Зворотні зв'язки в підсилювачах
Багатокаскадні підсилювачі
Схеми безтрансформаторних вихідних каскадів
Розробка та обґрунтування принципової схеми підсилювача
ЕЛЕКТРИЧНИЙ РОЗРАХУНОК
Розрахунок напруги джерела електроживлення
Розрахунок колекторного кола кінцевого каскаду
Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду
Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду
Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень
Розрахунок кола загального зворотного негативного зв'язку за змінному струму
Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду
Навигация
Розрахунок колекторного кола кінцевого каскаду
Розрахунок схеми підсилювача з двополярним джерелом електроживлення
52527
знаков
7
таблиц
7
изображений
3.3 Розрахунок колекторного кола кінцевого каскаду
З метою зменшення розрахункової частини проекту і в зв'язку з незначними відхиленнями верхнього та нижнього плеч підсилювача потужності розрахунок проводять для одного, плеча. В якому вихідний транзистор має менше значення h21Emax.
Визначаємо опір негативного зворотного зв'язку за формулою:
де Rзз - опір зворотного зв'язку;
ηзз - ККД вихідного кола, що показує втрати корисної потужності на опорах емітерного кола; приймаємо ηзз =0,9. Вибираємо стандартне значення резисторів за стандартом. Для визначення амплітудних значень струму та напруги необхідно побудувати вихідну навантажувальну характеристику.
Для побудови навантажувальної характеристики слід визначити координати двох точок (а, в), використовуючи рівняння динаміки
(3.2)
Через точки "а" і "в" проводять пряму - динамічну навантажувальну характеристику для опору (RH+ Rзз) (рисунок 1). Якщо активний опір для постійного і змінного струму однаковий, то динамічна характеристика є водночас і лінією навантаження як для постійного, так і для змінного струмів.
Найчастіше вихідні каскади підсилювача потужності працюють в режимі В чи АВ, що визначається напругою зміщення на базах вихідних транзисторів і струмом спокою колектора.
Рисунок 3.1 Вихідна навантажувальна характеристика транзистора вихідного каскаду VT7.
На практиці струм спокою ІКп визначають із такого співвідношення:
де ІК- колекторнийструм в точці "а";
ІКп - струм спокою, відповідає режиму АВ.
Визначаємо амплітудне значення напруги на навантаженні за формулою:
Визначаємо амплітудне значення напруги на колекторі-емітері транзистора:
Перевіряємо розраховане значення напруги джерела живлення. Для цього треба щоб виконувалась нерівність.
(3.3)
Якщо сума більше UK0 то належить збільшити значення напруги джерела електроживлення і побудувати нову навантажувальну характеристику.
Визначаємо постійну складову струму колектора вихідного транзистора за формулою:
де ІКm – амплітудне значення колекторного струму, яке визначається за навантажувальною характеристикою.
Визначаємо потужність, від джерела споживану електроживлення за формулою:
Визначаємо максимальну потужність розсіювання на колекторі транзистора за формулою:
Максимальна потужність розсіювання на транзисторі повинна бути значно менше потужності вибраного транзистора PKmax.
Визначаємо потужність розсіювання на резисторах R14, R15:
Обираємо резистори R14, R15 типу: МЛТ – 0,25 – 1,8 Ом ± 5%.
3.4 Розрахунок базового кола кінцевого каскаду
Використовуючи навантажувальну характеристику вихідного каскаду і статичні вхідні характеристики транзистора, будуємо на них емітерну динамічну вхідну характеристику.
Вхідні динамічні характеристики при малих опорах навантаження практично зливаються зі статичними. Тому для технічних розрахунків можна користуватися не динамічними, а статичними вхідними характеристиками.
За вхідною динамічною характеристикою ( рисунок 2) визначаємо значення вхідного сигналу:
- напругу на базі в робочій точці спокою - UБеп= 0,65 В;
- струм бази в робочій точці спокою – ІБп = 0,15 мА ;
- амплітудне значення змінної складової бази - ІБm= 60 мА ;
- амплітудне значення змінної напруги на базі - UБЕm = 4,6 В.
Рисунок 3.2 Вхідні динамічні характеристики транзисторів VT7 i VT5.
Визначаємо амплітудне значення вхідної напруги кінцевих транзисторів за формулою:
Визначаємо вхідний опір транзистора без урахування негативного зворотного зв'язку:
Визначаємо усереднену крутизну характеристики транзистора в кінцевому каскаді:
Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою:
Визначаємо вхідну потужність транзистора:
Визначаємо коефіцієнт підсилення за потужністю:
Похожие работы
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
0 комментариев