом ± 5 %

Визначаємо струм, який протікає після обмежувальних резисторів, який дорівнює:


Знаходимо опір обмежувальних резисторів:

Приймаємо R13 рівним 2,2 кОм.

Знаходимо потужність, яка розсіюється на резисторі R13:

Обираємо резистори типу: R13 = R14 = МЛТ – 2 – 2,2 кОм ± 5 %

3.11 Розрахунок результуючих характеристик підсилювача потужності

Знаходимо коефіцієнт підсилення за струмом за формулою:

Коефіцієнт підсилення за напругою рівний:

Вхідний опір диференційного каскаду з резистором у колі емітера:


 

3.12 Розрахунок ємності конденсаторів підсилювача потужності

Спад частотної характеристики на нижніх частотах визначається конденсаторами зв'язку та емітерними конденсаторами.

Визначаємо допустимі частотні спотворення для всіх конденсаторів за формулою:

де п — кількість конденсаторів.

Визначаємо ємність розподільного конденсатора за формулою:

Визначаємо ємність блокувального конденсатора за формулою:

Ємність конденсатора фільтра визначаємо за формулою:

R - опір фільтра.

Обираємо ємності конденсаторів рівними:

С1 = КМ1 – 560 нФ

С2 = К50-6 – 16 мкФ х 25 В

С3 = С4 = К50-5 – 30 мкФ х 25 В

При розрахунках ємностей конденсаторів отримані значення слід округлювати до найближчого стандартного значення відповідно до стандарту.


ВИСНОВКИ

При виконанні даного курсового проекту я розрахував підсилювач низької частоти з диференційним вхідним каскадом.

Спочатку я склав структурну схему підсилювача низької частоти. Потім на основі цієї структурної схеми була розроблена принципова електрична схема підсилювача низької частоти згідно початкових даних.

Наступним етапом був розрахунок основних параметрів та інших елементів даного підсилювача потужності. Всі розрахункові дані транзистора підсилювача занесено до таблиці. Після чого за допомогою довідника було підібрано транзистори з параметрами, які задовольняють розрахункові параметри приведені в таблиці.

Також за допомогою довідників було обрано нормовані значення опорів резисторів та ємностей конденсаторів.

В результаті виконання курсового проекту я закріпив та поглибила власні теоретичні знання і їх використання при виконанні практичних задач.

Також ознайомилась із сучасними схем підсилювачів низької частоти, які забезпечують високі показники підсилення та набула навиків роботи з довідниковою літературою.

 


 

СПИСОК ВИКОРИСТОВУВАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ

 

1 Андреев Ф.Ф. Електронные устройства автоматики. -М.: Машиностроение, 1978.

2 Гольцев В.Р., Богун В.Д., Хиленко В.И. Електронные усилители: Учебное пособие. -М.: Изд-во стандартов, 1990.

3 Войшвило Г.В. Современная техника усиления сигналов. -М.: Сов. радио, 1978.

4 Варакин Л.Е. Бестрансформаторньїе усилители мощности. Справочник. -М.: Радио и связь, 1984.

5 Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. -К.: Техннка, 1980.

6 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов й транзисторних схем. -М.: Енергія, 1977.

7 Транзистори для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под ред. БЛ.Перельмана. -М.: Радио и связь, 1981.

8 Федосеева Е.О. Усилительные устройства киноустановок. -М.: Искусство, 1979.

9 Цыкина А.В. Проектирование транзисторних усилителей. -М.: Связь, 1976.

10 Гольцев В.Р. Електронные усилители. Задания й методические указания к выполнению курсового проекта для учащихся - заочников —М.: Изд-во стандартов, 1987.


СПИСОК НОРМАТИВНОЇ ЛІТЕРАТУРИ

Номер документа і рік видання Назва документа
ГОСТ 10318 – 80 Резисторы переменные. Основные параметры
ГОСТ 15133 – 77 Прибори полупроводниковые. Термины и определення
ГОСТ 18275 – 72 Апаратура радноелектронная. Номинальные значення напряжений и сили токов питання
ГОСТ 19880 – 74 Електротехника. Основные понятия. Термины и определення
ГОСТ 20003 – 74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Информация о работе «Розрахунок схеми підсилювача з двополярним джерелом електроживлення»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 52527
Количество таблиц: 7
Количество изображений: 7

Похожие работы

Скачать
102273
2
107

... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...

0 комментариев


Наверх