Зворотні зв'язки в підсилювачах
Багатокаскадні підсилювачі
Схеми безтрансформаторних вихідних каскадів
Розробка та обґрунтування принципової схеми підсилювача
ЕЛЕКТРИЧНИЙ РОЗРАХУНОК
Розрахунок напруги джерела електроживлення
Розрахунок колекторного кола кінцевого каскаду
Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду
Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду
Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень
Розрахунок кола загального зворотного негативного зв'язку за змінному струму
Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду
Навигация
Розрахунок кола загального зворотного негативного зв'язку за змінному струму
Розрахунок схеми підсилювача з двополярним джерелом електроживлення
52527
знаков
7
таблиц
7
изображений
3.8 Розрахунок кола загального зворотного негативного зв'язку за змінному струму
Глибина загального зворотного негативного зв'язку:
де КГ - коефіцієнт гармонійних спотворень підсилювача;
КГзад - максимально допустимий коефіцієнт загальних гармонійних спотворень за завданням, КГзад = 0,7 %.
Застосування зворотного зв'язку з глибиною більше 30 - 40 дБ не рекомендується, тому що це приводить до появи динамічних спотворень.
Визначаємо величину резисторів R6 та R7 кола негативного зворотного зв'язку:
Вибираємо стандартне значення резистора R7 = 180 кОм.
Вхідний опір підсилювача і коефіцієнт підсилювача залежать від співвідношення 
, тому його вибирають, виходячи із компромісу між коефіцієнтом підсилення і вхідним опором.
Задаються значенням = 20 - 100.
При цьому повинна виконуватися умова:
(3.6)
Звідси величина резистора R дорівнює:
Вибираємо стандартні значення резисторів R6 та R7.
Визначаємо потужність розсіювання на резисторах R6 і R7:
Приймаємо стандартне значення потужності відповідно до ГОСТ 9663.
Обираємо резистори типу: R7 - МЛТ – 2 – 180 кОм ± 5%.
R6 - МЛТ – 0,125 – 9,1 кОм ± 5%.
3.9 Розрахунок диференційного вхідного каскаду
Визначаємо спочатку значення постійної складової колекторного струму для транзисторів диференційного каскаду:
де IБ03- значення постійної складової струму бази попереднього (передкінцевого) каскаду.
Визначаємо граничні параметри транзисторів VT1, VT2.
Максимальне значення напруги колектор-емітер транзисторів:
Максимальний колекторний струм транзисторів:
Максимальна розсіювана потужність:
Гранична частота коефіцієнту передачі струму:
За розрахованими граничними параметрами вибираємо необхідний тип транзисторів. Дані розрахунків та параметри вибраного транзистора заносимо в таблицю 3.6.
Таблиця 3.6 - Параметри транзистора диференційного вхідного каскаду.
| Параметри | IKmax мA | UKEmax В | PKmax мВт | f21Emax МГц | Тип транзистора | h21E |
| Розрахункові граничні параметри | 8 | 28,8 | 242 | 0.013 | ||
| Параметри вибраного транзистора VT1 | 100 | 50 | 250 | 250 | КТ3102А | 100 |
| Параметри вибраного транзистора VT2 | 100 | 50 | 250 | 250 | КТ3102А | 100 |
Визначаємо падіння напруги на колекторних навантаженнях:
Визначаємо опір резисторів колекторного навантаження за формулою:
Вибираємо стандартне значення резисторів R3 = R2 = 1800 кОм.
Визначаємо потужність розсіювання на даних резисторах за формулою:
Обираємо резистори R2, R3 типу: - МЛТ – 0,125 – 1,8 кОм ± 5%.
Визначаємо величину опору резистора в колі емітера транзистора за формулою:
де UE - падіння напруги на резисторі в колі емітера, яке дорівнює:
Визначаємо потужність розсіювання на резисторі R5 в колі емітера транзистора за формулою:
Обираємо резистори R4 типу: - МЛТ – 0,125 – 860 Ом ± 5%.
Приймаємо величину струму дільника: Ід = 1 мА.
Визначаємо величину резистора RД:
Визначаємо величину резистора R1 за формулою:
Обираємо резистори R1 = 15 кОм.
Визначаємо потужність розсіювання на даних резисторах за формулою:
Відповідно до ГОСТ 9663 приймаємо стандартну найближчу найбільшу за величиною потужність розсіювання.
Обираємо резистори типу: R1 = МЛТ – 0,125 – 15 кОм ± 5%.
Похожие работы
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
0 комментариев