3.6 Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду
Визначаємо корисну потужність, що віддає транзистор VT3, і яка більше потужності, споживаної колом наступного каскаду, на величину потужності, розсіюванню в колі зміщення:
![]()
Визначаємо амплітудне значення змінної складової струму колектора транзистора VT3:
![]()
![]()
Для зменшення впливу нелінійності вхідної характеристики транзистора доцільно прийняти:
![]()
Тоді максимальний колекторний струм буде дорівнювати:
![]()
Максимальна напруга між колектором і емітером дорівнює:
![]()
Визначаємо потужність, споживану транзистором VT3 від джерела електроживлення:
![]()
Визначаємо максимальну потужність розсіювання на колекторі транзистора:
![]()
Визначаємо граничний коефіцієнт передачі частоти за струмом:
![]()
За розрахованими параметрами вибираємо тип транзистора VT3. Розраховані параметри та параметри вибраного транзистора занести в таблицю 3.4.
Таблиця 3.4 Параметри вибраного транзистора VT3 передкінцевого каскаду.
| Параметри | IKmax мA | UKEmax В | PKmax мВт | f21Emax МГц | Тип транзистора | h21E | h11E |
| Розрахункові граничні параметри | 6,423 | 24 | 54 | 0,13 | |||
| Параметри вибраного транзистора VT3 | 100 | 40 | 150 | 250 | КТ361В | 20 | 40 |
Визначаємо величину резистора R9 позитивного зворотного зв'язку за формулою:
![]()
Вибираємо стандартне значення резистора зворотного зв'язку R9 = 7,5 кОм.
Визначаємо потужність розсіювання на резисторі за формулою:
![]()
Обираємо резистори R9 типу: МЛТ – 0,125 – 7,5 кОм ± 5%.
Визначаємо амплітудне значення струму бази транзистора за формулою:
![]()
Визначаємо значення постійної складової струму бази:
![]()
Визначаємо вхідний опір каскаду, зібраного на транзисторі VT3 за формулою:
![]()
де h11E - вхідний опір транзистора, включеного за схемою ОЕ.
Визначаємо величину резистора R5:
![]()
Вибираємо стандартне значення резистора R5 = 750 кОм.
Визначаємо потужність розсіювання на резисторі за формулою:
![]()
Приймаємо стандартне значення потужності за ГОСТ 9663 і записуємо стандартне значення резистора за стандартом.
Обираємо резистор R5 типу: МЛТ – 0,125 – 750 кОм ± 5%.
Визначаємо амплітудне значення змінної напруги на базі транзистора:
![]()
Визначаємо потужність сигналу, споживану базовим колом транзистора за формулою:
![]()
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
0 комментариев